MJE15030G ON Semiconductor
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 47.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE15030G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJE15030G за ціною від 43.39 грн до 154.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE15030G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJE15030G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 150V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJE15030G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE15030G Код товару: 154352
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
MJE15030G Код товару: 180441
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
MJE15030G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MJE15030G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MJE15030G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJE15030G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz |
товару немає в наявності |