Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE13007G
MJE13007G

MJE13007G ON Semiconductor

mje13007-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE13007G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 14MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJE13007G за ціною від 35.23 грн до 165.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
298+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+66.81 грн
250+60.02 грн
1000+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+66.85 грн
204+62.31 грн
500+52.04 грн
1000+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+74.74 грн
189+67.47 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+80.08 грн
100+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+86.01 грн
12+61.57 грн
100+58.46 грн
500+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI MJE13007G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.84 грн
10+75.98 грн
50+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+115.24 грн
11+70.52 грн
100+65.74 грн
500+52.93 грн
1000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : onsemi mje13007-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.37 грн
50+62.78 грн
100+56.14 грн
500+41.72 грн
1000+38.19 грн
2000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI MJE13007G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.61 грн
10+94.68 грн
50+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : onsemi mje13007-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
на замовлення 7923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.85 грн
10+70.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+165.43 грн
12+78.80 грн
100+77.20 грн
500+70.28 грн
1000+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.