Продукція > MJE > MJE13009G

MJE13009G


mje13009-d.pdf Виробник:

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE13009G

Description: TRANS NPN 400V 12A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції MJE13009G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJE13009G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 1141
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJE13009G MJE13009G Виробник : ON Semiconductor mje13009-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE13009G MJE13009G Виробник : onsemi mje13009-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJE13009G MJE13009G Виробник : onsemi MJE13009_D-2316058.pdf Bipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN
товар відсутній
MJE13009G MJE13009G Виробник : ONSEMI mje13009-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 12A; 100W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 12A
Power: 0.1kW
Case: TO220
Mounting: THT
товар відсутній