Продукція > MJE

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MJE10006G
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE101
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE102
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE103
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE104
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE105
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE105MotorolaDescription: TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1090
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1091
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1092
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1093
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1100
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1123
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE122
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE12955
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 25853
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 500 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
у наявності 355 шт:
181 шт - склад
49 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
58 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
6+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 0.2A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 20V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001S6D
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001S8D
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 2694
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-126
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-92
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002B-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 0.8A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002B-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002B-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002B-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003ON0419
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003onsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 30; 30W; 400V; 2,3A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 JSMICRO TMJE13003 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN 400 Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003 TMJE13003
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003onsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003OTOMOTransistor NPN; 30; 2W; 400V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 OTOMO TMJE13003 OTO
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 18858
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 1,5 A
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003(ST13003)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-1
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-12
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-126
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-2FSC
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-BPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-BP TO-220
Код товару: 115272
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1300320-25AB
на замовлення 30200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003A-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003A-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003A-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003A-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003B-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003B-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003B-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003B-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003D-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003D-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003D-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003D-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1400mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003G
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 34621
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003H22005
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003H22005
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003LUTCNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003L-CUTCNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003T
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003T2
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003TO-126
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004Harris CorporationDescription: TRANS NPN 300V 4A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 6320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+52.41 грн
Мінімальне замовлення: 404
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004HARRISMJE13004
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+55.19 грн
1000+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 561
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004 LEDFREEDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Fast SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005ON SEMICONDUCTORnpn 400/700V 3A 60W TO-220
на замовлення 163 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005onsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005OTOMOTransistor NPN; 30; 2W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 OTOMO TMJE13005 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005MulticompTrans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE13005 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.87 грн
10+191.90 грн
100+137.07 грн
500+81.94 грн
1000+53.97 грн
5000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005
Код товару: 15180
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 4 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+8.00 грн
100+6.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 30; 65W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 JSMICRO TMJE13005 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 LEDFREEROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Fast SW
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.96 грн
10+160.72 грн
100+126.77 грн
500+123.72 грн
1000+113.79 грн
2500+109.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.91 грн
50+145.08 грн
100+131.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 SL PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 SL PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 75W
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+324.31 грн
10+193.21 грн
100+142.81 грн
500+129.06 грн
1000+119.90 грн
2500+112.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 SL TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005(ST13005)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005-1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005-2
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005A
на замовлення 78500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005B
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005F-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 420V 4A ITO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005F1
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005F2
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13006NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 300V 8A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.17 грн
10+120.92 грн
20+114.55 грн
50+101.53 грн
100+99.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13006
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13006G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007On SemiconductorNPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB
на замовлення 22 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007LGETransistor NPN; 40; 2W, 400V; 8A; 4MHz, -55°C ~ 150°C; Substitute: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 LGE TMJE13007 lge
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007onsemiDescription: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 40; 80W; 400V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 JSMICRO TMJE13007 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+219.91 грн
100+186.65 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007 (MJE13007G) (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 38055
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 14 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 8 А
h21: 40
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007 SLCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007(PHE13007)
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-1
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-2
