Продукція > ONSEMI > MJD50TF
MJD50TF

MJD50TF onsemi

MJD47%2C50.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+18.86 грн
4000+16.65 грн
6000+15.88 грн
10000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD50TF onsemi

Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 200µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції MJD50TF за ціною від 14.74 грн до 73.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD50TF MJD50TF Виробник : onsemi / Fairchild MJD50_D-2316057.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.22 грн
10+40.84 грн
100+24.59 грн
500+20.54 грн
1000+17.49 грн
2000+15.58 грн
4000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TF MJD50TF Виробник : onsemi MJD47%2C50.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 13502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.52 грн
10+44.07 грн
100+28.70 грн
500+20.73 грн
1000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TF MJD47%2C50.pdf
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TF MJD50TF Виробник : ON Semiconductor mjd50-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TF MJD50TF Виробник : ON Semiconductor 3665091688184670mjd50.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TF MJD50TF Виробник : ON Semiconductor mjd50-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TF MJD50TF Виробник : ON Semiconductor mjd50-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.