Продукція > ONSEMI > MJD5731T4G
MJD5731T4G

MJD5731T4G onsemi

mjd5731-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.88 грн
5000+17.64 грн
7500+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD5731T4G onsemi

Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції MJD5731T4G за ціною від 17.72 грн до 77.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD5731T4G MJD5731T4G Виробник : onsemi MJD5731_D-2315658.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 15W PNP
на замовлення 44505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.31 грн
10+49.80 грн
100+29.55 грн
500+24.74 грн
1000+21.00 грн
2500+19.02 грн
5000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4G MJD5731T4G Виробник : onsemi mjd5731-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 10380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.65 грн
10+46.93 грн
100+30.79 грн
500+22.35 грн
1000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4G MJD5731T4G Виробник : ON Semiconductor mjd5731-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4G Виробник : ONSEMI mjd5731-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 1A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 1A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...175
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.