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-BPDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-H4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007A
Код товару: 123836
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 8A ITO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F2
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F2 транзистор
Код товару: 58559
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+82.89 грн
250+66.62 грн
1000+52.19 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.20 грн
12+73.33 грн
100+63.91 грн
500+50.04 грн
1000+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.62 грн
10+69.89 грн
50+55.18 грн
100+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.51 грн
10+56.08 грн
50+45.98 грн
100+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.33 грн
10+64.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.80 грн
11+66.05 грн
100+60.00 грн
500+49.88 грн
1000+40.38 грн
2500+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+133.30 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 7358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.00 грн
50+61.41 грн
100+54.91 грн
500+40.81 грн
1000+37.36 грн
2000+34.46 грн
5000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+61.85 грн
221+56.18 грн
500+48.43 грн
1000+40.83 грн
2500+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+142.82 грн
10+71.84 грн
100+63.89 грн
500+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13008G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT TO-220 NPN FASTSW PW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009OTOMOTransistor NPN; 35; 120W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 OTOMO TMJE13009 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009onsemiBipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009onsemiDescription: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30312
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
h21: 40
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009-1
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009-2
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; NXP (шт)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+147.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009A
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009AR
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009F
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009F (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 104845
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220ISO
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
Монтаж: THT
у наявності 227 шт:
177 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+30.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009G
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009GonsemiBipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 1141
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009H3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009H3(25-32)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009L
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1302
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13070
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13070Harris CorporationDescription: TRANS NPN 6V 5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13071Harris CorporationDescription: TRANS NPN 450V 5A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13071HARRISMJE13071
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+111.40 грн
500+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13071
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1307DOTOMOTransistor NPN; 40; 2W; 400V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 OTOMO TMJE13007 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1320
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15003ON/MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15004ON/MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028onsemiDescription: TRANS NPN 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 126210
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+86.11 грн
100+74.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+67.42 грн
100+61.95 грн
500+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GonsemiDescription: TRANS NPN 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.30 грн
50+72.34 грн
100+64.78 грн
500+48.33 грн
1000+44.32 грн
2000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+78.10 грн
176+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.23 грн
10+74.47 грн
100+55.52 грн
500+42.23 грн
1100+39.02 грн
2200+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+61.63 грн
213+58.17 грн
500+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+111.25 грн
250+101.43 грн
500+79.83 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15028G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.49 грн
11+80.87 грн
100+70.68 грн
500+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029MulticompTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+128.21 грн
102+122.48 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15029 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+140.50 грн
10+113.08 грн
100+80.36 грн
500+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029onsemiDescription: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029 (транзистори біполярніе PNP)
Код товару: 126212
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO220AB
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Collector-emitter voltage: 120V
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.94 грн
3+177.44 грн
10+133.64 грн
11+108.82 грн
29+103.10 грн
50+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.02 грн
10+128.50 грн
100+105.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GonsemiDescription: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.44 грн
50+93.96 грн
100+84.62 грн
500+64.04 грн
1000+59.10 грн
2000+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO220AB
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Collector-emitter voltage: 120V
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.39 грн
10+111.37 грн
11+90.69 грн
29+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.17 грн
10+113.29 грн
100+84.00 грн
500+67.66 грн
700+62.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+136.88 грн
250+122.32 грн
500+94.94 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030onsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030
Код товару: 196969
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT
у наявності 66 шт:
36 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030MulticompTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+98.77 грн
145+85.40 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030CDILNPN 8A 150V 50W 30MHz MJE15030 TMJE15030
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15030 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.31 грн
10+156.77 грн
100+121.65 грн
500+85.12 грн
1000+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 36906
Додати до обраних Обраний товар

IscsemiТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
1+27.50 грн
10+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030G
Код товару: 154352
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+67.59 грн
100+60.39 грн
500+53.05 грн
700+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.65 грн
10+76.70 грн
100+69.86 грн
500+59.18 грн
700+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.31 грн
10+93.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+166.20 грн
12+72.82 грн
100+65.45 грн
500+54.57 грн
1000+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+71.81 грн
190+65.40 грн
500+57.46 грн
700+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030G
Код товару: 180441
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+103.14 грн
250+86.62 грн
500+76.95 грн
1000+67.59 грн
2500+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GonsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.35 грн
50+70.02 грн
100+62.74 грн
500+46.88 грн
1000+43.03 грн
2000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.09 грн
10+74.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+63.08 грн
220+56.37 грн
500+49.52 грн
700+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.70 грн
10+65.16 грн
100+48.95 грн
500+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030MJE15031
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031CDILTranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031CDILTranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15031 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.73 грн
10+172.19 грн
100+133.64 грн
500+93.07 грн
1000+64.55 грн
5000+57.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 5.0Vebo 8.0A 2.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+180.78 грн
