Продукція > MJE
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE10006G | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE101 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE102 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE103 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE104 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE105 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE105 | Motorola | Description: TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE1090 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE1091 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE1092 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE1093 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE1100 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE1123 | на замовлення 7253 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE122 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE12955 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13001 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 25853
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 Uceo,V: 400 V Ucbo,V: 500 V Ic,A: 0,5 A Монтаж: THT | у наявності 209 шт: 69 шт - склад43 шт - РАДІОМАГ-Київ 46 шт - РАДІОМАГ-Львів 17 шт - РАДІОМАГ-Харків 34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| |||||||||||||||||
| MJE13001-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13001-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 400V 0.2A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 20V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13001-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13001-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13001S6D | на замовлення 500000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13001S8D | на замовлення 500000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13002 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13002 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 2694
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE13002-126 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13002-92 | на замовлення 2310 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13002-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13002-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13002-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 400V 1A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 40mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.25 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13002-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13002A | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13002B-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 400V 0.8A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13002B-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13002B-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13002B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003 | JSMicro Semiconductor | Transistor NPN; 30; 30W; 400V; 2,3A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 JSMICRO TMJE13003 JSM кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13003 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003 | JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH | NPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003 TMJE13003 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13003 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN 400 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.4 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003 | OTOMO | Transistor NPN; 30; 2W; 400V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 OTOMO TMJE13003 OTO кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13003 | ON | 0419 | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 18858
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-126 Uceo,V: 400 V Ucbo,V: 700 V Ic,A: 1,5 A | товару немає в наявності |
| |||||||||||||||||
| MJE13003(ST13003) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13003-1 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13003-12 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13003-126 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13003-2 | FSC | на замовлення 126000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE13003-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003-BP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003-BP TO-220 Код товару: 115272
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE13003-C | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13003-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE1300320-25AB | на замовлення 30200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13003A-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003A-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003A-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.25 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003B-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003B-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 10V Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003B-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003D-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003D-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-251 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-251 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.25 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003D-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003D-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003G | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13003G | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.4 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 1400mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13003G (транзистор біполярный NPN) Код товару: 34621
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE13003H2 | 2005 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE13003H2 | 2005 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE13003L | UTC | NPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13003L-C | UTC | NPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13003T | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13003T2 | на замовлення 95 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13003TO-126 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13004 | HARRIS | MJE13004 | на замовлення 6318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13004 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 300V 4A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 75 W | на замовлення 6320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13004 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13004 LEDFREE | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13004 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Fast SW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13004G | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13005 | OTOMO | Transistor NPN; 30; 2W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 OTOMO TMJE13005 OTO кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 158 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13005 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MJE13005 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 10959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13005 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005 | JSMicro Semiconductor | Transistor NPN; 30; 65W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 JSMICRO TMJE13005 JSM кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13005 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005 | Multicomp | Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005 Код товару: 15180
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220AB Uceo,V: 400 V Ucbo,V: 700 V Ic,A: 4 А Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| |||||||||||||||||
| MJE13005 | ON SEMICONDUCTOR | npn 400/700V 3A 60W TO-220 | на замовлення 163 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13005 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005 LEDFREE | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13005 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Fast SW | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13005 SL PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220-3 Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005 SL PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 75W | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13005 SL TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005 TIN/LEAD | Central Semiconductor | NPN Silicon Power Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005(ST13005) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13005-1 | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13005-2 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13005-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005A | на замовлення 78500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13005B | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13005F-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 420V 4A ITO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005F1 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13005F2 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13005G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13005G | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13006 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 300V 8A TO220 Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 80 W | на замовлення 529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13006 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13006G | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13007 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007 | LGE | Transistor NPN; 40; 2W, 400V; 8A; 4MHz, -55°C ~ 150°C; Substitute: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 LGE TMJE13007 lge кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 230 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007 | JSMicro Semiconductor | Transistor NPN; 40; 80W; 400V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 JSMICRO TMJE13007 JSM кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007 | On Semiconductor | NPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB | на замовлення 22 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007 (MJE13007G) (транзистор біполярний NPN) Код товару: 38055
