Продукція > ONSEMI > MJD5731T4G
MJD5731T4G

MJD5731T4G onsemi

mjd5731-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.82 грн
5000+16.70 грн
7500+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD5731T4G onsemi

Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції MJD5731T4G за ціною від 19.17 грн до 73.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD5731T4G MJD5731T4G onsemi mjd5731-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
на замовлення 10380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.51 грн
10+44.43 грн
100+29.15 грн
500+21.16 грн
1000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4G MJD5731T4G onsemi mjd5731-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 15W PNP
на замовлення 12433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4G ONN mjd5731-d.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4G mjd5731-d.pdf
MJD5731T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
на замовлення 10380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.51 грн
10+44.43 грн
100+29.15 грн
500+21.16 грн
1000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4G mjd5731-d.pdf
MJD5731T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 15W PNP
на замовлення 12433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4G mjd5731-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.