10+90.28 грн
100+70.18 грн
500+51.62 грн
700+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON-SemicoductorBipolar Transistor PNP 150V 8A 50W MJE15031G TO220 ONS TMJE15031 ons
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031G
Код товару: 180445
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 70MHz
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.08 грн
10+65.23 грн
50+64.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+90.09 грн
250+59.41 грн
500+58.05 грн
1000+54.39 грн
2500+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15031G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.34 грн
10+98.52 грн
100+76.16 грн
500+56.80 грн
1000+47.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+82.00 грн
194+64.02 грн
500+49.34 грн
700+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 70MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.90 грн
10+81.29 грн
50+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031G
Код товару: 45656
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
на замовлення 8227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.26 грн
10+77.02 грн
100+51.32 грн
500+43.83 грн
700+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+84.13 грн
190+65.40 грн
500+49.89 грн
700+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 4402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.17 грн
50+70.39 грн
100+63.06 грн
500+47.13 грн
1000+43.26 грн
2000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+87.85 грн
100+68.59 грн
500+52.86 грн
700+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032onsemiDescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032 MJE15033ONTO220 10+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032CEVVODescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.44 грн
10+98.64 грн
100+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.05 грн
11+78.04 грн
100+68.36 грн
500+55.29 грн
1000+47.14 грн
5000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+116.37 грн
250+90.39 грн
500+75.19 грн
1000+62.10 грн
2500+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.04 грн
10+71.37 грн
50+65.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.26 грн
10+73.16 грн
100+51.55 грн
500+44.83 грн
700+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+183.49 грн
10+81.86 грн
100+71.82 грн
500+58.81 грн
700+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 23379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.70 грн
50+69.30 грн
100+62.08 грн
500+46.38 грн
1000+42.55 грн
2000+39.34 грн
5000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+76.13 грн
186+66.79 грн
500+56.71 грн
700+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+123.36 грн
10+57.28 грн
50+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28060
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250 V
Ucbo,V: 250 V
Ic,A: 8 А
h21: 70
Монтаж: THT
у наявності 75 шт:
57 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+26.50 грн
10+23.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GMJE15033G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032MJE15033
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033onsemiDescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033CEVVODescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.09 грн
10+99.28 грн
100+67.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+90.51 грн
12+62.63 грн
100+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+65.24 грн
250+59.80 грн
500+58.92 грн
1000+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 50
Power dissipation: 50W
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.46 грн
10+120.94 грн
12+94.50 грн
33+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+84.47 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.48 грн
10+64.46 грн
100+50.71 грн
500+42.84 грн
700+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033G
Код товару: 27993
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 250 V
Uкб, В: 250 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 70
у наявності 5 шт:
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується 100 шт:
100 шт - очікується
1+30.00 грн
10+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+70.87 грн
100+65.37 грн
500+47.84 грн
700+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 350142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.70 грн
50+69.34 грн
100+62.12 грн
500+46.40 грн
1000+42.58 грн
2000+39.36 грн
5000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.10 грн
10+78.50 грн
100+71.35 грн
500+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 50
Power dissipation: 50W
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+136.21 грн
10+97.05 грн
12+78.75 грн
33+73.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15033G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.48 грн
12+75.65 грн
100+67.85 грн
500+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 348350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+46.70 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON-SemicoductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MJE15033G ONS TMJE15033 ons
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+72.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+66.14 грн
203+61.01 грн
500+44.65 грн
700+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034onsemiDescription: TRANS NPN 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034(транзистор)
Код товару: 67257
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 350V
Power dissipation: 50W
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.37 грн
5+82.73 грн
10+72.39 грн
18+53.30 грн
49+50.91 грн
100+49.32 грн
250+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.49 грн
12+72.39 грн
100+64.42 грн
500+52.10 грн
1000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+156.78 грн
90+137.80 грн
157+79.22 грн
200+63.58 грн
400+57.69 грн
800+52.76 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
на замовлення 4389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.53 грн
10+65.34 грн
100+50.56 грн
500+44.06 грн
800+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.52 грн
50+69.70 грн
100+62.42 грн
500+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+71.21 грн
100+69.45 грн
500+57.95 грн
800+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 350V
Power dissipation: 50W
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.84 грн
5+103.10 грн
10+86.87 грн
18+63.96 грн
49+61.09 грн
100+59.18 грн
250+58.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034G(транзистор)
Код товару: 61129
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034MJE15035
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035
Код товару: 67258
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 350 V
Uкб, В: 350 V
Iк, А: 4 A
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035onsemiDescription: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+64.18 грн
100+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+116.68 грн
250+105.01 грн
500+78.79 грн
1000+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+70.49 грн
185+67.11 грн
250+63.69 грн
500+53.04 грн
800+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.92 грн
10+78.51 грн
100+58.19 грн
500+46.74 грн
800+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 350V
Power dissipation: 50W
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.64 грн
10+75.57 грн
17+56.48 грн
46+53.30 грн
250+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 350V
Power dissipation: 50W
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.37 грн
10+94.17 грн
17+67.78 грн
46+63.96 грн
250+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.66 грн
50+74.26 грн
100+68.17 грн
250+62.12 грн
500+53.63 грн
800+48.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+168.77 грн
10+87.38 грн
100+73.08 грн
500+58.47 грн
1000+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.48 грн
50+72.14 грн
100+64.63 грн
500+48.31 грн
1000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G(транзистор)
Код товару: 61130
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16002
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16002Harris CorporationDescription: TRANS NPN 6V 5A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 9182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16002HARRISMJE16002
на замовлення 9182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+125.84 грн
500+112.43 грн
1000+104.18 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16004onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 103800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16004ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 103800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+68.13 грн
505+61.31 грн
