Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE15030G
MJE15030G

MJE15030G ON Semiconductor

mje15028-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+77.91 грн
10+ 70.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE15030G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 150V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 50 W.

Інші пропозиції MJE15030G за ціною від 39.93 грн до 116.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJE15030G MJE15030G Виробник : ONSEMI MJE15030G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.56 грн
5+ 81.67 грн
10+ 72.06 грн
13+ 62.45 грн
36+ 59.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE15030G MJE15030G Виробник : ONSEMI MJE15030G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.77 грн
10+ 86.47 грн
13+ 74.94 грн
36+ 70.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15030G MJE15030G Виробник : onsemi MJE15028_D-2315691.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
на замовлення 5226 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103 грн
10+ 85.62 грн
100+ 56.46 грн
500+ 49.74 грн
700+ 39.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15030G MJE15030G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014421710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 50W
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 30MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 8A
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+116.04 грн
10+ 88.69 грн
100+ 62.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15030G
Код товару: 154352 		mje15028-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJE15030G MJE15030G Виробник : ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15030G MJE15030G Виробник : ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15030G MJE15030G Виробник : onsemi mje15028-d.pdf Description: TRANS NPN 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
MJE15030G
Код товару: 180441 		mje15028-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній