Продукція > MJE

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MJE10006G
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE101
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE102
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE103
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE104
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE105
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE105MotorolaDescription: TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1090
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1091
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1092
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1093
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1100
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1123
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE122
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE12955
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 25853
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 500 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
у наявності 678 шт:
575 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
34 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Харків
35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 0.2A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 20V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001S6D
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13001S8D
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 2694
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-126
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-92
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002B-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 0.8A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002B-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002B-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13002B-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003OTOMOTransistor NPN; 30; 2W; 400V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 OTOMO TMJE13003 OTO
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN 400 Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003onsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co.,LTD.Транзистор биполярный, NPN, 400В, 1,5А, 40Вт, TO-126
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 30; 30W; 400V; 2,3A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 JSMICRO TMJE13003 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003onsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003ON0419
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003 TMJE13003
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 18858
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 1,5 A
товару немає в наявності
1+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003(ST13003)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-1
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-12
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-126
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-2FSC
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-BPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-BP TO-220
Код товару: 115272
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1300320-25AB
на замовлення 30200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003; биполярный; NPN; 300V; 1.5A; 40W; Корпус: TO-126; Fairchild
на замовлення 22 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
22+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003A-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003A-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003A-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003A-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003B-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003B-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003B-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003B-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003D-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003D-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003D-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003D-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1400mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003G
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 34621
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003H22005
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003H22005
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003LUTCNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003L-CUTCNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003T
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003T2
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13003TO-126
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004HARRISMJE13004
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+54.41 грн
1000+50.17 грн
Мінімальне замовлення: 561
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004Harris CorporationDescription: TRANS NPN 300V 4A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 6320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004 LEDFREEDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Fast SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13004G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 30; 65W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 JSMICRO TMJE13005 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005MulticompTrans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005onsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005
Код товару: 15180
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 4 А
товару немає в наявності
1+12.00 грн
10+8.00 грн
100+6.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005ON SEMICONDUCTORnpn 400/700V 3A 60W TO-220
на замовлення 163 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE13005 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.74 грн
10+186.99 грн
100+133.56 грн
500+79.84 грн
1000+52.59 грн
5000+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005OTOMOTransistor NPN; 30; 2W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 OTOMO TMJE13005 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 LEDFREEROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Fast SW
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.87 грн
10+249.88 грн
50+149.57 грн
100+136.18 грн
500+133.20 грн
1000+114.60 грн
2500+107.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 PBFREECentral SemiconductorMJE13005-CEN NPN THT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.00 грн
50+144.42 грн
100+131.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 SL PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 SL PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 75W
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.63 грн
10+215.65 грн
50+159.25 грн
100+153.29 грн
250+138.41 грн
500+122.04 грн
1000+107.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 SL TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005 TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005(ST13005)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005-1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005-2
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005; биполярный; NPN; 400V; 4A; 75W; TO-220AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+139.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005A
на замовлення 78500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005B
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005F-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 420V 4A ITO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005F1
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005F2
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13005GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13006
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13006NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 300V 8A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.79 грн
10+117.82 грн
20+111.62 грн
50+98.93 грн
100+96.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13006G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007On SemiconductorNPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB
на замовлення 22 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007onsemiDescription: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+216.77 грн
100+183.99 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 40; 80W; 400V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 JSMICRO TMJE13007 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007 (MJE13007G) (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 38055
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 14 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 8 А
