Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE13007G
MJE13007G

MJE13007G ON Semiconductor

mje13007d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
451+31.37 грн
460+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE13007G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 80W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 14MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJE13007G за ціною від 30.75 грн до 178.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.63 грн
25+31.37 грн
100+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+55.73 грн
100+53.42 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.55 грн
50+71.84 грн
100+66.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.75 грн
197+72.04 грн
212+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ONSEMI MJE13007G.PDF description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.18 грн
10+67.99 грн
50+49.75 грн
100+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+120.92 грн
250+88.86 грн
1000+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ONSEMI ONSM-S-A0014832360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.01 грн
12+70.32 грн
100+57.86 грн
500+42.53 грн
1000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G onsemi mje13007-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.10 грн
10+90.30 грн
100+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G onsemi mje13007-d.pdf description Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 5443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.23 грн
50+84.46 грн
100+75.99 грн
500+57.39 грн
1000+52.91 грн
2000+49.15 грн
5000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007d.pdf
MJE13007G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+33.63 грн
25+31.37 грн
100+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007d.pdf
MJE13007G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+55.73 грн
100+53.42 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007d.pdf
MJE13007G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+72.55 грн
50+71.84 грн
100+66.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007d.pdf
MJE13007G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
195+72.75 грн
197+72.04 грн
212+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description MJE13007G.PDF
MJE13007G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+115.18 грн
10+67.99 грн
50+49.75 грн
100+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007d.pdf
MJE13007G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
117+120.92 грн
250+88.86 грн
1000+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description ONSM-S-A0014832360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE13007G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+135.01 грн
12+70.32 грн
100+57.86 грн
500+42.53 грн
1000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007-d.pdf
MJE13007G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+155.10 грн
10+90.30 грн
100+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007-d.pdf
MJE13007G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 5443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+178.23 грн
50+84.46 грн
100+75.99 грн
500+57.39 грн
1000+52.91 грн
2000+49.15 грн
5000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G description mje13007d.pdf
MJE13007G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.