Продукція > MJE

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MJE10006G
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE101
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE102
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE103
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE104
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE105MotorolaDescription: TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE105
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1090
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1091
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1092
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1093
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1100
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1123
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE122
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE12955
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 25853
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 500 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
у наявності 699 шт:
578 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
49 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Харків
35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 0.2A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 20V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001S6D
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001S8D
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 2694
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-126
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-92
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002B-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 0.8A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002B-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002B-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002B-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003OTOMOTransistor NPN; 30; 2W; 400V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 OTOMO TMJE13003 OTO
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN 400 Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003onsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co.,LTD.Транзистор биполярный, NPN, 400В, 1,5А, 40Вт, TO-126
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 30; 30W; 400V; 2,3A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 JSMICRO TMJE13003 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003onsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003ON0419
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003 TMJE13003
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 18858
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 1,5 A
товару немає в наявності
1+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003(ST13003)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-1
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-12
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-126
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-2FSC
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-BPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-BP TO-220
Код товару: 115272
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1300320-25AB
на замовлення 30200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003; биполярный; NPN; 300V; 1.5A; 40W; Корпус: TO-126; Fairchild
на замовлення 22 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
22+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003A-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003A-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003A-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003A-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003B-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003B-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003B-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003B-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003D-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003D-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003D-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003D-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003G
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1400mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 34621
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003H22005
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003H22005
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003LUTCNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003L-CUTCNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003T
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003T2
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003TO-126
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004HARRISMJE13004
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004Harris CorporationDescription: TRANS NPN 300V 4A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 6320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004 LEDFREEDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Fast SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005
Код товару: 15180
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 4 А
товару немає в наявності
1+12.00 грн
10+8.00 грн
100+6.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005onsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 30; 65W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 JSMICRO TMJE13005 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE13005 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.86 грн
10+189.82 грн
100+135.35 грн
500+81.23 грн
1000+53.34 грн
5000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005ON SEMICONDUCTORnpn 400/700V 3A 60W TO-220
на замовлення 163 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005MulticompTrans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005OTOMOTransistor NPN; 30; 2W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 OTOMO TMJE13005 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 LEDFREEROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Fast SW
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.79 грн
10+247.04 грн
50+147.87 грн
100+134.63 грн
500+131.69 грн
1000+113.30 грн
2500+106.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 2W; TO220
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 10...60
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO220
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 2W; TO220
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 10...60
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO220
Frequency: 4MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.59 грн
50+150.39 грн
100+136.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 SL PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 SL PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 75W
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.76 грн
10+213.20 грн
50+157.44 грн
100+151.55 грн
250+136.84 грн
500+120.65 грн
1000+106.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 SL TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005(ST13005)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005-1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005-2
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005; биполярный; NPN; 400V; 4A; 75W; TO-220AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+139.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005A
на замовлення 78500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005B
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005F-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 420V 4A ITO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005F1
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005F2
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13006
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13006NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 300V 8A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.33 грн
10+116.48 грн
20+110.35 грн
50+97.81 грн
100+95.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13006G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007On SemiconductorNPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB
на замовлення 22 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007onsemiDescription: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 40; 80W; 400V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 JSMICRO TMJE13007 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+216.77 грн
100+183.99 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007 (MJE13007G) (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 38055
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 14 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 8 А
h21: 40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007 SLCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007(PHE13007)
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-1
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-2
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-BPDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-H4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007A
Код товару: 123836
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 8A ITO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F2
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F2 транзистор
Код товару: 58559
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.17 грн
12+72.38 грн
100+64.21 грн
500+47.51 грн
1000+37.07 грн
5000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+72.32 грн
190+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.02 грн
10+63.30 грн
19+47.13 грн
53+44.52 грн
500+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+112.30 грн
10+64.63 грн
100+57.98 грн
500+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
3+130.46 грн
10+72.42 грн
100+55.84 грн
500+44.51 грн
1000+37.59 грн
2700+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+63.93 грн
209+58.56 грн
500+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+67.15 грн
100+59.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+89.94 грн
11+59.49 грн
100+54.51 грн
500+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 686 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.62 грн
10+78.88 грн
19+56.56 грн
53+53.43 грн
500+51.59 грн
1000+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.68 грн
50+63.67 грн
100+56.92 грн
500+42.30 грн
1000+38.72 грн
2000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+69.60 грн
196+62.44 грн
500+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13008G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009onsemiBipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009OTOMOTransistor NPN; 35; 120W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 OTOMO TMJE13009 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009onsemiDescription: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 40; 100W; 400V; 12A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 JSMICRO TMJE13009 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT TO-220 NPN FASTSW PW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30312
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
h21: 40
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009-1
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009-2
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; NXP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
20+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; 4Mhz; -65°+150°C; ON Semi.(FAIRCHILD)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
25+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009A
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009AR
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009F
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009F (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 104845
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220ISO
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
у наявності 161 шт:
114 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+30.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009GonsemiBipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009G
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 1141
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009H3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009H3(25-32)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009L
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1302
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13070Harris CorporationDescription: TRANS NPN 6V 5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13070
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13071Harris CorporationDescription: TRANS NPN 450V 5A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13071
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13071HARRISMJE13071
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1307DOTOMOTransistor NPN; 40; 2W; 400V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 OTOMO TMJE13007 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1320
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15003ON/MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15004ON/MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028ONSТранзистор біполярний TO220-3 NPN 8A 120V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+56.94 грн
10+48.56 грн
100+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028onsemiDescription: TRANS NPN 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 126210
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+47.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+71.07 грн
100+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GonsemiDescription: TRANS NPN 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.61 грн
50+69.69 грн
100+62.40 грн
500+46.56 грн
1000+42.69 грн
2000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.61 грн
10+68.87 грн
100+54.29 грн
500+43.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+76.54 грн
174+70.35 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15028G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.42 грн
13+67.51 грн
100+61.24 грн
500+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+96.54 грн
250+81.95 грн
500+64.50 грн
1000+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029MulticompTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+126.39 грн
102+120.73 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029onsemiDescription: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029 (транзистори біполярніе PNP)
Код товару: 126212
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+124.78 грн
250+121.60 грн
500+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.69 грн
10+148.55 грн
100+96.56 грн
500+73.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GONSТранзистор біполярний TO220-3 PNP 8A 120V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+85.99 грн
10+73.37 грн
100+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+77.65 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GonsemiDescription: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 6667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.32 грн
50+97.97 грн
100+88.23 грн
500+66.77 грн
1000+61.62 грн
2000+57.29 грн
5000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.12 грн
10+88.83 грн
100+72.69 грн
250+68.49 грн
500+61.80 грн
700+60.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.95 грн
10+101.16 грн
11+87.36 грн
29+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.41 грн
3+143.25 грн
10+121.39 грн
11+104.83 грн
29+99.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030onsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030CDILNPN 8A 150V 50W 30MHz MJE15030 TMJE15030
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030
Код товару: 196969
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT
у наявності 85 шт:
65 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030MulticompTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+97.36 грн
145+84.19 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15030 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.78 грн
10+162.58 грн
100+127.09 грн
500+88.13 грн
1000+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 36906
Додати до обраних Обраний товар

IscsemiТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.50 грн
10+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.86 грн
10+102.18 грн
13+83.68 грн
36+79.09 грн
100+76.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+55.85 грн
500+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030G
Код товару: 154352
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+65.43 грн
200+61.09 грн
500+51.55 грн
700+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.39 грн
13+66.19 грн
100+60.66 грн
500+50.42 грн
1000+43.65 грн
5000+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030G