h21: 40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007 SLCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 8A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007(PHE13007)
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-1
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-2
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Regulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-BPDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007-H4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007A
Код товару: 123836
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 400V 8A ITO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F2
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007F2 транзистор
Код товару: 58559
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+127.95 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+62.95 грн
100+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+93.19 грн
11+56.48 грн
100+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.19 грн
10+68.55 грн
100+54.17 грн
500+45.02 грн
1000+38.03 грн
2700+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.74 грн
12+73.21 грн
100+64.95 грн
500+48.06 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.37 грн
10+64.03 грн
19+47.67 грн
53+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+60.18 грн
218+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+67.79 грн
198+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+118.81 грн
10+60.88 грн
100+55.79 грн
500+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.25 грн
10+79.79 грн
19+57.21 грн
53+54.04 грн
500+52.18 грн
1000+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.82 грн
50+61.14 грн
100+54.66 грн
500+40.62 грн
1000+37.19 грн
2000+34.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13007R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13008G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009onsemiBipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009OTOMOTransistor NPN; 35; 120W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 OTOMO TMJE13009 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009onsemiDescription: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 40; 100W; 400V; 12A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 JSMICRO TMJE13009 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT TO-220 NPN FASTSW PW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30312
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
h21: 40
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009-1
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009-2
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; NXP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
20+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; 4Mhz; -65°+150°C; ON Semi.(FAIRCHILD)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
25+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009A
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009AR
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009F
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009F (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 104845
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220ISO
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
у наявності 110 шт:
53 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+30.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009GonsemiBipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009G
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 1141
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009H3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009H3(25-32)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13009L
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1302
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13070Harris CorporationDescription: TRANS NPN 6V 5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13070
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13071Harris CorporationDescription: TRANS NPN 450V 5A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+78.96 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13071HARRISMJE13071
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+109.81 грн
500+99.12 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
MJE13071
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1307DOTOMOTransistor NPN; 40; 2W; 400V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 OTOMO TMJE13007 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1320
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15003ON/MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15004ON/MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028ONSТранзистор біполярний TO220-3 NPN 8A 120V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+56.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028onsemiDescription: TRANS NPN 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 126210
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+56.73 грн
100+53.25 грн
500+44.43 грн
1000+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GonsemiDescription: TRANS NPN 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.33 грн
50+70.49 грн
100+63.12 грн
500+47.09 грн
1000+43.18 грн
2000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+60.94 грн
214+57.21 грн
500+47.72 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.36 грн
10+120.66 грн
50+60.80 грн
100+55.81 грн
250+54.32 грн
500+44.35 грн
1100+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15028GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15028G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.92 грн
10+116.03 грн
100+64.11 грн
500+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029onsemiDescription: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15029 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.75 грн
10+115.20 грн
100+81.89 грн
500+53.17 грн
1000+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029MulticompTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+126.39 грн
102+120.73 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029 (транзистори біполярніе PNP)
Код товару: 126212
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Mounting: THT
Frequency: 30MHz
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.27 грн
10+102.32 грн
11+88.37 грн
29+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.80 грн
10+90.99 грн
100+79.72 грн
500+65.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Mounting: THT
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.28 грн
3+144.89 грн
10+122.78 грн
11+106.04 грн
29+100.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+124.78 грн
250+121.60 грн
500+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GonsemiDescription: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 6667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.68 грн
50+99.09 грн
100+89.24 грн
500+67.54 грн
1000+62.33 грн
2000+57.95 грн
5000+55.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.34 грн
10+89.85 грн
100+73.52 грн
250+69.28 грн
500+62.51 грн
700+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GONSТранзистор біполярний TO220-3 PNP 8A 120V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+77.65 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030MulticompTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+97.36 грн
145+84.19 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030onsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030CDILNPN 8A 150V 50W 30MHz MJE15030 TMJE15030
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15030 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.40 грн
10+164.45 грн
100+128.55 грн
500+89.14 грн
1000+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030
Код товару: 196969
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT
у наявності 84 шт:
64 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 36906
Додати до обраних Обраний товар

IscsemiТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
1+27.50 грн
10+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.20 грн
10+103.36 грн
13+84.65 грн
36+79.99 грн
100+77.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030G
Код товару: 180441
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+98.50 грн
10+82.94 грн
13+70.54 грн
36+66.66 грн
100+64.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+111.24 грн
10+65.00 грн
100+57.78 грн
500+46.55 грн
700+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.93 грн
12+71.79 грн
100+61.36 грн
500+51.00 грн
1000+42.79 грн
5000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+76.56 грн
250+60.27 грн
500+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030G
Код товару: 154352
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+69.96 грн
