Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE13007G
MJE13007G

MJE13007G ON Semiconductor

mje13007d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
520+27.20 грн
527+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 520 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE13007G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 80W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 14MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJE13007G за ціною від 46.88 грн до 267.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+49.98 грн
100+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.85 грн
197+72.12 грн
211+67.10 грн
500+64.05 грн
1000+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.99 грн
50+72.26 грн
100+67.23 грн
500+64.17 грн
1000+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ONSEMI MJE13007G.PDF description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.83 грн
10+59.12 грн
50+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.68 грн
250+101.83 грн
1000+97.62 грн
2500+90.60 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G onsemi mje13007-d.pdf description Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
50+90.48 грн
100+81.41 грн
500+61.49 грн
1000+56.69 грн
2000+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+267.25 грн
50+131.76 грн
100+118.56 грн
500+92.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G onsemi mje13007-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ONSEMI ONSM-S-A0014832360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007d.pdf
MJE13007G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+49.98 грн
100+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007d.pdf
MJE13007G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+72.85 грн
197+72.12 грн
211+67.10 грн
500+64.05 грн
1000+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007d.pdf
MJE13007G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+72.99 грн
50+72.26 грн
100+67.23 грн
500+64.17 грн
1000+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description MJE13007G.PDF
MJE13007G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+122.83 грн
10+59.12 грн
50+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007d.pdf
MJE13007G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
110+128.68 грн
250+101.83 грн
1000+97.62 грн
2500+90.60 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007-d.pdf
MJE13007G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.47 грн
50+90.48 грн
100+81.41 грн
500+61.49 грн
1000+56.69 грн
2000+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007d.pdf
MJE13007G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+267.25 грн
50+131.76 грн
100+118.56 грн
500+92.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007-d.pdf
MJE13007G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description ONSM-S-A0014832360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE13007G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007d.pdf
MJE13007G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.