Код товару: 180441
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GonsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
50+72.59 грн
100+65.03 грн
500+48.60 грн
1000+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+102.89 грн
10+63.25 грн
100+59.06 грн
500+48.05 грн
700+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.60 грн
10+64.98 грн
100+51.79 грн
500+46.35 грн
700+43.41 грн
2800+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+97.38 грн
10+82.00 грн
13+69.74 грн
36+65.90 грн
100+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+84.59 грн
250+60.27 грн
500+59.11 грн
1000+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030MJE15031
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15031 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.60 грн
10+163.41 грн
100+127.09 грн
500+88.89 грн
1000+61.26 грн
5000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031CDILTranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031CDILTranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 5.0Vebo 8.0A 2.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+72.60 грн
100+64.71 грн
250+63.17 грн
500+47.40 грн
700+38.57 грн
5600+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+106.72 грн
143+85.62 грн
160+76.31 грн
250+71.84 грн
500+51.76 грн
700+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 70MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.44 грн
10+121.28 грн
14+81.84 грн
37+77.25 грн
100+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 70MHz
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.70 грн
10+97.32 грн
14+68.20 грн
37+64.37 грн
100+62.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+135.81 грн
10+102.45 грн
50+82.19 грн
100+70.64 грн
250+63.86 грн
500+47.70 грн
700+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031G
Код товару: 180445
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
на замовлення 19133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.78 грн
10+76.74 грн
100+59.00 грн
500+47.67 грн
700+43.63 грн
2800+41.86 грн
5600+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15031G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.38 грн
11+76.75 грн
100+66.02 грн
500+50.19 грн
1000+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+104.90 грн
250+62.39 грн
500+60.17 грн
1000+56.49 грн
2500+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+78.18 грн
176+69.68 грн
250+68.03 грн
500+51.05 грн
700+41.53 грн
5600+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031G
Код товару: 45656
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
50+72.91 грн
100+65.32 грн
500+48.82 грн
1000+44.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON-SemicoductorBipolar Transistor PNP 150V 8A 50W MJE15031G TO220 ONS TMJE15031 ons
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032onsemiDescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032 MJE15033ONTO220 10+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032CEVVODescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.32 грн
10+102.84 грн
100+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Case: TO220AB
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.86 грн
10+78.17 грн
13+68.97 грн
36+65.14 грн
100+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Case: TO220AB
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.83 грн
10+97.41 грн
13+82.76 грн
36+78.17 грн
100+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.08 грн
11+79.97 грн
100+72.46 грн
500+54.95 грн
1000+50.22 грн
5000+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+143.76 грн
10+69.09 грн
50+68.39 грн
100+65.29 грн
250+59.85 грн
500+44.94 грн
700+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
на замовлення 5190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.65 грн
10+72.67 грн
100+58.34 грн
250+56.94 грн
500+47.08 грн
700+42.89 грн
10500+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+74.43 грн
166+73.67 грн
168+72.94 грн
250+69.63 грн
500+50.42 грн
700+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.32 грн
50+78.00 грн
100+69.97 грн
500+52.44 грн
1000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+68.63 грн
250+63.45 грн
500+62.49 грн
1000+59.34 грн
2500+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 178
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28060
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250 V
Ucbo,V: 250 V
Ic,A: 8 А
h21: 70
Монтаж: THT
у наявності 25 шт:
13 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.50 грн
10+23.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GMJE15033G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032MJE15033
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033onsemiDescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033CEVVODescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.32 грн
10+102.84 грн
100+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+73.61 грн
185+66.18 грн
500+49.72 грн
1000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+68.35 грн
100+61.45 грн
500+46.16 грн
1000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.61 грн
10+73.44 грн
100+57.31 грн
500+47.45 грн
700+44.36 грн
2800+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+129.12 грн
10+72.23 грн
100+64.93 грн
500+46.56 грн
1000+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+106.80 грн
250+85.97 грн
500+68.10 грн
1000+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 80682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.75 грн
50+74.96 грн
100+67.22 грн
500+50.30 грн
1000+46.19 грн
2000+42.73 грн
5000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON-SemicoductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MJE15033G ONS TMJE15033 ons
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+69.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 50
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.64 грн
10+82.76 грн
12+75.87 грн
33+71.27 грн
100+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+79.26 грн
900+72.43 грн
1350+67.38 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+123.17 грн
10+68.66 грн
100+61.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033G
Код товару: 27993
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 250 V
Uкб, В: 250 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 70
у наявності 7 шт:
1 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується 50 шт:
50 шт - очікується 03.05.2025
1+30.00 грн
10+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15033G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.17 грн
10+82.53 грн
100+74.85 грн
500+56.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 77900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 50
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.76 грн
10+103.14 грн
12+91.04 грн
33+85.52 грн
100+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034onsemiDescription: TRANS NPN 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034(транзистор)
Код товару: 67257
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+113.06 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+97.38 грн
10+77.40 грн
16+58.24 грн
43+55.18 грн
250+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.60 грн
10+111.41 грн
100+71.30 грн
500+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
на замовлення 8878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.19 грн
10+75.80 грн
100+54.81 грн
500+48.70 грн
800+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+85.17 грн
250+64.11 грн
500+62.10 грн
1000+56.38 грн
2500+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.20 грн
50+70.44 грн
100+63.08 грн
500+47.09 грн
1000+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.86 грн
10+96.45 грн
16+69.89 грн
43+66.21 грн
250+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+99.62 грн
10+98.63 грн
50+76.80 грн
100+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034G(транзистор)
Код товару: 61129
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034MJE15035
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035onsemiDescription: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035
Код товару: 67258
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 350 V
Uкб, В: 350 V
Iк, А: 4 A
товару немає в наявності
1+11.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+94.83 грн
250+83.54 грн
500+65.45 грн
1000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+57.18 грн
100+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.97 грн
10+107.59 грн
12+93.80 грн
32+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.64 грн
10+83.59 грн
100+60.84 грн
500+48.41 грн
800+46.20 грн
2400+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.69 грн
10+89.66 грн
12+78.17 грн
32+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
50+72.91 грн
100+65.32 грн
500+48.82 грн
1000+44.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.93 грн
10+83.35 грн
100+69.98 грн
500+56.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G(транзистор)
Код товару: 61130
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16002
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16002Harris CorporationDescription: TRANS NPN 6V 5A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 9182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16004onsemiDescription: MAX II POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 103800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 533
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16004ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE16004 - 5-A SWITCH MAX II POWER TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 103800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170onsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170ON09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.13 грн
14+60.58 грн
100+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 10573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.81 грн
10+48.13 грн
100+33.29 грн
500+24.96 грн
1000+22.89 грн
2000+21.14 грн
5000+18.91 грн
10000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON Semiconductor
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.77 грн
20+31.51 грн
100+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G
Код товару: 161611
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.02 грн
10+51.95 грн
100+31.93 грн
500+25.53 грн
1000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170S
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170STUonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171onsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.82 грн
10+66.67 грн
100+44.25 грн
500+32.51 грн
1000+29.60 грн
2000+27.16 грн
5000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.55 грн
10+64.13 грн
100+38.40 грн
250+35.53 грн
500+30.97 грн
1000+28.25 грн
3000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.82 грн
1000+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+84.86 грн
11+58.85 грн
100+41.29 грн
500+31.56 грн
1000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: -3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.18 грн
15+58.76 грн
100+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+63.37 грн
275+44.47 грн
500+35.24 грн
1000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+91.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171STUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Power Sw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172onsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172/80Vdc3A/TO-220ON09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+64.68 грн
13+48.85 грн
100+32.18 грн
500+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172G
Код товару: 86262
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+27.77 грн
1000+26.96 грн
2500+26.05 грн
5000+24.37 грн
7500+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.99 грн
16+54.96 грн
100+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.93 грн
10+53.95 грн
100+35.50 грн
500+25.89 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Kind of package: bulk
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.15 грн
10+44.75 грн
38+24.14 грн
102+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+72.16 грн
12+52.42 грн
100+33.18 грн
500+22.06 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.18 грн
10+55.77 грн
38+28.97 грн
102+27.40 грн
2000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 562
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+56.45 грн
342+35.73 грн
500+24.64 грн
1000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 217
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.77 грн
10+56.09 грн
100+33.47 грн
500+27.81 грн
1000+23.10 грн
3000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172MJE182
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STU
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172STU - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -80V, TO126-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 40V 3A TO225AA
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180ON0305
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180MICROSS/On SemiconductorDescription: DIE TRANS NPN 40V SMALL SIGNAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.65 грн
10+136.21 грн
100+94.17 грн
250+86.81 грн
500+78.72 грн
1000+67.90 грн
2000+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.03 грн
50+105.69 грн
100+95.26 грн
500+72.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 7.0Vebo 3.0A 1.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002D2NXPDescription: NXP - MJE18002D2 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
781+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 781
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002D2MotorolaDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 400mA, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 533
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002G - MJE18002G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 65841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 513
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004D2onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004D2GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+55.35 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.55 грн
50+75.28 грн
100+67.45 грн
500+50.41 грн
1000+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.49 грн
12+73.12 грн
100+57.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.55 грн
50+45.06 грн
100+42.43 грн
500+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON-SemicoductorNPN 5A 1000V 75W MJE18004G TMJE18004
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.03 грн
10+74.62 грн
100+50.91 грн
500+44.95 грн
1000+43.41 грн
5000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006onsemiBipolar Transistors - BJT 6A 450V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006onsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006
Код товару: 77960
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 6 А
Монтаж: THT
у наявності 2 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+89.05 грн
500+85.25 грн
1000+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+89.05 грн
500+85.25 грн
1000+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 450V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006G
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+89.05 грн
500+85.25 грн
1000+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+73.90 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18006G - MJE18006G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+81.29 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008
Код товару: 77961
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 13 MHz
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 8 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+16.50 грн
10+13.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008onsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.33 грн
50+115.29 грн
100+104.06 грн
500+79.17 грн
1000+73.23 грн
2000+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+108.13 грн
250+99.52 грн
500+98.57 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.16 грн
10+126.91 грн
100+93.43 грн
250+91.22 грн
500+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.47 грн
10+69.04 грн
100+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON-SemicoductorNPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.35 грн
10+124.62 грн
100+104.81 грн
500+82.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+179.26 грн
10+103.02 грн
100+94.58 грн
500+76.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1800B
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G
Код товару: 161612
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.89 грн
14+60.82 грн
100+46.96 грн
500+34.41 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+66.57 грн
259+47.12 грн
500+37.15 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GOn SemiconductorNPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3)
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.37 грн
10+72.80 грн
100+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+85.94 грн
10+61.81 грн
100+43.75 грн
500+33.26 грн
1000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.87 грн
10+60.24 грн
100+40.39 грн
500+31.93 грн
1000+30.02 грн
3000+27.51 грн
6000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+42.85 грн
500+39.33 грн
1000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180PWDonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180PWDonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.70 грн
10+34.52 грн
100+27.00 грн
1000+22.51 грн
1920+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 1920
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1092+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 1092
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 1920
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 1920
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUAptina ImagingTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.95 грн
60+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181onsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+28.88 грн
1000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.74 грн
10+52.34 грн
100+34.39 грн
500+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GONSEMIMJE181G NPN THT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.24 грн
10+51.02 грн
100+33.25 грн
500+23.91 грн
1000+22.36 грн
3000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.76 грн
25+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.01 грн
10+44.14 грн
100+28.78 грн
500+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE181STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1360+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 1360
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power Sw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182onsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
на замовлення 7552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
950+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 950
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182 - MJE182, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182ON09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18204ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 600V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 40346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 484
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18204ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18204 - TRANSISTOR, NPN TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18204onsemiDescription: TRANS NPN 600V 5A TO-220FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.25V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 35 W
на замовлення 40346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 465
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18206ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18206 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18206onsemiDescription: TRANS NPN 600V 8A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 11725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18206ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 600V 8A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 11725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
947+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 947
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Kind of package: bulk
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.47 грн
10+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GON-SemicoductorNPN 3A 80V 12.5W 50MHz MJE182 TO126 TMJE182
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN
на замовлення 5242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.12 грн
10+60.66 грн
100+34.06 грн
500+24.79 грн
1000+20.75 грн
3000+20.23 грн
6000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.36 грн
10+48.04 грн
49+22.25 грн
133+21.06 грн
5000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G
Код товару: 62118
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.35 грн
14+61.48 грн
100+38.95 грн
500+27.13 грн
1000+21.15 грн
5000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.72 грн
10+55.10 грн
100+36.33 грн
500+26.52 грн
1000+24.08 грн
2000+22.02 грн
5000+19.48 грн
10000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+26.08 грн
1000+25.33 грн
2500+25.21 грн
5000+24.19 грн
7500+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 10557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182STU - TRANSISTOR, NPN, 80V, 50MHZ, TO-126
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 329042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 326780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 28720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 6816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 36881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
MJE20
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS NPN 40V 5A TO225AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200-T
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.70 грн
10+57.55 грн
100+38.01 грн
500+27.79 грн
1000+25.25 грн
2000+23.12 грн
5000+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GON08+ DIP-8
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+30.39 грн
1000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.13 грн
14+60.33 грн
100+40.77 грн
500+27.36 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.03 грн
10+59.39 грн
100+35.75 грн
500+26.85 грн
1000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200NLIGHTNING08+ TO126
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 96092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 2037
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 43413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 2037
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE200STU - MJE200STU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 64533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 1920
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STU
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 99932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 1665
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 21120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 2037
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200TS
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200TSTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200TSTUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210onsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 25V 5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210ON05+06+
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210-STU
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.93 грн
14+62.89 грн
100+40.19 грн
500+26.06 грн
1000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 143096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
904+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 904
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.91 грн
10+61.59 грн
100+35.68 грн
500+28.32 грн
1000+23.10 грн
6000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210NLIGHTNINGTO126 08+
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 4256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 58305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1810+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 1810
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 58888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 1920
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STU
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210TG - MJE210TG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2360T
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243
Код товару: 41963
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243 - TRANS NPN 100V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO225AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.67 грн
1000+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+24.48 грн
100+23.36 грн
500+21.11 грн
1000+18.22 грн
2500+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+29.01 грн
425+28.71 грн
430+28.42 грн
500+26.75 грн
1000+22.27 грн
2500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 421
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.99 грн
17+50.34 грн
100+35.40 грн
500+26.98 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON-SemicoductorNPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.93 грн
10+53.95 грн
100+35.50 грн
500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
463+26.36 грн
468+26.09 грн
500+25.47 грн
1000+22.08 грн
2500+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 463
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: bulk
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.55 грн
10+42.15 грн
36+26.13 грн
97+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.90 грн
25+26.63 грн
100+25.42 грн
500+22.97 грн
1000+19.82 грн
2500+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.26 грн
10+52.52 грн
36+31.36 грн
97+29.61 грн
500+29.06 грн
1000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.13 грн
10+50.34 грн
100+30.83 грн
500+25.23 грн
1000+21.19 грн
2500+20.75 грн
5000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243MJE253
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253ONSEMI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253
Код товару: 41964
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.73 грн
18+47.70 грн
100+34.66 грн
500+23.91 грн
1000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 15235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.93 грн
10+53.95 грн
100+35.50 грн
500+25.89 грн
1000+23.49 грн
2000+21.48 грн
5000+18.99 грн
10000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+30.51 грн
1000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.93 грн
10+40.08 грн
35+26.36 грн
94+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.11 грн
10+49.95 грн
35+31.63 грн
94+29.89 грн
500+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
на замовлення 12181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.91 грн
10+47.72 грн
100+30.16 грн
500+22.44 грн
1000+19.50 грн
2500+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.91 грн
10+57.09 грн
100+37.60 грн
500+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 5036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.91 грн
10+56.18 грн
100+33.69 грн
500+28.84 грн
1000+24.57 грн
5000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE270G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 2 A, 15 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 6MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 15W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.76 грн
22+39.20 грн
100+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+38.75 грн
409+29.86 грн
500+24.51 грн
1000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.47 грн
17+35.98 грн
100+27.73 грн
500+21.94 грн
1000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGonsemiDarlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGON Semiconductor2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.70 грн
50+42.53 грн
100+37.79 грн
500+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271
на замовлення 14408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE271G - MJE271G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GON Semiconductor
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT LEADED POWER TRANSIS GEN PUR T0-220
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.69 грн
10+264.81 грн
25+217.76 грн
100+189.07 грн
500+160.38 грн
1000+132.42 грн
2500+127.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 10A 75W 60Vcbo 60Vceo 3.0A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorPower Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955FSC09+ TSSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955
Код товару: 24030
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 2 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 70 V
Iк, А: 10 А
h21,max: 100
товару немає в наявності
1+11.00 грн
10+9.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955/3055ST08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955ET4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955T
Код товару: 57977
Додати до обраних Обраний товар

STТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 2 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 70 V
Iк, А: 10 А
у наявності 27 шт:
6 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+97.71 грн
12+51.95 грн
100+47.02 грн
500+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.96 грн
10+60.35 грн
32+34.30 грн
87+32.37 грн
5000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+55.95 грн
241+50.64 грн
500+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.13 грн
10+48.43 грн
32+28.58 грн
87+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMБиполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+290.50 грн
10+66.89 грн
100+63.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.88 грн
10+57.95 грн
100+45.32 грн
500+36.78 грн
1000+35.24 грн
2000+32.66 грн
5000+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+97.39 грн
12+52.27 грн
100+47.36 грн
500+28.70 грн
5000+22.84 грн
10000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE2955T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.19 грн
15+56.78 грн
100+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTPNP 10A 60V 75W MJE2955T TMJE2955t
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TMicrochip TechnologyArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+56.66 грн
238+51.34 грн
500+32.26 грн
5000+26.74 грн
10000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.76 грн
50+55.90 грн
100+49.87 грн
500+36.87 грн
1000+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+37.62 грн
343+35.58 грн
500+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.01 грн
14+45.73 грн
100+41.23 грн
500+32.96 грн
1000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.08 грн
15+57.77 грн
100+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON Semiconductor
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+34.93 грн
100+33.04 грн
500+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.85 грн
10+58.88 грн
100+43.99 грн
500+33.91 грн
1000+32.22 грн
2900+30.02 грн
5800+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.35 грн
50+56.25 грн
100+50.16 грн
500+37.03 грн
1000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+49.25 грн
275+44.40 грн
500+36.81 грн
1000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+74.24 грн
500+51.03 грн
1000+48.03 грн
2500+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TMJE3055T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUFairchildPNP 60V 10A 0.6W 2MHz MJE2955TTU Fairchild TMJE2955t FAI
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTU-ONonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTU_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055STM
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055/2955T
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+100.68 грн
10+55.94 грн
31+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 70; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMБиполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+290.50 грн
10+66.89 грн
100+63.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+63.43 грн
224+54.71 грн
500+43.79 грн
1000+30.55 грн
2500+28.00 грн
10000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055T
Код товару: 190953
Додати до обраних Обраний товар

JSMICROТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
Монтаж: THT
у наявності 132 шт:
107 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.39 грн
14+62.31 грн
100+55.62 грн
500+40.69 грн
1000+34.24 грн
5000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+107.38 грн
10+60.89 грн
100+52.52 грн
500+40.53 грн
1000+27.16 грн
2500+25.80 грн
10000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.61 грн
10+63.54 грн
100+49.36 грн
500+38.84 грн
1000+35.46 грн
5000+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.76 грн
50+55.90 грн
100+49.87 грн
500+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.82 грн
10+69.71 грн
31+35.68 грн
83+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.53 грн
10+133.70 грн
100+95.73 грн
500+62.23 грн
1000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TMicrochip TechnologyArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055T (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 26410
Додати до обраних Обраний товар

STТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 А
h21: 100
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+18.00 грн
10+16.40 грн
100+14.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+40.50 грн
328+37.25 грн
500+32.31 грн
1000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 302
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.03 грн
20+42.17 грн
100+37.63 грн
500+30.50 грн
1000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+37.61 грн
100+34.59 грн
500+30.00 грн
1000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
на замовлення 12447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.26 грн
10+40.36 грн
100+32.22 грн
500+28.47 грн
1000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+56.57 грн
500+42.83 грн
1000+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON Semiconductor
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TL
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.86 грн
13+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsТранзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V; Icutoff-max = 100 мкА; Р, Вт = 20 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
15+41.61 грн
100+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.76 грн
50+37.03 грн
100+32.82 грн
500+23.86 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.28 грн
10000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.46 грн
23+36.40 грн
100+32.68 грн
500+24.06 грн
1000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 42480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+32.28 грн
418+29.19 грн
502+24.35 грн
1000+19.60 грн
2500+16.14 грн
10000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 379
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 18178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.90 грн
10000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.20 грн
10+45.98 грн
25+38.70 грн
45+19.92 грн
124+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340
Код товару: 174065
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
у наявності 57 шт:
18 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 909 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.24 грн
10+57.30 грн
25+46.44 грн
45+23.91 грн
124+22.62 грн
4000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Single Transistor, NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.65 грн
12+69.24 грн
100+49.52 грн
500+32.19 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
на замовлення 3532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.46 грн
10+36.38 грн
100+28.40 грн
500+22.59 грн
1000+22.36 грн
2000+18.98 грн
4000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 260V 0.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.27 грн
10+61.23 грн
100+40.55 грн
500+29.73 грн
1000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 42490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.50 грн
20+30.27 грн
100+27.37 грн
500+22.02 грн
1000+17.02 грн
2500+14.53 грн
10000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340Microchip TechnologyArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (Hottech)
Код товару: 189369
Додати до обраних Обраний товар

HottechТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+12.00 грн
10+10.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 128645
Додати до обраних Обраний товар

CDILТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+7.00 грн
100+6.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 29960
Додати до обраних Обраний товар

STMТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 3.0Vebo 500mA 20.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340/350
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340G
Код товару: 112487
Додати до обраних Обраний товар

STMТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+10.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 275843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+41.88 грн
406+30.10 грн
614+19.87 грн
1000+16.85 грн
2500+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU; MJE340G JSMICRO TMJE340 JSM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 30...240
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62.72 грн
10+38.78 грн
46+19.69 грн
125+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 275843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.42 грн
16+39.28 грн
100+28.23 грн
500+17.97 грн
1000+14.63 грн
2500+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 16740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.62 грн
10+43.45 грн
100+28.32 грн
500+20.47 грн
1000+18.50 грн
2000+16.85 грн
5000+14.81 грн
10000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.77 грн
16+39.43 грн
100+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 30...240
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.27 грн
10+48.32 грн
46+23.63 грн
125+22.35 грн
1000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON-SemicoductorNPN 500mA 300V 20W MJE340G ONS TMJE340 ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+35.15 грн
22+28.17 грн
100+22.61 грн
500+16.01 грн
1000+13.39 грн
2500+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 78989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
на замовлення 36728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.61 грн
10+46.19 грн
100+26.93 грн
500+18.24 грн
1000+16.11 грн
3000+15.45 грн
6000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+30.33 грн
502+24.35 грн
683+17.88 грн
1000+15.58 грн
2500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 403
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 20052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.96 грн
18+47.87 грн
100+32.27 грн
500+20.00 грн
1000+15.99 грн
5000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340G/MJE350GONTO-225 10+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340MJE350FSCST
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3439 - TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439onsemiDescription: TRANS PWR NPN .3A 350V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON Semiconductor
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.3A 350V 15W NPN
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+40.00 грн
17+35.89 грн
100+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344STTO-126
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 200V 500MA TO225AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3440STTO-126
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3440STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3440Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.06 грн
18+33.66 грн
100+27.30 грн
500+22.12 грн
1000+16.59 грн
2500+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GonsemiDescription: TRANS NPN 200V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON Semiconductor
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.88 грн
16+37.90 грн
100+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.62 грн
10+35.91 грн
50+30.81 грн
56+19.40 грн
152+18.39 грн
500+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.36 грн
21+40.60 грн
100+35.82 грн
500+26.29 грн
1000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STPNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350Microchip TechnologyArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.53 грн
10000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 260V 0.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.27 грн
10+61.23 грн
100+40.55 грн
500+29.73 грн
1000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 69440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+31.75 грн
428+28.51 грн
503+24.29 грн
1000+17.93 грн
2500+16.02 грн
10000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronics NVPNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 (компл. MJE340)
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350
Код товару: 34450
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 39641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.15 грн
10+38.66 грн
100+29.57 грн
500+23.69 грн
1000+21.11 грн
2000+18.17 грн
4000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.48 грн
12+69.82 грн
100+49.85 грн
500+32.42 грн
1000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STPNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 11091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.21 грн
10000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.19 грн
14+28.81 грн
50+25.67 грн
56+16.17 грн
152+15.33 грн
500+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
на замовлення 4055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.17 грн
50+36.16 грн
100+32.05 грн
500+23.28 грн
1000+21.09 грн
2000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 69471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.77 грн
21+29.77 грн
100+26.74 грн
500+21.96 грн
1000+15.56 грн
2500+14.42 грн
10000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350 = KSE350STU
Код товару: 30696
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-127
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 10236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
10+60.62 грн
100+40.17 грн
500+29.44 грн
1000+26.78 грн
2000+24.54 грн
5000+21.76 грн
10000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON-SemicoductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.27 грн
19+32.85 грн
100+26.68 грн
250+25.48 грн
500+22.29 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.47 грн
16+54.55 грн
100+38.79 грн
500+29.66 грн
1000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+31.77 грн
1000+30.31 грн
2500+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorТранзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
46+13.57 грн
50+12.67 грн
100+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.44 грн
40+22.84 грн
108+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 18316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+52.29 грн
343+35.61 грн
347+35.25 грн
500+30.73 грн
1000+23.41 грн
3000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 234
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GJSMicro SemiconductorTransistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 18317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+68.79 грн
13+49.03 грн
100+33.39 грн
250+31.88 грн
500+26.69 грн
1000+21.07 грн
3000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G
Код товару: 112488
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 13160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
на замовлення 19271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.50 грн
10+52.37 грн
100+32.74 грн
250+32.52 грн
500+26.78 грн
1000+23.39 грн
3000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 519
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 914 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.53 грн
40+28.46 грн
108+25.93 грн
5000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350MJE340
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STUonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350 /MJE340ON09+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE371 - TRANS PNP 40V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371onsemiDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371ON09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP GP
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.65 грн
10+146.36 грн
25+120.65 грн
100+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371(транзистор)
Код товару: 92550
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371G
Код товару: 131917
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 40V 40W PNP
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.45 грн
10+65.74 грн
100+51.42 грн
500+37.67 грн
1000+31.41 грн
5000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.81 грн
10+59.24 грн
500+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+66.15 грн
238+51.28 грн
500+43.17 грн
1000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+75.33 грн
10+61.42 грн
100+52.58 грн
500+38.65 грн
1000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3O55T
на замовлення 8658 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343onsemiDescription: TRANS NPN 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.62 грн
10+441.63 грн
30+221.44 грн
120+203.78 грн
300+202.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+245.04 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 16A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.82 грн
30+247.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353onsemiDescription: TRANS PNP 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE4353 - TRANSISTOR, PNP TO-218
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353G
Код товару: 106227
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353GonsemiDescription: TRANS PNP 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5050
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 3A TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 3A TO-126
Packaging: Tube
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.25 грн
10+68.44 грн
25+56.50 грн
100+46.42 грн
500+38.33 грн
1000+30.16 грн
2000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521ON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521(транзистор)
Код товару: 92551
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE521G - MJE521G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730onsemiDescription: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GON05+06+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.16 грн
10+64.72 грн
100+48.92 грн
500+41.35 грн
1000+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.19 грн
50+58.58 грн
100+53.01 грн
500+40.39 грн
1000+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.76 грн
10+85.00 грн
100+81.46 грн
500+72.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730G
Код товару: 171586
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731onsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731A
Код товару: 151453
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V
на замовлення 10432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.42 грн
10+49.92 грн
100+39.58 грн
500+36.42 грн
1000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.31 грн
50+60.57 грн
100+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+57.04 грн
250+54.60 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.71 грн
14+59.09 грн
100+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+76.03 грн
196+62.37 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.96 грн
10+77.80 грн
100+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+103.27 грн
154+79.60 грн
500+70.43 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.47 грн
10+46.70 грн
100+38.18 грн
500+32.52 грн
1000+32.22 грн
5000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.08 грн
50+62.87 грн
100+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+113.14 грн
10+95.89 грн
100+73.91 грн
500+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.55 грн
100+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740onsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740GonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740GonsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar Power NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5741
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742onsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742onsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GONSEMIMJE5742G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+150.53 грн
12+91.04 грн
33+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GonsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar Power NPN
на замовлення 9242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.53 грн
10+82.83 грн
100+66.73 грн
250+63.27 грн
500+55.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON-SemicoductorNPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+88.29 грн
250+81.00 грн
500+79.84 грн
1000+74.13 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5742G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 400 V, 100 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.48 грн
11+81.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.02 грн
50+88.40 грн
100+79.43 грн
500+59.75 грн
1000+55.00 грн
2000+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON-SemicoductorNPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+80.11 грн
100+72.68 грн
250+67.66 грн
500+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON-SemicoductorNPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+86.28 грн
156+78.27 грн
250+72.86 грн
500+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5850 - MJE5850, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850onsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850ON04+
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851onsemiDescription: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+196.23 грн
500+188.10 грн
1000+176.91 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851G
Код товару: 180290
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852ON08+ TSSOP
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852
Код товару: 103964
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852onsemiDescription: TRANS PNP 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852ON09+
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.54 грн
10+190.22 грн
50+125.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.