197+62.19 грн
500+51.96 грн
700+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GonsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.72 грн
50+69.98 грн
100+62.70 грн
500+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15030MJE15031
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031CDILTranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031CDILTranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15031 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.23 грн
10+165.28 грн
100+128.55 грн
500+89.92 грн
1000+61.96 грн
5000+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 5.0Vebo 8.0A 2.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+69.99 грн
100+63.63 грн
250+58.29 грн
500+44.31 грн
700+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.53 грн
50+70.29 грн
100+62.98 грн
500+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+123.93 грн
10+89.15 грн
50+68.88 грн
100+60.37 грн
250+52.25 грн
500+38.72 грн
700+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031G
Код товару: 45656
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 70MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.28 грн
10+122.68 грн
14+82.79 грн
37+78.13 грн
100+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15031G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.56 грн
12+75.46 грн
100+68.28 грн
500+50.85 грн
1000+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+75.37 грн
179+68.53 грн
250+62.78 грн
500+47.72 грн
700+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
на замовлення 14120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.66 грн
10+111.25 грн
50+65.93 грн
100+58.64 грн
250+56.48 грн
500+46.43 грн
700+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 70MHz
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.23 грн
10+98.44 грн
14+68.99 грн
37+65.11 грн
100+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+96.63 грн
164+74.66 грн
180+67.86 грн
250+61.16 грн
500+43.72 грн
700+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031G
Код товару: 180445
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15031GON-SemicoductorBipolar Transistor PNP 150V 8A 50W MJE15031G TO220 ONS TMJE15031 ons
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032onsemiDescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032 MJE15033ONTO220 10+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032CEVVODescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.24 грн
10+104.02 грн
100+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.47 грн
10+141.91 грн
100+80.05 грн
500+54.73 грн
1000+45.15 грн
5000+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+72.56 грн
250+66.10 грн
500+62.32 грн
1000+57.51 грн
2500+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.21 грн
10+98.53 грн
13+84.65 грн
36+79.99 грн
100+76.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+79.95 грн
4200+73.06 грн
6300+67.98 грн
8400+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.01 грн
10+79.06 грн
13+70.54 грн
36+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.63 грн
10+140.34 грн
50+67.57 грн
100+62.95 грн
250+61.17 грн
500+49.71 грн
700+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+139.59 грн
10+77.39 грн
50+76.19 грн
100+68.91 грн
250+61.00 грн
500+44.66 грн
700+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+83.29 грн
149+82.00 грн
159+76.92 грн
250+70.91 грн
500+50.07 грн
700+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.99 грн
50+75.20 грн
100+67.45 грн
500+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28060
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250 V
Ucbo,V: 250 V
Ic,A: 8 А
h21: 70
Монтаж: THT
у наявності 14 шт:
3 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.50 грн
10+23.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032GMJE15033G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032MJE15033
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033onsemiDescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033CEVVODescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.24 грн
10+104.02 грн
100+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+142.53 грн
10+75.69 грн
100+65.53 грн
500+47.21 грн
700+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033G
Код товару: 27993
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 250 V
Uкб, В: 250 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 70
у наявності 45 шт:
40 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+30.00 грн
10+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 185550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+78.62 грн
176+69.34 грн
500+51.97 грн
700+47.69 грн
2800+43.01 грн
5600+40.60 грн
10500+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+79.22 грн
11+58.45 грн
100+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON-SemicoductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MJE15033G ONS TMJE15033 ons
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+69.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 195485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.36 грн
50+72.27 грн
100+64.80 грн
500+48.49 грн
1000+44.53 грн
2000+41.20 грн
5000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.14 грн
10+74.71 грн
100+58.71 грн
500+47.25 грн
700+42.56 грн
2800+41.45 грн
5600+41.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15033G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.94 грн
11+81.89 грн
100+71.21 грн
500+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+71.06 грн
250+65.14 грн
500+64.19 грн
1000+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+73.01 грн
100+64.39 грн
500+48.26 грн
700+44.28 грн
2800+39.94 грн
5600+37.70 грн
10500+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 50
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15033GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 50
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034onsemiDescription: TRANS NPN 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034(транзистор)
Код товару: 67257
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.76 грн
10+121.04 грн
100+69.79 грн
500+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+68.54 грн
250+62.26 грн
500+58.58 грн
1000+53.97 грн
2500+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+59.57 грн
50+58.97 грн
100+56.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+98.50 грн
10+78.29 грн
16+58.91 грн
43+55.81 грн
250+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.20 грн
10+97.56 грн
16+70.69 грн
43+66.97 грн
250+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.70 грн
50+67.92 грн
100+60.83 грн
500+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
на замовлення 8878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.77 грн
10+76.68 грн
100+55.44 грн
500+49.26 грн
800+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+145.60 грн
105+116.32 грн
169+72.23 грн
200+64.63 грн
400+55.92 грн
800+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034G(транзистор)
Код товару: 61129
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034MJE15035
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035onsemiDescription: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035
Код товару: 67258
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 350 V
Uкб, В: 350 V
Iк, А: 4 A
товару немає в наявності
1+11.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+54.83 грн
100+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.87 грн
10+90.69 грн
12+79.06 грн
32+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+106.80 грн
250+96.86 грн
500+70.53 грн
1000+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+68.94 грн
183+66.69 грн
193+63.49 грн
250+60.25 грн
500+50.18 грн
800+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.44 грн
10+108.83 грн
12+94.88 грн
32+89.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.38 грн
10+126.65 грн
50+67.27 грн
100+62.14 грн
250+61.02 грн
500+50.90 грн
800+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+64.84 грн
50+62.72 грн
100+57.58 грн
250+52.47 грн
500+45.30 грн
800+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.46 грн
11+82.06 грн
100+71.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.53 грн
50+70.29 грн
100+62.98 грн
500+47.07 грн
1000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G(транзистор)
Код товару: 61130
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16002
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16002Harris CorporationDescription: TRANS NPN 6V 5A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 9182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+77.02 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16004onsemiDescription: MAX II POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 103800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 533
В кошику  од. на суму  грн.