1000+56.55 грн
10000+48.62 грн
100000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16004ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE16004 - 5-A SWITCH MAX II POWER TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 103800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170onsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170ON09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.09 грн
13+67.51 грн
100+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 10573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.65 грн
10+49.96 грн
100+34.56 грн
500+25.91 грн
1000+23.77 грн
2000+21.95 грн
5000+19.63 грн
10000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G
Код товару: 161611
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON Semiconductor
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
868+35.69 грн
1000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 868
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.68 грн
10+62.18 грн
100+35.66 грн
500+28.26 грн
1000+21.92 грн
3000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
868+35.69 грн
1000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 868
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170S
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170STUonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171onsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.00 грн
10+69.21 грн
100+45.93 грн
500+33.74 грн
1000+30.73 грн
2000+28.20 грн
5000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+39.38 грн
1000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.37 грн
10+70.26 грн
100+41.24 грн
500+31.16 грн
1000+27.26 грн
3000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.33 грн
11+68.88 грн
100+48.33 грн
500+36.94 грн
1000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: -3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.38 грн
15+61.00 грн
100+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+64.29 грн
275+45.11 грн
500+35.75 грн
1000+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+92.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171STUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Power Sw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172onsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172/80Vdc3A/TO-220ON09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+47.19 грн
18+39.59 грн
100+31.79 грн
500+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.24 грн
15+57.14 грн
100+38.55 грн
500+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+27.53 грн
1000+26.30 грн
2500+25.70 грн
5000+24.20 грн
7500+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.74 грн
10+52.10 грн
100+34.27 грн
500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.01 грн
12+61.44 грн
100+39.94 грн
500+27.14 грн
1000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.99 грн
10+53.57 грн
100+31.23 грн
500+22.07 грн
1000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 282
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.27 грн
10+49.86 грн
100+31.41 грн
250+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+69.39 грн
10+40.01 грн
100+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+57.34 грн
333+37.28 грн
500+26.27 грн
1000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172G
Код товару: 86262
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172MJE182
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STU
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172STU - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -80V, TO126-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 40V 3A TO225AA
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180MICROSS/On SemiconductorDescription: DIE TRANS NPN 40V SMALL SIGNAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180ON0305
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.48 грн
50+109.71 грн
100+98.88 грн
500+74.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.74 грн
10+109.78 грн
100+84.77 грн
500+75.53 грн
1000+73.54 грн
2500+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 7.0Vebo 3.0A 1.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+31.88 грн
1053+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 971
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+31.88 грн
1053+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 971
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
841+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 841
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002D2NXPDescription: NXP - MJE18002D2 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
781+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 781
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002D2MotorolaDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 400mA, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 533
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002D2MotorolaMJE18002D2
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+50.28 грн
1000+46.37 грн
10000+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 616
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+70.85 грн
500+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+70.85 грн
500+63.77 грн
1000+58.80 грн
10000+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+70.85 грн
500+63.77 грн
1000+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002G - MJE18002G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+70.85 грн
500+63.77 грн
1000+58.80 грн
10000+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 65841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 420
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004D2onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004D2GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.65 грн
50+71.77 грн
100+64.31 грн
500+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.20 грн
11+84.47 грн
100+75.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON-SemicoductorNPN 5A 1000V 75W MJE18004G TMJE18004
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.12 грн
10+77.81 грн
100+60.33 грн
500+48.11 грн
1000+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006onsemiBipolar Transistors - BJT 6A 450V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006
Код товару: 77960
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 6 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006onsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+117.59 грн
500+105.21 грн
1000+97.25 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006G
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+117.59 грн
500+105.21 грн
1000+97.25 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 450V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18006G - MJE18006G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+84.38 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+117.59 грн
500+105.21 грн
1000+97.25 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+76.71 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008
Код товару: 77961
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 13 MHz
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 8 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+13.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008onsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.83 грн
50+109.92 грн
100+99.21 грн
500+75.48 грн
1000+69.82 грн
2000+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+172.13 грн
250+160.58 грн
500+129.39 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+144.88 грн
50+109.33 грн
100+103.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+132.36 грн
100+124.90 грн
250+121.80 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.45 грн
10+121.65 грн
100+109.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.21 грн
10+109.78 грн
100+82.48 грн
500+75.53 грн
800+73.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+135.22 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON-SemicoductorNPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+123.71 грн
107+116.73 грн
250+113.85 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1800B
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.26 грн
10+68.41 грн
100+45.74 грн
500+34.82 грн
1000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+50.02 грн
500+46.20 грн
1000+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.91 грн
10+75.57 грн
100+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G
Код товару: 161612
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GOn SemiconductorNPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3)
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.66 грн
12+73.85 грн
100+55.17 грн
500+40.17 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180PWDonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180PWDonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 11280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1123+27.57 грн
10000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 1123
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.70 грн
10+35.83 грн
100+28.03 грн
1000+23.37 грн
1920+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1123+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 1123
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+39.53 грн
358+34.57 грн
500+26.66 грн
1000+24.28 грн
1920+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1092+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 1092
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1123+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 1123
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 1920
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1123+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 1123
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.94 грн
11+69.36 грн
25+42.36 грн
100+35.72 грн
500+25.50 грн
1000+23.13 грн
1920+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.22 грн
60+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1123+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 1123
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 5159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1123+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 1123
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181onsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.25 грн
10+52.34 грн
100+31.54 грн
500+23.44 грн
1000+19.86 грн
3000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+30.15 грн
25+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.91 грн
10+51.79 грн
100+34.02 грн
500+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+29.29 грн
1000+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE181STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.83 грн
10+45.82 грн
100+29.87 грн
500+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1360+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 1360
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182onsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
на замовлення 7552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
950+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 950
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power Sw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182ON09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182 - MJE182, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18204ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18204 - TRANSISTOR, NPN TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18204onsemiDescription: TRANS NPN 600V 5A TO-220FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.25V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 35 W
на замовлення 40346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 465
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18204ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 600V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 17309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+64.03 грн
537+57.63 грн
1000+53.15 грн
10000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 484
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18206onsemiDescription: TRANS NPN 600V 8A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 11725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18206ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 600V 8A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 11725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1140+27.15 грн
10000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 1140
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18206ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18206 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+60.32 грн
338+36.72 грн
500+28.23 грн
1000+23.78 грн
2000+19.54 грн
5000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GON-SemicoductorNPN 3A 80V 12.5W 50MHz MJE182 TO126 TMJE182
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G
Код товару: 62118
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.88 грн
10+57.08 грн
100+32.23 грн
500+22.60 грн
1000+19.70 грн
3000+19.32 грн
6000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+27.82 грн
1000+25.98 грн
2500+25.21 грн
5000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.67 грн
14+63.48 грн
100+40.26 грн
500+25.77 грн
1000+20.71 грн
5000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.17 грн
10+57.20 грн
100+37.71 грн
500+27.53 грн
1000+24.99 грн
2000+22.86 грн
5000+20.22 грн
10000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.79 грн
11+64.63 грн
100+39.34 грн
500+29.16 грн
1000+23.59 грн
2000+20.10 грн
5000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182STU - TRANSISTOR, NPN, 80V, 50MHZ, TO-126
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.01 грн
23+30.95 грн
26+28.15 грн
100+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 10557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.35 грн
10000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 329042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 6816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 326780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.35 грн
10000+18.15 грн
100000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 28720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.35 грн
10000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 36881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.35 грн
10000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE20
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS NPN 40V 5A TO225AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200-T
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.70 грн
10+55.53 грн
100+36.69 грн
500+26.83 грн
1000+24.38 грн
2000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+30.83 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GON08+ DIP-8
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.80 грн
13+65.96 грн
100+43.61 грн
500+31.82 грн
1000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.22 грн
10+61.65 грн
100+37.11 грн
500+27.87 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200NLIGHTNING08+ TO126
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 43413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 2037
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE200STU - MJE200STU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 64533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 1920
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 21120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 2037
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STU
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 99932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 1665
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 96092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 2037
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200TS
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200TSTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200TSTUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210onsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 25V 5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210ON05+06+
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210-STU
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.95 грн
10+63.93 грн
100+37.04 грн
500+29.40 грн
1000+23.98 грн
6000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 143096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
904+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 904
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.56 грн
14+62.54 грн
100+42.66 грн
500+32.06 грн
1000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210NLIGHTNINGTO126 08+
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 58305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1810+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 1810
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 58888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 1920
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STU
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 4256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210TG - MJE210TG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2360T
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243 - TRANS NPN 100V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO225AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243
