Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE13007G
MJE13007G

MJE13007G ON Semiconductor

mje13007d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE13007G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 14MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJE13007G за ціною від 42.41 грн до 169.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
298+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+64.00 грн
208+61.44 грн
500+51.33 грн
1000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+86.21 грн
13+60.40 грн
100+58.60 грн
500+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+88.10 грн
250+71.39 грн
1000+54.65 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+115.42 грн
11+68.71 грн
100+65.96 грн
500+53.14 грн
1000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI MJE13007G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.37 грн
10+59.05 грн
50+48.42 грн
100+46.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : onsemi mje13007-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.31 грн
50+63.98 грн
100+57.20 грн
500+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI MJE13007G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.64 грн
10+73.59 грн
50+58.10 грн
100+56.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : onsemi MJE13007-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
на замовлення 8192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.98 грн
10+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+169.59 грн
12+77.40 грн
100+75.87 грн
500+69.02 грн
1000+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.