Технічний опис MJE15028G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 8A TO-220, Power - Max: 50 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції MJE15028G за ціною від 38.41 грн до 154.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE15028G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJE15028G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN |
на замовлення 1161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJE15028G | onsemi |
Description: TRANS NPN 120V 8A TO-220 Power - Max: 50 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 2207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJE15028G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MJE15028G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 700+ | 85.18 грн |
| MJE15028G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.63 грн |
| 10+ | 67.17 грн |
| MJE15028G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 8A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: TRANS NPN 120V 8A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.68 грн |
| 50+ | 67.86 грн |
| 100+ | 60.76 грн |
| 500+ | 45.33 грн |
| 1000+ | 41.57 грн |
| 2000+ | 38.41 грн |
| MJE15028G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 154.67 грн |
| 250+ | 120.81 грн |
| 500+ | 101.00 грн |
| 1000+ | 83.85 грн |
| 2500+ | 67.90 грн |