MJE15029G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 85.25 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
600 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE15029G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJE15029G за ціною від 66.38 грн до 246.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJE15029G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJE15029G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJE15029G | onsemi |
Description: TRANS PNP 120V 8A TO-220Power - Max: 50 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 11218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJE15029G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP |
на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MJE15029G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJE15029G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 81+ | 175.27 грн |
| 250+ | 133.12 грн |
| 500+ | 107.72 грн |
| 1000+ | 94.99 грн |
| MJE15029G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 181.54 грн |
| 4+ | 136.70 грн |
| 10+ | 93.93 грн |
| MJE15029G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 11218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 246.12 грн |
| 50+ | 119.21 грн |
| 100+ | 107.78 грн |
| 500+ | 82.35 грн |
| 1000+ | 76.31 грн |
| 2000+ | 71.24 грн |
| 5000+ | 66.38 грн |
| MJE15029G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJE15029G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