MJE16004ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE16004 - 5-A SWITCH MAX II POWER TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 103800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+50.00 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170ON09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170onsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.16 грн
14+61.27 грн
100+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G
Код товару: 161611
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.77 грн
20+31.51 грн
100+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON Semiconductor
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 10573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.67 грн
10+48.68 грн
100+33.67 грн
500+25.25 грн
1000+23.16 грн
2000+21.39 грн
5000+19.13 грн
10000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.88 грн
10+52.54 грн
100+32.30 грн
500+25.82 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170S
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170STUonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171onsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.82 грн
1000+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.08 грн
10+67.44 грн
100+44.76 грн
500+32.88 грн
1000+29.95 грн
2000+27.48 грн
5000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.78 грн
10+67.60 грн
100+40.33 грн
500+29.77 грн
1000+25.30 грн
3000+25.23 грн
6000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+84.86 грн
11+58.85 грн
100+41.29 грн
500+31.56 грн
1000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+63.37 грн
275+44.47 грн
500+35.24 грн
1000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: -3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.15 грн
15+59.44 грн
100+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+91.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE171STUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Power Sw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172onsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172/80Vdc3A/TO-220ON09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+27.25 грн
1000+26.70 грн
2500+26.31 грн
5000+25.25 грн
7500+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.98 грн
15+56.93 грн
100+38.15 грн
500+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+80.48 грн
12+52.70 грн
100+34.35 грн
500+23.55 грн
1000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.13 грн
10+52.01 грн
100+34.22 грн
500+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 282
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.15 грн
10+56.80 грн
38+29.49 грн
102+27.91 грн
2000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172G
Код товару: 86262
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.96 грн
10+45.58 грн
38+24.57 грн
102+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+56.75 грн
330+36.99 грн
500+26.30 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.42 грн
10+56.91 грн
100+33.34 грн
500+22.99 грн
1000+20.61 грн
3000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+40.20 грн
18+33.89 грн
100+27.27 грн
500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172MJE182
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172STU - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -80V, TO126-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STU
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE172STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 40V 3A TO225AA
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180ON0305
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180MICROSS/On SemiconductorDescription: DIE TRANS NPN 40V SMALL SIGNAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.56 грн
10+137.78 грн
100+95.25 грн
250+87.81 грн
500+79.62 грн
1000+68.68 грн
2000+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.58 грн
50+106.91 грн
100+96.35 грн
500+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 7.0Vebo 3.0A 1.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002D2NXPDescription: NXP - MJE18002D2 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
781+51.76 грн
Мінімальне замовлення: 781
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002D2MotorolaDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 400mA, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 533
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002G - MJE18002G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 65841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 513
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004D2onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004D2GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.22 грн
10+98.50 грн
100+76.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.72 грн
50+69.93 грн
100+62.66 грн
500+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.55 грн
50+45.06 грн
100+42.43 грн
500+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON-SemicoductorNPN 5A 1000V 75W MJE18004G TMJE18004
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+55.35 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006
Код товару: 77960
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 6 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006onsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006onsemiBipolar Transistors - BJT 6A 450V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+74.75 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 450V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+89.05 грн
500+85.25 грн
1000+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+89.05 грн
500+85.25 грн
1000+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+89.05 грн
500+85.25 грн
1000+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18006G - MJE18006G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006G
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008onsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008
Код товару: 77961
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 13 MHz
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 8 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+16.50 грн
10+13.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+108.13 грн
250+99.52 грн
500+98.57 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.97 грн
50+107.11 грн
100+96.67 грн
500+73.55 грн
1000+68.03 грн
2000+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.47 грн
10+69.04 грн
100+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.88 грн
10+126.05 грн
100+106.02 грн
500+82.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON-SemicoductorNPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+179.26 грн
10+103.02 грн
100+94.58 грн
500+76.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.99 грн
10+207.09 грн
50+104.92 грн
100+98.97 грн
250+95.99 грн
500+77.39 грн
800+71.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE1800B
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.20 грн
14+61.52 грн
100+47.50 грн
500+34.80 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+66.57 грн
259+47.12 грн
500+37.15 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.12 грн
10+73.85 грн
25+61.61 грн
100+47.92 грн
250+47.85 грн
500+37.58 грн
1000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G
Код товару: 161612
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GOn SemiconductorNPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3)
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+85.94 грн
10+61.81 грн
100+43.75 грн
500+33.26 грн
1000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.74 грн
10+73.64 грн
100+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+42.85 грн
500+39.33 грн
1000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180PWDonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180PWDonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 1920
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 1920
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1092+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 1092
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUAptina ImagingTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 1920
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.31 грн
10+34.91 грн
100+27.31 грн
1000+22.77 грн
1920+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180STUonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.94 грн
60+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181onsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 12.5W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 50...250
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 50MHz
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.64 грн
10+56.22 грн
100+33.71 грн
500+24.78 грн
1000+20.54 грн
3000+19.50 грн
6000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.72 грн
10+50.46 грн
100+33.15 грн
500+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 12.5W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 50...250
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 50MHz
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.76 грн
25+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+28.88 грн
1000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE181STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.86 грн
10+44.65 грн
100+29.11 грн
500+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1360+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 1360
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182onsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
на замовлення 7552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
950+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 950
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 3A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power Sw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182 - MJE182, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182ON09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18204ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18204 - TRANSISTOR, NPN TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18204onsemiDescription: TRANS NPN 600V 5A TO-220FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.25V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 35 W
на замовлення 40346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 465
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18204ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 600V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 40346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 484
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18206onsemiDescription: TRANS NPN 600V 8A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 11725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18206ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 600V 8A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 11725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
947+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 947
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18206ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18206 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G
Код товару: 62118
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GON-SemicoductorNPN 3A 80V 12.5W 50MHz MJE182 TO126 TMJE182
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 50...250
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 50MHz
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+100.17 грн
10+48.39 грн
49+22.60 грн
133+21.39 грн
5000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.31 грн
14+62.19 грн
100+39.40 грн
500+27.44 грн
1000+21.39 грн
5000+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+26.08 грн
1000+25.33 грн
2500+25.21 грн
5000+24.19 грн
7500+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.89 грн
10+63.41 грн
25+52.24 грн
100+34.97 грн
250+34.68 грн
500+24.11 грн
1000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.77 грн
10+55.73 грн
100+36.75 грн
500+26.82 грн
1000+24.35 грн
2000+22.28 грн
5000+19.70 грн
10000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 50...250
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 50MHz
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 10557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182STU - TRANSISTOR, NPN, 80V, 50MHZ, TO-126
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 326780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 6816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 28720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 329042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 36881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 1263
В кошику  од. на суму  грн.
MJE20
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS NPN 40V 5A TO225AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200-T
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.79 грн
10+58.21 грн
100+38.45 грн
500+28.11 грн
1000+25.54 грн
2000+23.39 грн
5000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+30.39 грн
1000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GON08+ DIP-8
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.99 грн
10+60.07 грн
100+36.17 грн
500+27.16 грн
1000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.16 грн
14+61.02 грн
100+41.24 грн
500+27.67 грн
1000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200NLIGHTNING08+ TO126
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 96092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 2037
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 43413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 2037
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE200STU - MJE200STU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 64533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 1920
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUFAIRCHILDTrans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
на замовлення 21120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 2037
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STU
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200STUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 99932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 1665
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200TS
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200TSTUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200TSTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210onsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 25V 5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210ON05+06+
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210-STU
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.83 грн
10+62.30 грн
100+36.09 грн
500+28.65 грн
1000+23.37 грн
6000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 143096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
904+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 904
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.80 грн
14+63.61 грн
100+40.65 грн
500+26.35 грн
1000+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210NLIGHTNINGTO126 08+
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 58305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1810+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 1810
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 58888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 1920
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STU
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 4256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210TG - MJE210TG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2360T
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO225AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243
Код товару: 41963
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243 - TRANS NPN 100V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+35.24 грн
1000+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.73 грн
21+29.77 грн
25+29.65 грн
100+24.73 грн
250+22.88 грн
500+19.09 грн
1000+17.34 грн
2500+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+50.03 грн
247+49.56 грн
330+35.68 грн
500+25.80 грн
1000+21.19 грн
2500+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.54 грн
17+51.84 грн
100+35.81 грн
500+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
607+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 607
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON-SemicoductorNPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.48 грн
10+53.66 грн
25+43.90 грн
100+31.92 грн
250+31.85 грн
500+26.19 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: bulk
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+69.29 грн
10+45.50 грн
36+25.97 грн
97+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+73.29 грн
13+46.78 грн
25+46.34 грн
100+33.42 грн
250+30.89 грн
500+23.16 грн
1000+19.81 грн
2500+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.13 грн
10+52.01 грн
100+34.22 грн
500+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.14 грн
10+56.70 грн
36+31.16 грн
97+29.49 грн
1000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243MJE253
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253
Код товару: 41964
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253ONSEMI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: bulk
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+76.80 грн
10+40.54 грн
35+26.66 грн
95+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+24.28 грн
1000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 10100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.13 грн
10+52.01 грн
100+34.22 грн
500+24.96 грн
1000+22.65 грн
2000+20.71 грн
5000+18.30 грн
10000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.16 грн
10+50.52 грн
35+32.00 грн
95+30.23 грн
500+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
на замовлення 10709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.29 грн
10+46.38 грн
100+29.84 грн
500+22.10 грн
1000+20.17 грн
5000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+25.96 грн
1000+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.65 грн
18+47.25 грн
100+34.73 грн
500+24.18 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+25.13 грн
1000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.98 грн
10+55.03 грн
100+32.97 грн
500+26.19 грн
1000+24.04 грн
2500+23.96 грн
5000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.98 грн
10+57.75 грн
100+38.04 грн
500+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GONSEMIMJE270G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.11 грн
39+28.09 грн
107+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE270G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 2 A, 15 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 6MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 15W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.24 грн
22+39.65 грн
100+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+38.75 грн
409+29.86 грн
500+24.51 грн
1000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.47 грн
17+35.98 грн
100+27.73 грн
500+21.94 грн
1000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGON Semiconductor2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGonsemiDarlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.79 грн
50+43.02 грн
100+38.22 грн
500+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271
на замовлення 14408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE271G - MJE271G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GON Semiconductor
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT LEADED POWER TRANSIS GEN PUR T0-220
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.12 грн
10+267.85 грн
25+220.26 грн
100+191.24 грн
500+162.22 грн
1000+133.94 грн
2500+128.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 10A 75W 60Vcbo 60Vceo 3.0A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorPower Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955FSC09+ TSSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955
Код товару: 24030
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 2 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 70 V
Iк, А: 10 А
h21,max: 100
товару немає в наявності
1+11.00 грн
10+9.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955/3055ST08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955ET4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+72.82 грн
198+61.76 грн
226+54.03 грн
250+51.05 грн
500+37.93 грн
1000+30.70 грн
5000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMБиполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+290.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.20 грн
10+86.43 грн
25+55.66 грн
100+48.82 грн
250+48.74 грн
500+38.99 грн
1000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955T
Код товару: 57977
Додати до обраних Обраний товар

STТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 2 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 70 V
Iк, А: 10 А
у наявності 27 шт:
6 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+94.19 грн
10+69.22 грн
25+58.75 грн
100+49.59 грн
250+44.99 грн
500+34.69 грн
1000+24.24 грн
5000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.19 грн
10+61.05 грн
32+34.70 грн
87+32.74 грн
5000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE2955T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.69 грн
10+84.31 грн
100+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+74.19 грн
194+62.97 грн
222+55.12 грн
250+52.09 грн
500+38.73 грн
1000+25.98 грн
5000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.16 грн
10+48.99 грн
32+28.91 грн
87+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTPNP 10A 60V 75W MJE2955T TMJE2955t
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.20 грн
10+67.62 грн
25+57.35 грн
100+48.38 грн
250+43.90 грн
500+33.81 грн
1000+28.51 грн
5000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.16 грн
50+56.54 грн
100+50.45 грн
500+37.29 грн
1000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.67 грн
15+56.18 грн
100+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+31.02 грн
100+30.04 грн
500+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON Semiconductor
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.71 грн
10+82.92 грн
50+48.29 грн
100+44.13 грн
250+44.05 грн
500+35.57 грн
1000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+76.52 грн
500+55.77 грн
1000+47.80 грн
2500+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.77 грн
50+56.90 грн
100+50.74 грн
500+37.46 грн
1000+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+53.42 грн
14+45.48 грн
50+41.80 грн
100+37.43 грн
500+30.89 грн
1000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TMJE3055T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUFairchildPNP 60V 10A 0.6W 2MHz MJE2955TTU Fairchild TMJE2955t FAI
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTU-ONonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTU_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055STM
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055/2955T
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055T
Код товару: 190953
Додати до обраних Обраний товар

JSMICROТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
Монтаж: THT
у наявності 132 шт:
107 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.28 грн
10000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.84 грн
10+56.59 грн
31+29.92 грн
84+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.21 грн
10+70.51 грн
31+35.90 грн
84+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.39 грн
10+112.69 грн
100+55.01 грн
500+41.01 грн
1000+35.35 грн
5000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.19 грн
2000+54.09 грн
5000+50.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 70; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.56 грн
10+115.53 грн
25+55.88 грн
100+48.82 грн
500+39.22 грн
1000+36.61 грн
2000+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+63.72 грн
219+55.93 грн
500+43.92 грн
1000+30.57 грн
2500+28.03 грн
10000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+118.82 грн
11+59.81 грн
100+52.50 грн
500+39.74 грн
1000+26.57 грн
2500+25.26 грн
10000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.46 грн
10+135.23 грн
100+96.83 грн
500+62.94 грн
1000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.16 грн
50+56.54 грн
100+50.45 грн
500+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMБиполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+290.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055T (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 26410
Додати до обраних Обраний товар

STТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 А
h21: 100
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+18.00 грн
10+16.40 грн
100+14.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+42.80 грн
100+38.22 грн
250+37.82 грн
500+30.29 грн
1000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.04 грн
15+56.01 грн
100+43.74 грн
500+34.80 грн
1000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+42.44 грн
500+38.95 грн
1000+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 288
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON Semiconductor
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+46.10 грн
297+41.16 грн
300+40.73 грн
500+32.62 грн
1000+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.60 грн
10+57.08 грн
50+39.14 грн
100+35.50 грн
250+35.42 грн
500+30.44 грн
1000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TL
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.86 грн
13+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 26178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.90 грн
10000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Power dissipation: 20.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: SOT32
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.14 грн
10+57.96 грн
25+46.97 грн
45+24.18 грн
124+22.88 грн
4000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.12 грн
10+79.76 грн
25+37.06 грн
100+31.10 грн
500+25.45 грн
1000+22.32 грн
2000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.46 грн
14+62.36 грн
100+36.48 грн
500+27.75 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 41790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
372+32.84 грн
419+29.15 грн
505+24.18 грн
1000+19.65 грн
2500+17.74 грн
10000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 372
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsТранзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V; Icutoff-max = 100 мкА; Р, Вт = 20 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Single Transistor, NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.65 грн
12+70.04 грн
100+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340
Код товару: 174065
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
у наявності 57 шт:
18 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 41810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+42.70 грн
20+30.49 грн
100+27.07 грн
500+21.65 грн
1000+16.89 грн
2500+15.81 грн
10000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 260V 0.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.59 грн
10+58.99 грн
100+39.10 грн
500+28.66 грн
1000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Power dissipation: 20.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: SOT32
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.95 грн
10+46.51 грн
25+39.14 грн
45+20.15 грн
124+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.28 грн
10000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (Hottech)
Код товару: 189369
Додати до обраних Обраний товар

HottechТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+12.00 грн
10+10.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 128645
Додати до обраних Обраний товар

CDILТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+7.00 грн
100+6.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 29960
Додати до обраних Обраний товар

STMТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 3.0Vebo 500mA 20.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340/350
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON-SemicoductorNPN 500mA 300V 20W MJE340G ONS TMJE340 ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340G
Код товару: 112487
Додати до обраних Обраний товар

STMТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+10.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.55 грн
16+39.56 грн
100+27.74 грн
500+17.38 грн
1000+14.05 грн
2500+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 271788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+36.51 грн
443+27.57 грн
639+19.12 грн
1000+16.37 грн
2500+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 11288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.23 грн
10+41.94 грн
100+27.31 грн
500+19.74 грн
1000+17.84 грн
2000+16.24 грн
5000+14.27 грн
10000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU; MJE340G JSMICRO TMJE340 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Case: TO225
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 30...240
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.44 грн
10+39.22 грн
46+20.00 грн
125+18.91 грн
1000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 78989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 271793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+46.55 грн
18+33.90 грн
100+25.60 грн
500+17.12 грн
1000+14.07 грн
2500+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.79 грн
18+48.42 грн
100+32.64 грн
500+20.23 грн
1000+16.17 грн
5000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Case: TO225
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 30...240
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.13 грн
10+48.88 грн
46+24.00 грн
125+22.70 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+42.60 грн
409+29.88 грн
629+19.41 грн
1000+16.35 грн
2500+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
на замовлення 29869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.03 грн
10+42.53 грн
100+25.15 грн
500+21.06 грн
1000+17.86 грн
3000+16.30 грн
6000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340G/MJE350GONTO-225 10+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340MJE350FSCST
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE340STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3439 - TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439onsemiDescription: TRANS PWR NPN .3A 350V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON Semiconductor
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+40.00 грн
17+35.89 грн
100+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3439GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.3A 350V 15W NPN
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344STTO-126
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 200V 500MA TO225AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3440Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3440STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3440STTO-126
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GonsemiDescription: TRANS NPN 200V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.88 грн
16+37.90 грн
100+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON Semiconductor
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.06 грн
18+33.66 грн
100+27.30 грн
500+22.12 грн
1000+16.59 грн
2500+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronics NVPNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 (компл. MJE340)
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.89 грн
50+34.87 грн
100+30.90 грн
500+22.44 грн
1000+20.33 грн
2000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.37 грн
17+50.92 грн
100+36.06 грн
500+26.98 грн
1000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.56 грн
14+29.15 грн
50+25.97 грн
56+16.36 грн
153+15.50 грн
500+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STPNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 68971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.58 грн
21+30.20 грн
100+26.81 грн
500+21.64 грн
1000+16.67 грн
2500+15.10 грн
10000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.07 грн
10+36.32 грн
50+31.16 грн
56+19.63 грн
153+18.60 грн
500+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 39641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STPNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS PNP 260V 0.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.59 грн
10+58.99 грн
100+39.10 грн
500+28.66 грн
1000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.49 грн
12+70.62 грн
100+50.42 грн
500+32.79 грн
1000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 9091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350
Код товару: 34450
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.04 грн
10+57.51 грн
25+36.17 грн
100+30.73 грн
500+24.78 грн
1000+21.73 грн
2000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 68952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+32.31 грн
426+28.68 грн
509+24.00 грн
1000+19.26 грн
2500+16.83 грн
10000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 378
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350 = KSE350STU
Код товару: 30696
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-127
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+39.81 грн
18+35.40 грн
100+28.17 грн
250+26.90 грн
500+22.70 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 9151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.59 грн
10+58.45 грн
100+38.73 грн
500+28.38 грн
1000+25.82 грн
2000+23.66 грн
5000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.39 грн
16+55.18 грн
100+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+31.77 грн
1000+30.31 грн
2500+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 769 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.08 грн
40+28.79 грн
109+26.23 грн
5000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 15314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+59.64 грн
319+38.28 грн
322+37.90 грн
500+31.02 грн
1000+24.26 грн
3000+19.24 грн
6000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
на замовлення 16336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.29 грн
10+61.10 грн
100+36.98 грн
250+36.91 грн
500+28.80 грн
1000+25.15 грн
3000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON-SemicoductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 15317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+73.47 грн
11+55.76 грн
100+35.79 грн
250+34.17 грн
500+26.85 грн
1000+21.77 грн
3000+17.98 грн
6000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.90 грн
40+23.10 грн
109+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 13160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorТранзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 519
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G
Код товару: 112488
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350GJSMicro SemiconductorTransistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350MJE340
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STUonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350STU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350 /MJE340ON09+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371onsemiDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371ON09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE371 - TRANS PNP 40V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP GP