Код товару: 41963
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+47.24 грн
344+35.99 грн
500+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+82.01 грн
14+51.13 грн
25+50.61 грн
100+37.21 грн
250+34.43 грн
500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+21.97 грн
605+20.46 грн
656+18.20 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 564
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.24 грн
16+55.94 грн
100+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.22 грн
14+54.12 грн
25+53.59 грн
100+39.14 грн
250+36.22 грн
500+27.32 грн
1000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.39 грн
10+53.38 грн
100+35.12 грн
500+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON-SemicoductorNPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+49.96 грн
251+49.47 грн
331+36.11 грн
500+26.27 грн
1000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.28 грн
10+53.22 грн
100+31.39 грн
500+24.90 грн
1000+21.76 грн
5000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+43.56 грн
1000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GONSEMIMJE243G NPN THT transistors
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.71 грн
36+31.88 грн
98+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+26.34 грн
30+23.77 грн
31+23.53 грн
100+21.15 грн
250+19.58 грн
500+17.33 грн
1000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243MJE253
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253
Код товару: 41964
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253ONSEMI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+27.89 грн
1000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 10100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.39 грн
10+53.38 грн
100+35.12 грн
500+25.61 грн
1000+23.25 грн
2000+21.25 грн
5000+18.78 грн
10000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GONSEMIMJE253G PNP THT transistors
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.59 грн
35+32.84 грн
95+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+25.75 грн
1000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
на замовлення 9447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.77 грн
10+54.54 грн
100+32.15 грн
500+23.22 грн
1000+20.85 грн
5000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.52 грн
16+56.03 грн
100+39.15 грн
500+28.40 грн
1000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.74 грн
100+24.90 грн
500+21.31 грн
1000+18.63 грн
2500+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.48 грн
10+59.26 грн
100+39.03 грн
500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+39.31 грн
409+30.29 грн
500+24.86 грн
1000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GONSEMIMJE270G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.20 грн
36+31.88 грн
98+30.17 грн
5000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE270G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 2 A, 15 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 6MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 15W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.32 грн
100+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+61.42 грн
17+42.12 грн
100+32.46 грн
500+25.69 грн
1000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGON Semiconductor2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGonsemiDarlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.30 грн
50+44.15 грн
100+39.23 грн
500+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271
на замовлення 14408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE271G - MJE271G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GON Semiconductor
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT LEADED POWER TRANSIS GEN PUR T0-220
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.05 грн
10+274.88 грн
25+226.05 грн
100+196.26 грн
500+166.48 грн
1000+137.46 грн
2500+132.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorPower Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 10A 75W 60Vcbo 60Vceo 3.0A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955
Код товару: 24030
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 2 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 70 V
Iк, А: 10 А
h21,max: 100
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+9.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955FSC09+ TSSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955/3055ST08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955ET4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 90W
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 70V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.95 грн
10+51.39 грн
25+45.10 грн
50+41.05 грн
100+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+63.08 грн
222+56.00 грн
500+43.87 грн
1000+38.13 грн
2000+32.44 грн
5000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTPNP 10A 60V 75W MJE2955T TMJE2955t
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.95 грн
10+59.46 грн
100+46.20 грн
500+36.27 грн
1000+32.84 грн
2000+30.70 грн
5000+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 38868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.35 грн
11+68.75 грн
100+61.10 грн
500+46.24 грн
1000+35.77 грн
2000+31.72 грн
5000+28.61 грн
10000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 90W
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 70V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.94 грн
10+64.04 грн
25+54.13 грн
50+49.26 грн
100+45.06 грн
200+41.24 грн
500+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE2955T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.36 грн
14+64.85 грн
100+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955T
Код товару: 57977
Додати до обраних Обраний товар

STТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 2 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 70 V
Iк, А: 10 А
у наявності 16 шт:
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 38847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+63.93 грн
218+56.82 грн
500+44.59 грн
1000+35.93 грн
2000+30.73 грн
5000+26.60 грн
10000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.28 грн
11+67.58 грн
100+60.00 грн
500+45.32 грн
1000+37.83 грн
2000+33.37 грн
5000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.30 грн
50+53.97 грн
100+48.15 грн
500+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.55 грн
10+57.17 грн
100+40.47 грн
500+31.69 грн
1000+30.39 грн
2900+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.09 грн
14+62.20 грн
100+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.14 грн
12+62.38 грн
100+52.03 грн
500+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+43.85 грн
500+40.50 грн
1000+39.89 грн
2500+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 283
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 125W
Current gain: 20...100
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON Semiconductor
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+58.22 грн
255+48.56 грн
500+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.61 грн
15+47.99 грн
100+43.44 грн
500+36.61 грн
1000+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TMJE3055T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUFairchildPNP 60V 10A 0.6W 2MHz MJE2955TTU Fairchild TMJE2955t FAI
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTU-ONonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTU_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055STM
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055/2955T
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.96 грн
2000+35.50 грн
5000+35.02 грн
10000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.11 грн
11+68.66 грн
100+61.52 грн
500+45.74 грн
1000+30.83 грн
2000+29.30 грн
5000+29.02 грн
10000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055T
Код товару: 190953
Додати до обраних Обраний товар

JSMICROТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
Монтаж: THT
у наявності 103 шт:
70 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.41 грн
10+59.72 грн
100+46.36 грн
500+36.50 грн
1000+29.63 грн
2000+28.49 грн
5000+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.76 грн
10+139.64 грн
100+100.23 грн
500+64.99 грн
1000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 70; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.49 грн
2000+33.13 грн
5000+32.68 грн
10000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.78 грн
13+66.22 грн
100+59.20 грн
500+43.27 грн
1000+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+64.29 грн
215+57.60 грн
500+44.41 грн
1000+31.18 грн
2000+28.58 грн
5000+27.17 грн
10000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.30 грн
50+53.93 грн
100+48.12 грн
500+35.57 грн
1000+32.49 грн