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 fT: 14 MHz Uceo,V: 400 V Ucbo,V: 700 V Ic,A: 8 А h21: 40 Монтаж: THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007 SL | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007(PHE13007) | на замовлення 220000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13007-1 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13007-2 | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13007-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007-BP | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT Regulator | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007-H4 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13007A Код товару: 123836
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE13007A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007A | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007F | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13007F-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007F-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007F-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 400V 8A ITO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007F-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13007F2 | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13007F2 транзистор Код товару: 58559
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE13007G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 273 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007G | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 14MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 3504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN | на замовлення 8077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13007R | на замовлення 115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13008G | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13009 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13009 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13009 | JSMicro Semiconductor | Transistor NPN; 40; 100W; 400V; 12A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 JSMICRO TMJE13009 JSM кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13009 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT TO-220 NPN FASTSW PW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13009 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13009 | OTOMO | Transistor NPN; 35; 120W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 OTOMO TMJE13009 OTO кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13009 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 30312
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 fT: 4 MHz Uceo,V: 400 V Ucbo,V: 700 V Ic,A: 12 A h21: 40 | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| MJE13009-1 | на замовлення 4580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13009-2 | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; NXP (шт) | на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MJE13009A | на замовлення 539 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13009AR | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13009F | на замовлення 814 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13009F (транзистор біполярный NPN) Код товару: 104845
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220ISO fT: 4 MHz Uceo,V: 400 V Ucbo,V: 700 V Ic,A: 12 A Монтаж: THT | у наявності 130 шт: 112 шт - склад5 шт - РАДІОМАГ-Львів 8 шт - РАДІОМАГ-Харків 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
| MJE13009G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13009G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13009G | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13009G | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13009G (транзистор біполярный NPN) Код товару: 1141
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE13009H3 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13009H3(25-32) | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13009L | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE1302 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13070 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 6V 5A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE13070 | на замовлення 7253 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13071 | на замовлення 7253 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE13071 | HARRIS | MJE13071 | на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE13071 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 80 W | на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE1307D | OTOMO | Transistor NPN; 40; 2W; 400V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 OTOMO TMJE13007 OTO кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE1320 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE15003 | ON/MOT | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE15004 | ON/MOT | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE15028 | на замовлення 7253 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE15028 | onsemi | Description: TRANS NPN 120V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15028 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15028 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15028 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 126210
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE15028G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN | на замовлення 947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15028G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15028G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15028G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15028G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE15028G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15028G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15028G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15028G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15028G | onsemi | Description: TRANS NPN 120V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 50 W | на замовлення 2207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15029 | Multicomp | Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15029 | onsemi | Description: TRANS PNP 120V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15029 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15029 | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE15029 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MJE15029 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15029 (транзистори біполярніе PNP) Код товару: 126212
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE15029G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15029G | onsemi | Description: TRANS PNP 120V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 50 W | на замовлення 4650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15029G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP | на замовлення 732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15029G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB Mounting: THT Collector current: 8A Collector-emitter voltage: 120V Power dissipation: 50W Frequency: 30MHz Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Type of transistor: PNP | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15029G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15029G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB Mounting: THT Collector current: 8A Collector-emitter voltage: 120V Power dissipation: 50W Frequency: 30MHz Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Type of transistor: PNP кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 43 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15029G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15029G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15029G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15030 | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15030 | CDIL | NPN 8A 150V 50W 30MHz MJE15030 TMJE15030 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 470 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030 Код товару: 196969
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 fT: 30 MHz Uceo,V: 150 V Ucbo,V: 150 V Ic,A: 8 А h21: 30 Монтаж: THT | у наявності 59 шт: 31 шт - склад8 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
| MJE15030 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MJE15030 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030 | Multicomp | Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030 | onsemi | Description: TRANS NPN 150V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15030 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15030 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 36906
Додати до обраних
Обраний товар
| Iscsemi | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 fT: 30 MHz Uceo,V: 150 V Ucbo,V: 150 V Ic,A: 8 А h21: 30 Монтаж: THT | у наявності 1 шт: 1 шт - склад |
| ||||||||||||||||
| MJE15030G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030G Код товару: 180441
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE15030G | onsemi | Description: TRANS NPN 150V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 50 W | на замовлення 3215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN | на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 219 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15030G Код товару: 154352
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE15030MJE15031 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE15031 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MJE15031 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15031 | CDIL | Tranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15031 | CDIL | Tranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15031 | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15031 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15031 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 5.0Vebo 8.0A 2.0W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15031G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 70MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 403 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15031G Код товару: 180445
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE15031G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP | на замовлення 4724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15031G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15031G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 70MHz | на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15031G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15031G Код товару: 45656
