Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE13007G
MJE13007G

MJE13007G ON Semiconductor

mje13007d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
452+28.63 грн
458+28.26 грн
500+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE13007G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 14MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJE13007G за ціною від 26.06 грн до 152.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+48.71 грн
25+30.71 грн
50+30.68 грн
100+29.20 грн
500+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+61.43 грн
100+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+68.05 грн
250+61.18 грн
1000+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI MJE13007G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.67 грн
10+73.18 грн
50+50.47 грн
100+47.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : onsemi mje13007-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.79 грн
50+57.95 грн
100+51.81 грн
500+38.50 грн
1000+35.25 грн
2000+32.51 грн
5000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : onsemi mje13007-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
на замовлення 6431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.08 грн
10+62.28 грн
100+48.36 грн
500+38.30 грн
1000+35.08 грн
2700+34.17 грн
5400+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.46 грн
12+72.40 грн
100+65.22 грн
500+47.85 грн
1000+43.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G Виробник : On Semiconductor mje13007-d.pdf NPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB (аналог 2SC4106) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G Виробник : On Semiconductor MJE13007-D.pdf NPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007G Виробник : ON Semiconductor MJE13007_ons.pdf Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=8A, P=80W, B=8-40, -65 to +150C).... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.