Продукція > ONSEMI > MJD5731T4G
MJD5731T4G

MJD5731T4G onsemi

mjd5731-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.32 грн
5000+18.92 грн
7500+18.10 грн
12500+16.12 грн
17500+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD5731T4G onsemi

Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції MJD5731T4G за ціною від 17.03 грн до 83.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD5731T4G MJD5731T4G Виробник : onsemi MJD5731_D-2315658.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 15W PNP
на замовлення 44505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.11 грн
10+47.85 грн
100+28.40 грн
500+23.78 грн
1000+20.18 грн
2500+18.27 грн
5000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4G MJD5731T4G Виробник : onsemi mjd5731-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 19163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.36 грн
10+50.38 грн
100+33.01 грн
500+23.97 грн
1000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD5731T4G MJD5731T4G Виробник : ON Semiconductor mjd5731-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.