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE15031G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 50 W | на замовлення 6263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15031G | ON-Semiconductor | Bipolar Transistor PNP 150V 8A 50W MJE15031G TO220 ONS TMJE15031 ons кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15031G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15031G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15031G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE15031G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15032 | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15032 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15032 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15032 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15032 MJE15033 | ON | TO220 10+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15032C | EVVO | Description: TRANS NPN 250V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15032G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15032G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15032G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15032G | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W | на замовлення 2907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15032G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 11012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15032G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15032G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB Mounting: THT Collector current: 8A Collector-emitter voltage: 250V Power dissipation: 50W Frequency: 30MHz Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Type of transistor: NPN | на замовлення 454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15032G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB Mounting: THT Collector current: 8A Collector-emitter voltage: 250V Power dissipation: 50W Frequency: 30MHz Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 454 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15032G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN | на замовлення 3011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15032G (транзистор біполярний NPN) Код товару: 28060
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 fT: 30 MHz Uceo,V: 250 V Ucbo,V: 250 V Ic,A: 8 А h21: 70 Монтаж: THT | у наявності 49 шт: 31 шт - склад5 шт - РАДІОМАГ-Київ 3 шт - РАДІОМАГ-Львів 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується 10 шт: 10 шт - очікується |
| ||||||||||||||||
| MJE15032GMJE15033G | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE15032MJE15033 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE15033 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15033 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15033 | onsemi | Description: TRANS PNP 250V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15033C | EVVO | Description: TRANS PNP 250V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | onsemi | Description: TRANS PNP 250V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W | на замовлення 131759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE15033G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP | на замовлення 6335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | ON-Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MJE15033G ONS TMJE15033 ons кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 66 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G Код товару: 27993
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220 fT: 30 MHz Uке, В: 250 V Uкб, В: 250 V Iк, А: 8 А h21,max: 70 | у наявності 94 шт: 40 шт - склад8 шт - РАДІОМАГ-Київ 27 шт - РАДІОМАГ-Львів 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 131700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB Mounting: THT Collector current: 8A Collector-emitter voltage: 250V Current gain: 50 Power dissipation: 50W Frequency: 30MHz Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Type of transistor: PNP | на замовлення 332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 27415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB Mounting: THT Collector current: 8A Collector-emitter voltage: 250V Current gain: 50 Power dissipation: 50W Frequency: 30MHz Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Type of transistor: PNP кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 332 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15033G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 27400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15034 | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 4A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15034 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15034 | на замовлення 1179 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE15034 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15034(транзистор) Код товару: 67257
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE15034G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB Mounting: THT Collector current: 4A Collector-emitter voltage: 350V Power dissipation: 50W Frequency: 30MHz Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Type of transistor: NPN | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15034G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15034G | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 4A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 2 W | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15034G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN | на замовлення 4389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15034G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB Mounting: THT Collector current: 4A Collector-emitter voltage: 350V Power dissipation: 50W Frequency: 30MHz Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 198 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15034G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15034G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15034G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15034G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15034G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15034G(транзистор) Код товару: 61129
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE15034MJE15035 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE15035 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15035 Код товару: 67258
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220 fT: 30 MHz Uке, В: 350 V Uкб, В: 350 V Iк, А: 4 A | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| MJE15035 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE15035 | onsemi | Description: TRANS PNP 350V 4A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15035 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15035G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15035G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB Mounting: THT Collector current: 4A Collector-emitter voltage: 350V Power dissipation: 50W Frequency: 30MHz Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Type of transistor: PNP кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 210 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15035G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15035G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15035G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15035G | onsemi | Description: TRANS PNP 350V 4A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 2 W | на замовлення 3058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15035G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15035G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP | на замовлення 1836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15035G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB Mounting: THT Collector current: 4A Collector-emitter voltage: 350V Power dissipation: 50W Frequency: 30MHz Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Type of transistor: PNP | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15035G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15035G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE15035G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE15035G(транзистор) Код товару: 61130
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE16002 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 6V 5A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 80 W | на замовлення 9182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE16002 | на замовлення 7253 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE16002 | HARRIS | MJE16002 | на замовлення 9182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE16004 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 5A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 103800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE16004 | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 80 W | на замовлення 103800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE16004 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE16004 - 5-A SWITCH MAX II POWER TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 103800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE170 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE170 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 12.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE170 | ON | 09+ | на замовлення 20148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE170G | ON Semiconductor | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE170G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE170G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE170G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE170G Код товару: 161611
