
MJE15029G ON Semiconductor
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
158+ | 78.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE15029G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJE15029G за ціною від 55.52 грн до 209.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJE15029G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 8A Type of transistor: PNP Power dissipation: 50W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Mounting: THT Frequency: 30MHz |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJE15029G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJE15029G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 8A Type of transistor: PNP Power dissipation: 50W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Mounting: THT Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJE15029G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJE15029G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 3936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJE15029G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 6667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MJE15029G | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
MJE15029G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MJE15029G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |