Продукція > LGE > MJE13007

MJE13007 LGE

mje13007-d.pdf Виробник: LGE
Transistor NPN; 40; 2W, 400V; 8A; 4MHz, -55°C ~ 150°C; Substitute: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 LGE TMJE13007 lge
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE13007 LGE

Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 14MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 80 W.

Інші пропозиції MJE13007 за ціною від 22.59 грн до 219.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE13007 Виробник : JSMicro Semiconductor mje13007-d.pdf Transistor NPN; 40; 80W; 400V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 JSMICRO TMJE13007 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007 Виробник : NTE Electronics, Inc. mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+219.91 грн
100+186.65 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007 Виробник : On Semiconductor mje13007-d.pdf NPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB
на замовлення 22 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007 MJE13007 Виробник : onsemi mje13007-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007 MJE13007 Виробник : onsemi MJE13007-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007 Виробник : Diodes Incorporated mje13007-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007 Виробник : STMicroelectronics mje13007-d.pdf Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.