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE170G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE170G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE170G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP | на замовлення 686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE170G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 6890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE170G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 9122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE170S | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE170STU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE170STU | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A TO126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE170STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE171 | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 12.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE171 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE171 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE171 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE171G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE171G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP | на замовлення 777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE171G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE171G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE171G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE171G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE171G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE171G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE171G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 5490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE171G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE171STU | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 3A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE172 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE172 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Power Sw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE172 | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE172 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE172 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 80V 3A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-32-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 12.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE172/80Vdc3A/TO-220 | ON | 09+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE172G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 3403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE172G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE172G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE172G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 3403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE172G | ONSEMI | MJE172G PNP THT transistors | на замовлення 78 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE172G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE172G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE172G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE172G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE172G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP | на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE172G Код товару: 86262
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE172MJE182 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE172STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE172STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE172STU - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -80V, TO126-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE172STU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | на замовлення 4338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE172STU | на замовлення 19200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE172STU | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 3A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE172STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE180 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE180 | MICROSS/On Semiconductor | Description: DIE TRANS NPN 40V SMALL SIGNAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE180 | ON | 0305 | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE180 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 40V 3A TO225AA | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE180 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Power | на замовлення 707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE180 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 7.0Vebo 3.0A 1.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18002 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18002 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18002 | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 2A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 50 W | на замовлення 4437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18002 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18002 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE18002 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE18002 - TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18002 | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 2A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18002D2 | Motorola | Description: TRANS NPN 450V 2A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 400mA, 1V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 50 W | на замовлення 13900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18002D2 | Motorola | MJE18002D2 | на замовлення 13900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18002D2 | NXP | Description: NXP - MJE18002D2 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 13900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18002G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE18002G - MJE18002G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 65841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18002G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18002G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 42976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18002G | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 2A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 50 W | на замовлення 65841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18002G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18002G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 19860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18002G | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 2A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18002G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18002G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18004 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18004 | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18004D2 | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18004D2G | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18004G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18004G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18004G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN | на замовлення 893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18004G | ON-Semiconductor | NPN 5A 1000V 75W MJE18004G TMJE18004 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18004G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18004G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18004G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 13MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18004G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18004G | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 75 W | на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18004G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18006 | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 6A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18006 Код товару: 77960
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220AB Uceo,V: 450 V Ic,A: 6 А Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| MJE18006 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18006 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 6A 450V 100W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18006 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE18006G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18006G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 450V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18006G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE18006G - MJE18006G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18006G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18006G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18006G | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 6A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 100 W | на замовлення 12824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18006G | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE18006G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18006G | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 6A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18008 Код товару: 77961
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 fT: 13 MHz Uceo,V: 450 V Ic,A: 8 А Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| MJE18008 | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18008 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18008 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18008G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18008G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18008G | ON-Semiconductor | NPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18008G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18008G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18008G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18008G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18008G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18008G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18008G | onsemi | Description: TRANS NPN 450V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 125 W | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18008G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18008G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18008G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 13MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18008G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN | на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE1800B | на замовлення 502 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE180G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE180G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180G | On Semiconductor | NPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) | на замовлення 3550 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE180G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE180G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN | на замовлення 316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180G Код товару: 161612
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE180PWD | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE180PWD | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE180STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE180STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 21565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180STU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 2463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 5159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180STU | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 11280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE180STU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 2463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE180STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE181 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE181 | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 3A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 12.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE181 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE181 | на замовлення 1865 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE181G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE181G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE181G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE181G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN | на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE181G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE181G | Aptina Imaging | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE181G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE181STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE181STU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE181STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE181STU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 3934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE181STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE181STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE181STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE181STU | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 1877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE181STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE182 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 80V 3A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 12.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE182 | ON | 09+ | на замовлення 20148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE182 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE182 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE182 - MJE182, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182 | MOT | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE182 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE182 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 6557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power Sw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE18204 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 600V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 17309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18204 | onsemi | Description: TRANS NPN 600V 5A TO-220FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.25V @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220FP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 35 W | на замовлення 17309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18204 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE18204 - TRANSISTOR, NPN TO-220 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18206 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE18206 - TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18206 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 600V 8A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 11725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE18206 | onsemi | Description: TRANS NPN 600V 8A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 100 W | на замовлення 11725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 12086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 3A Power dissipation: 12.5W Case: TO225 Current gain: 50...250 Mounting: THT Frequency: 50MHz Kind of package: bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE182G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE182G Код товару: 62118
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE182G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 6626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182G | ON-Semiconductor | NPN 3A 80V 12.5W 50MHz MJE182 TO126 TMJE182 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 220 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 8004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 6626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 3A Power dissipation: 12.5W Case: TO225 Current gain: 50...250 Mounting: THT Frequency: 50MHz Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE182G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN | на замовлення 5566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182STU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 329042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE182STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 326780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 28720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182STU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | на замовлення 6816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE182STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 36881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182STU | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE182STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE182STU - TRANSISTOR, NPN, 80V, 50MHZ, TO-126 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 2237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE182STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE182STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 10557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE20 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE200 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE200 | Rochester Electronics, LLC | Description: TRANS NPN 40V 5A TO225AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE200 | на замовлення 554 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE200-T | на замовлення 1905 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE200G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE200G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE200G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE200G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN | на замовлення 656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE200G | ON | 08+ DIP-8 | на замовлення 734 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE200G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 15 W | на замовлення 4155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE200G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE200N | LIGHTNING | 08+ TO126 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE200STU | FAIRCHILD | Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail | на замовлення 21120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE200STU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | на замовлення 3723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE200STU | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 15 W | на замовлення 99932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE200STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 96092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE200STU | FAIRCHILD | Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail | на замовлення 43413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE200STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE200STU - MJE200STU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 64533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE200STU | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE200STU | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 15 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE200STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE200TS | на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE200TSTU | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 15 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE200TSTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210 | ON | 05+06+ | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 25V 5A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 15 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210-STU | на замовлення 176 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE210G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP | на замовлення 467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE210G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 15 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE210G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 15 W | на замовлення 143096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE210N | LIGHTNING | TO126 08+ | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210STU | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 15 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210STU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | на замовлення 4256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 58305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE210STU | на замовлення 5250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE210STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE210STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 58888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE210STU-FS | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 25V 5A SOT223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 15 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210T | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 15 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210TG | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 15 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE210TG | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE210TG - MJE210TG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE210TG | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 15 W | на замовлення 10150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE210TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2360T | на замовлення 261 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE243 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE243 - TRANS NPN 100V 4A TO225AA tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE243 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE243 | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TO225AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE243 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE243 Код товару: 41963
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE243 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE243G | ONSEMI | MJE243G NPN THT transistors | на замовлення 472 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE243G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE243G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE243G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 4549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE243G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE243G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE243G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE243G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN | на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE243G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE243G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE243G | ON-Semiconductor | NPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 860 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE243G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE243G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE243G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 4549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE243G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE243MJE253 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE253 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE253 Код товару: 41964
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE253 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE253 | ONSEMI | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE253G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP | на замовлення 6819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE253G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE253G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE253G | ONSEMI | MJE253G PNP THT transistors | на замовлення 126 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE253G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE253G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 10822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE253G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE253G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE253G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE270 | на замовлення 2664 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE270 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V Frequency - Transition: 6MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE270 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE270 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 100V Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE270G | onsemi | Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN | на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE270G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE270G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE270G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE270G | ONSEMI | MJE270G NPN THT Darlington transistors | на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE270G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE270G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V Frequency - Transition: 6MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE270G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE270G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE270G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 2 A, 15 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE Transistormontage: Durchsteckmontage Übergangsfrequenz, NPN: 6MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 15W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE270TG | ON Semiconductor | 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE270TG | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V Frequency - Transition: 6MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE270TG | onsemi | Darlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE271 | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V Frequency - Transition: 6MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE271 | на замовлення 14408 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE271 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE271 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE271G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V Frequency - Transition: 6MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 9677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE271G | onsemi | Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE271G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE271G - MJE271G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE271G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V Frequency - Transition: 6MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE271G | ON Semiconductor | на замовлення 7478 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE271G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2801T PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT LEADED POWER TRANSIS GEN PUR T0-220 | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2801T TIN/LEAD | Central Semiconductor | Power Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2801T TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 10A 75W 60Vcbo 60Vceo 3.0A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955 Код товару: 24030
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220 fT: 2 MHz Uке, В: 60 V Uкб, В: 70 V Iк, А: 10 А h21,max: 100 | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| MJE2955 | FSC | 09+ TSSOP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955 | MOT | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE2955-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955/3055 | ST | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955ET4 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE2955T | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 38778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955T | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955T | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955T | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - MJE2955T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955T | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 8402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955T | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch | на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955T | ST | PNP 10A 60V 75W MJE2955T TMJE2955t кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955T | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 8402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955T | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955T | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 12818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955T Код товару: 57977
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220 fT: 2 MHz Uке, В: 60 V Uкб, В: 70 V Iк, А: 10 А | у наявності 16 шт: 8 шт - РАДІОМАГ-Львів8 шт - РАДІОМАГ-Харків |
| ||||||||||||||||
| MJE2955T | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955T | STMicroelectronics | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 70V Collector current: 10A Power dissipation: 90W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 2MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955T | STMicroelectronics | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 70V Collector current: 10A Power dissipation: 90W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 2MHz | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955T | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 38783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955TG | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Current gain: 20...100 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 2MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955TG | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955TG | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955TG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP | на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955TG | ON Semiconductor | на замовлення 725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE2955TMJE3055T | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE2955TTU | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955TTU | Fairchild | PNP 60V 10A 0.6W 2MHz MJE2955TTU Fairchild TMJE2955t FAI кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE2955TTU | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955TTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955TTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955TTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955TTU-ON | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 10A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE2955TTU_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3055 | STM | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE3055-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3055/2955T | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE3055T | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W | на замовлення 8973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T | ST | NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 15893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T Код товару: 190953
Додати до обраних
Обраний товар
| JSMICRO | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220AB fT: 2 MHz Uceo,V: 60 V Ucbo,V: 70 V Ic,A: 10 A h21: 100 Монтаж: THT | у наявності 103 шт: 70 шт - склад8 шт - РАДІОМАГ-Київ 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch | на замовлення 4554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 18058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T | ST | NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 15898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T | JSMicro Semiconductor | Transistor NPN; 70; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 8540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T | STMicroelectronics | MJE3055T NPN THT transistors | на замовлення 128 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055T (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26410