2000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055T (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 26410
Додати до обраних Обраний товар

STТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 А
h21: 100
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.40 грн
100+14.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.24 грн
16+53.80 грн
100+47.20 грн
500+33.73 грн
1000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+34.59 грн
100+32.55 грн
500+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON Semiconductor
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 49207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.44 грн
50+46.52 грн
100+41.41 грн
500+30.43 грн
1000+27.71 грн
2000+25.43 грн
5000+22.58 грн
10000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+32.29 грн
408+30.38 грн
500+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.00 грн
10+47.51 грн
100+38.11 грн
500+28.49 грн
1000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+62.56 грн
500+41.75 грн
1000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+90.77 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TL
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+67.73 грн
13+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 26178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.59 грн
10000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.24 грн
21+41.12 грн
100+36.24 грн
500+26.01 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsТранзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V; Icutoff-max = 100 мкА; Р, Вт = 20 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.17 грн
50+33.52 грн
100+29.69 грн
500+21.53 грн
1000+19.49 грн
2000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.29 грн
10000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340
Код товару: 174065
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
у наявності 28 шт:
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
2+13.50 грн
10+12.20 грн
100+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Case: SOT32
Mounting: THT
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20.8W
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62.54 грн
12+33.73 грн
25+29.43 грн
50+26.65 грн
100+24.10 грн
500+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340CDILNPN 500mA 300V 21W MJE340 CDIL TMJE340
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Single Transistor, NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.10 грн
13+71.10 грн
100+50.80 грн
500+33.01 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.25 грн
10+37.15 грн
100+28.49 грн
500+22.07 грн
1000+19.93 грн
2000+18.18 грн
4000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 44350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+44.90 грн
22+32.82 грн
100+29.94 грн
500+24.21 грн
1000+18.97 грн
2500+16.69 грн
10000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Case: SOT32
Mounting: THT
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20.8W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.05 грн
10+42.03 грн
25+35.32 грн
50+31.98 грн
100+28.92 грн
500+23.01 грн
1000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 260V 0.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.65 грн
10+59.03 грн
100+39.12 грн
500+28.68 грн
1000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 44340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+30.52 грн
445+27.84 грн
531+23.34 грн
1000+19.05 грн
2500+16.16 грн
10000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 406
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (Hottech)
Код товару: 189369
Додати до обраних Обраний товар

HottechТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+10.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 128645
Додати до обраних Обраний товар

CDILТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+7.00 грн
100+6.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 29960
Додати до обраних Обраний товар

STMТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
у наявності 200 шт:
180 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 3.0Vebo 500mA 20.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340/350
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO225
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Current gain: 30...240
Collector-emitter voltage: 300V
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+47.12 грн
14+29.04 грн
100+20.21 грн
200+18.38 грн
250+17.82 грн
500+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON-SemicoductorNPN 500mA 300V 20W MJE340G ONS TMJE340 ONS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+27.23 грн
1000+23.00 грн
2500+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.26 грн
31+22.89 грн
100+20.41 грн
500+17.86 грн
1000+15.18 грн
3000+13.99 грн
6000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO225
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Current gain: 30...240
Collector-emitter voltage: 300V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.54 грн
10+36.18 грн
100+24.25 грн
200+22.05 грн
250+21.38 грн
500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 264132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+30.07 грн
513+24.17 грн
607+20.41 грн
1000+17.10 грн
3000+14.85 грн
6000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 412
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON-SemicoductorNPN 500mA 300V 20W MJE340G ONS TMJE340 ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+42.30 грн
21+33.94 грн
100+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
на замовлення 12590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.30 грн
10+39.61 грн
100+23.75 грн
500+18.56 грн
1000+15.73 грн
3000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 14243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.39 грн
10+41.92 грн
100+27.33 грн
500+19.75 грн
1000+17.85 грн
2000+16.25 грн
5000+14.28 грн
10000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 78989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 264143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+39.82 грн
22+32.34 грн
100+25.99 грн
500+21.16 грн
1000+17.03 грн
3000+15.33 грн
6000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.28 грн
20+44.72 грн
100+30.93 грн
500+22.19 грн
1000+17.33 грн
5000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340G
Код товару: 112487
Додати до обраних Обраний товар

STMТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU; MJE340G JSMICRO TMJE340 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
813+15.23 грн
6000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 813
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340G/MJE350GONTO-225 10+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340MJE350FSCST
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3439 - TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439onsemiDescription: TRANS PWR NPN .3A 350V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.3A 350V 15W NPN
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON Semiconductor
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+46.82 грн
17+42.01 грн
100+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344STTO-126
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 200V 500MA TO225AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3440STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3440STTO-126
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3440Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+44.55 грн
18+39.40 грн
100+31.96 грн
500+25.89 грн
1000+19.42 грн
2500+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GonsemiDescription: TRANS NPN 200V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+51.36 грн
16+44.36 грн
100+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON Semiconductor
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.95 грн
12+71.70 грн
100+51.23 грн
500+33.25 грн
1000+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 711 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.13 грн
6+58.09 грн
10+47.44 грн
50+31.98 грн
100+27.49 грн
500+21.00 грн
1000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.48 грн
50+34.89 грн
100+30.92 грн
500+22.46 грн
1000+20.34 грн
2000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350
Код товару: 34450
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronics NVPNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 (компл. MJE340)
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 83501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+49.57 грн
22+33.60 грн
100+30.72 грн
500+24.55 грн
1000+18.94 грн
2500+17.16 грн
10000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.09 грн
10+38.64 грн
100+29.78 грн
500+23.06 грн
1000+20.85 грн
2000+17.18 грн
4000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 39641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.52 грн
20+42.92 грн
100+38.12 грн
500+27.36 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STPNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 83480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
397+31.25 грн
434+28.57 грн
523+23.68 грн
1000+19.02 грн
2500+16.63 грн
10000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 397
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.11 грн
9+46.62 грн
11+39.54 грн
50+26.65 грн
100+22.91 грн
500+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 260V 0.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.65 грн
10+59.03 грн
100+39.12 грн
500+28.68 грн
1000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 9091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350 = KSE350STU
Код товару: 30696
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-127
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON-SemicoductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+28.62 грн
437+28.33 грн
500+28.06 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
на замовлення 13194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.62 грн
10+46.99 грн
100+30.17 грн
500+24.36 грн
1000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.38 грн
15+58.00 грн
100+41.55 грн
500+29.75 грн
1000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorТранзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+26.41 грн
100+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.96 грн
10+51.87 грн
100+37.23 грн
200+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.65 грн
10+58.55 грн
100+38.76 грн
500+28.40 грн
1000+25.84 грн
2000+23.68 грн
5000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GJSMicro SemiconductorTransistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+30.31 грн
1000+29.50 грн
2500+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G
Код товару: 112488
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 13160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.35 грн
10+64.63 грн
100+44.67 грн
200+40.57 грн
500+36.08 грн
1000+33.03 грн
2500+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+30.78 грн
100+30.47 грн
500+29.09 грн
1000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350MJE340
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STUonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350 /MJE340ON09+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371onsemiDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE371 - TRANS PNP 40V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371ON09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP GP
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.95 грн
10+151.93 грн
25+125.24 грн
100+106.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371(транзистор)
Код товару: 92550
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+67.10 грн
238+52.02 грн
500+43.79 грн
1000+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.18 грн
10+71.90 грн
100+61.54 грн
500+45.24 грн
1000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 40V 40W PNP
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.55 грн
10+68.24 грн
100+53.38 грн
500+39.10 грн
1000+32.61 грн
5000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.65 грн
10+61.49 грн
500+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371G
Код товару: 131917
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3O55T
на замовлення 8658 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343onsemiDescription: TRANS NPN 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.17 грн
10+313.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+238.26 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 16A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE4353 - TRANSISTOR, PNP TO-218
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353onsemiDescription: TRANS PNP 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353GonsemiDescription: TRANS PNP 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353G
Код товару: 106227
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5050
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 3A TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 3A TO-126
Packaging: Tube
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.50 грн
10+73.68 грн
100+42.46 грн
500+33.53 грн
1000+30.24 грн
2500+27.72 грн
5000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521ON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521(транзистор)
Код товару: 92551
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE521G - MJE521G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730onsemiDescription: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.73 грн
10+67.18 грн
100+50.78 грн
500+42.92 грн
1000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.49 грн
13+66.05 грн
100+58.34 грн
500+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.61 грн
50+60.81 грн
100+55.02 грн
500+41.92 грн
1000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730G
Код товару: 171586
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 1A; 40W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Collector current: 1A
Current gain: 30...150
Power dissipation: 40W
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 10MHz
Case: TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GON05+06+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731onsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731A
Код товару: 151453
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.50 грн
10+92.52 грн
100+54.31 грн
500+46.70 грн
1000+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+65.30 грн
221+56.23 грн
250+52.42 грн
500+49.18 грн
1000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.30 грн
50+62.88 грн
100+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+131.70 грн
161+77.17 грн
200+76.71 грн
400+70.40 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+69.71 грн
100+60.03 грн
250+55.96 грн
500+52.51 грн
1000+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.21 грн
10+64.11 грн
100+43.38 грн
500+40.55 грн
1000+34.21 грн
5000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+56.16 грн
500+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+93.85 грн
168+73.68 грн
200+73.31 грн
400+66.17 грн
800+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.93 грн
10+59.54 грн
100+42.08 грн
500+36.35 грн
1000+33.53 грн
3000+33.45 грн
5000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.22 грн
18+48.57 грн
100+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+46.54 грн
276+44.98 грн
500+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.26 грн
50+65.26 грн
100+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740onsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740GonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740GonsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar Power NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5741
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742onsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742onsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+93.78 грн
100+85.08 грн
250+79.20 грн
500+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+87.52 грн
156+79.41 грн
250+73.92 грн
500+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5742G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 400 V, 100 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.33 грн
10+183.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON-SemicoductorNPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+89.57 грн
250+82.17 грн
500+80.99 грн
1000+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.13 грн
50+91.77 грн
100+82.45 грн
500+62.03 грн
1000+57.10 грн
2000+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GONSEMIMJE5742G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.60 грн
12+94.50 грн
33+89.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GonsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar Power NPN
на замовлення 8094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.88 грн
10+73.07 грн
100+57.35 грн
500+51.09 грн
700+48.57 грн
10500+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850ON04+
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850onsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5850 - MJE5850, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851onsemiDescription: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+199.07 грн
500+190.82 грн
1000+179.47 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851G
Код товару: 180290
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852ON09+
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.