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.56 грн
10+148.05 грн
25+122.04 грн
100+104.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371(транзистор)
Код товару: 92550
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371G
Код товару: 131917
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+75.33 грн
10+61.42 грн
100+52.58 грн
500+38.65 грн
1000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.67 грн
10+59.92 грн
500+39.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+66.15 грн
238+51.28 грн
500+43.17 грн
1000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 40V 40W PNP
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.39 грн
10+66.49 грн
100+52.02 грн
500+38.10 грн
1000+31.77 грн
5000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3O55T
на замовлення 8658 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343onsemiDescription: TRANS NPN 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+247.07 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.94 грн
10+446.71 грн
30+223.99 грн
120+206.13 грн
300+204.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 16A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353onsemiDescription: TRANS PNP 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE4353 - TRANSISTOR, PNP TO-218
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353G
Код товару: 106227
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4353GonsemiDescription: TRANS PNP 160V 16A SOT-93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5050
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 3A TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.13 грн
10+69.23 грн
25+57.15 грн
100+46.96 грн
500+38.77 грн
1000+30.51 грн
2000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 3A TO-126
Packaging: Tube
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE520 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521ON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521(транзистор)
Код товару: 92551
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE521G - MJE521G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE521GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730onsemiDescription: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GON05+06+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.52 грн
50+59.25 грн
100+53.62 грн
500+40.85 грн
1000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.43 грн
13+64.36 грн
100+56.85 грн
500+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730G
Код товару: 171586
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.54 грн
10+65.47 грн
100+49.49 грн
500+41.82 грн
1000+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731onsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731A
Код товару: 151453
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.03 грн
14+59.77 грн
100+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.82 грн
50+61.27 грн
100+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+57.04 грн
250+54.60 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V
на замовлення 10432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.31 грн
10+50.49 грн
100+40.03 грн
500+36.83 грн
1000+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+113.14 грн
10+95.89 грн
100+73.91 грн
500+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+76.03 грн
196+62.37 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.31 грн
10+47.24 грн
100+38.62 грн
500+32.89 грн
1000+32.59 грн
5000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.96 грн
10+77.80 грн
100+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.08 грн
100+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+103.27 грн
154+79.60 грн
500+70.43 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.65 грн
50+63.59 грн
100+56.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740onsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740GonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5740GonsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar Power NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5741
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742onsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742onsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON-SemicoductorNPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+80.11 грн
100+72.68 грн
250+67.66 грн
500+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON-SemicoductorNPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+86.28 грн
156+78.27 грн
250+72.86 грн
500+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5742G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 400 V, 100 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.47 грн
11+82.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GONSEMIMJE5742G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+152.26 грн
12+92.09 грн
33+86.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON-SemicoductorNPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+88.29 грн
250+81.00 грн
500+79.84 грн
1000+74.13 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.16 грн
50+89.42 грн
100+80.34 грн
500+60.44 грн
1000+55.63 грн
2000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742GonsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar Power NPN
на замовлення 8324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.86 грн
10+183.13 грн
50+69.50 грн
100+65.11 грн
250+62.95 грн
500+55.88 грн
700+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850onsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850ON04+
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5850 - MJE5850, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5850GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851onsemiDescription: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851G
Код товару: 180290
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+196.23 грн
500+188.10 грн
1000+176.91 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852ON09+
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852ON08+ TSSOP
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852
Код товару: 103964
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852onsemiDescription: TRANS PNP 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+136.90 грн
100+135.76 грн
400+120.06 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 11426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+163.70 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852G
Код товару: 115058
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+127.12 грн
100+126.06 грн
400+111.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.54 грн
10+190.22 грн
50+125.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.73 грн
10+318.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GONSEMIMJE5852G PNP THT transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.55 грн
6+200.92 грн
15+189.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+192.45 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+314.79 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GonsemiDescription: TRANS PNP 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.81 грн
50+161.48 грн
100+146.66 грн
500+113.30 грн
1000+105.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.03 грн
10+318.34 грн
50+136.92 грн
100+130.97 грн
400+113.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE6040
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE6043
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.