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220AB fT: 2 MHz Uceo,V: 60 V Ucbo,V: 70 V Ic,A: 10 А h21: 100 Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| MJE3055TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055TG | ON Semiconductor | на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE3055TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3055TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055TG | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055TG | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W | на замовлення 49081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3055TG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN | на замовлення 2621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055TG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3055TL | на замовлення 1898 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE3055TTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3055TTU | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3055TTU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor | на замовлення 2024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3055TTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power | на замовлення 3763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 28740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340 | CDIL | NPN 500mA 300V 21W MJE340 CDIL TMJE340 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Single Transistor, NPN Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE340 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 26178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340 | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANS NPN 260V 0.5A TO-126 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V Power - Max: 20 W | на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340 Код товару: 174065
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-225 Uceo,V: 300 V Ucbo,V: 300 V Ic,A: 0,5 A Монтаж: THT | у наявності 26 шт: 14 шт - РАДІОМАГ-Київ12 шт - РАДІОМАГ-Львів |
| ||||||||||||||||
| MJE340 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE340 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340 | STMicroelectronics | Транзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V; Icutoff-max = 100 мкА; Р, Вт = 20 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3 | на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE340 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 9760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20.8W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20.8 W | на замовлення 5196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE340 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 28750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340 (Hottech) Код товару: 189369
Додати до обраних
Обраний товар
| Hottech | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-126 Uceo,V: 300 V Ucbo,V: 300 V Ic,A: 0,5 A Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| MJE340 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 128645
Додати до обраних
Обраний товар
| CDIL | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-225 Uceo,V: 300 V Ucbo,V: 300 V Ic,A: 0,5 A Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| MJE340 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 29960
Додати до обраних
Обраний товар
| STM | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-126 Uceo,V: 300 V Ucbo,V: 300 V Ic,A: 0,5 A Монтаж: THT | у наявності 200 шт: 180 шт - склад20 шт - РАДІОМАГ-Київ |
| ||||||||||||||||
| MJE340 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE340 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 3.0Vebo 500mA 20.8W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE340/350 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE340F | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 78989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G | ON-Semiconductor | NPN 500mA 300V 20W MJE340G ONS TMJE340 ONS кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 497 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 15756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 264128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G | JSMicro Semiconductor | Transistor NPN; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU; MJE340G JSMICRO TMJE340 JSM кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE340G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN | на замовлення 11564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G Код товару: 112487
Додати до обраних
Обраний товар
| STM | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-225 Uceo,V: 300 V Ic,A: 0,5 A Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||
| MJE340G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 264143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G | ONSEMI | MJE340G NPN THT transistors | на замовлення 895 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G | onsemi | Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W | на замовлення 14090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE340G/MJE350G | ON | TO-225 10+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE340MJE350 | FSCST | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE340STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE340STU | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE340STU | onsemi | Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE340STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE340STU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3439 | onsemi | Description: TRANS PWR NPN .3A 350V TO225AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 15 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3439 | на замовлення 1705 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE3439 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE3439 - TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3439G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3439G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3439G | ON Semiconductor | на замовлення 213 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE3439G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 0.3A 350V 15W NPN | на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3439G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3439G | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 15 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3439G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3439G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE344 | ST | TO-126 | на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE344 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE344 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 200V 500MA TO225AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE344 | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3440 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3440 | ST | TO-126 | на замовлення 1990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE3440 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE344G | ON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE344G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE344G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE344G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN | на замовлення 1494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE344G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE344G | ON Semiconductor | на замовлення 175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE344G | onsemi | Description: TRANS NPN 200V 0.5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE344G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 39641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20.8W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANS PNP 260V 0.5A TO-126 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V Power - Max: 20 W | на замовлення 1673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 63021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics NV | PNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 (компл. MJE340) | на замовлення 2649 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 Код товару: 34450
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-126 Uке, В: 300 V Uкб, В: 300 V Iк, А: 0,5 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20.8 W | на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 7091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | ST | PNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 20W Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 550 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 | STMicroelectronics | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 20W Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350 = KSE350STU Код товару: 30696
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-127 Uке, В: 300 V Uкб, В: 300 V Iк, А: 0,5 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE350G | ON Semiconductor | Транзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA | на замовлення 60 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 13160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP | на замовлення 12064 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G Код товару: 112488
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE350G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 20W Case: TO225 Current gain: 30...240 Mounting: THT Kind of package: bulk | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 3382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W | на замовлення 10346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 20W Case: TO225 Current gain: 30...240 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 385 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350G | ON-Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE350MJE340 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE350STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350STU | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350STU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350STU-FS | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE350 /MJE340 | ON | 09+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE371 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE371 - TRANS PNP 40V 4A TO225AA tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE371 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE371 | ON | 09+ | на замовлення 20148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE371 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP GP | на замовлення 512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE371 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE371(транзистор) Код товару: 92550
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE371G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE371G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE371G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE371G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE371G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE371G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 40V 40W PNP | на замовлення 1991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE371G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE371G Код товару: 131917
