Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE13007G
MJE13007G

MJE13007G ON Semiconductor

mje13007-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE13007G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 14MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJE13007G за ціною від 30.02 грн до 140.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+62.59 грн
213+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+66.99 грн
100+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+69.43 грн
196+62.29 грн
500+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+88.38 грн
11+58.35 грн
100+53.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+112.58 грн
10+64.48 грн
100+57.84 грн
500+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0C0CEBC916469&compId=MJE13007G.PDF?ci_sign=c55d14393790f9c332a4dd3e77bd43f77a716907 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.41 грн
10+62.44 грн
20+46.49 грн
53+43.99 грн
250+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : onsemi mje13007-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 5027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.52 грн
50+59.85 грн
100+53.51 грн
500+39.77 грн
1000+36.41 грн
2000+33.58 грн
5000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.32 грн
12+71.39 грн
100+63.33 грн
500+46.87 грн
1000+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0C0CEBC916469&compId=MJE13007G.PDF?ci_sign=c55d14393790f9c332a4dd3e77bd43f77a716907 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.69 грн
10+77.81 грн
20+55.79 грн
53+52.79 грн
250+52.70 грн
500+50.89 грн
1000+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : onsemi MJE13007_D-1811556.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.54 грн
10+63.67 грн
100+49.56 грн
500+43.90 грн
1000+37.08 грн
2700+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.