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE371G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE3O55T | на замовлення 8658 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE4343 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343 | onsemi | Description: TRANS NPN 160V 16A SOT-93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 750µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Frequency - Transition: 1MHz Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE4343G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE4343G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343G | onsemi | Description: TRANS NPN 160V 16A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 750µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Frequency - Transition: 1MHz Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE4343G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4343G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4353 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4353 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4353 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE4353 - TRANSISTOR, PNP TO-218 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4353 | onsemi | Description: TRANS PNP 160V 16A SOT-93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 750µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Frequency - Transition: 1MHz Supplier Device Package: SOT-93 Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4353G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4353G Код товару: 106227
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE4353G | onsemi | Description: TRANS PNP 160V 16A SOT-93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 750µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Frequency - Transition: 1MHz Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE4353G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5050 | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE520 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE520 | на замовлення 1402 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE520 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE520 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126 Packaging: Tube Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE520 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W | на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE520 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE521 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE521 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 40V 4A SOT32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE521 | ON | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE521 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE521 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE521 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE521(транзистор) Код товару: 92551
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE521G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE521G - MJE521G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE521G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5730 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5730 | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE5730 | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 1A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5730G | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 1A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 40 W | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5730G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5730G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 1A; 40W; TO220AB Polarisation: bipolar Mounting: THT Type of transistor: PNP Kind of package: tube Collector current: 1A Current gain: 30...150 Power dissipation: 40W Collector-emitter voltage: 300V Frequency: 10MHz Case: TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5730G Код товару: 171586
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE5730G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5730G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5730G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP | на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5730G | ON | 05+06+ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5731 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5731 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5731 | на замовлення 1556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE5731 | onsemi | Description: TRANS PNP 350V 1A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5731A | onsemi | Description: TRANS PNP 375V 1A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5731A | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5731A Код товару: 151453
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE5731AG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5731AG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5731AG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V | на замовлення 4914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5731AG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5731AG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5731AG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5731AG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5731AG | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5731AG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5731AG | onsemi | Description: TRANS PNP 375V 1A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V Power - Max: 40 W | на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5731G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5731G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5731G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5731G | onsemi | Description: TRANS PNP 350V 1A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 40 W | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5731G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5731G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5731G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP | на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5731G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5731G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5740 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE5740 | onsemi | Darlington Transistors 8A 300V Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5740G | onsemi | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5740G | onsemi | Darlington Transistors 8A 300V Bipolar Power NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5741 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE5742 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJE5742 | onsemi | Darlington Transistors 8A 400V Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5742 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5742G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5742G | onsemi | Darlington Transistors 8A 400V Bipolar Power NPN | на замовлення 8094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5742G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W | на замовлення 2170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5742G | ON-Semiconductor | NPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5742G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5742G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5742G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5742G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE5742G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 400 V, 100 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5742G | ONSEMI | MJE5742G NPN THT Darlington transistors | на замовлення 208 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5742G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5850 | ON | 04+ | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5850 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE5850 - MJE5850, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5850 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5850 | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5850G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5850G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5850G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5850G | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5850G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5850G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5851 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5851 | onsemi | Description: TRANS PNP 350V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5851G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5851G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5851G Код товару: 180290
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE5851G | onsemi | Description: TRANS PNP 350V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5851G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5852 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5852 Код товару: 103964
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE5852 | onsemi | Description: TRANS PNP 400V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5852 | ON | 09+ | на замовлення 12018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5852 | ON | 08+ TSSOP | на замовлення 736 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5852 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5852 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 400V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5852G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5852G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5852G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5852G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJE5852G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5852G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP | на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5852G | onsemi | Description: TRANS PNP 400V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5852G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5852G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5852G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5852G Код товару: 115058
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE5852G | ONSEMI | MJE5852G PNP THT transistors | на замовлення 78 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE5852G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MJE6040 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |