MJE15034G

MJE15034G ON Semiconductor


mje15034-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE15034G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJE15034G за ціною від 40.97 грн до 156.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE15034G MJE15034G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+70.87 грн
100+69.12 грн
500+57.68 грн
800+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034G MJE15034G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D3C43AE9CE143&compId=MJE15035G.pdf?ci_sign=ec51d9acb16e0900b78fd023a8b0deb230dbb55e Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 350V
Power dissipation: 50W
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.81 грн
5+82.34 грн
10+72.05 грн
18+53.04 грн
49+50.67 грн
100+49.09 грн
250+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034G MJE15034G Виробник : onsemi MJE15034-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
на замовлення 4389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.89 грн
10+65.03 грн
100+50.32 грн
500+43.85 грн
800+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034G MJE15034G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D3C43AE9CE143&compId=MJE15035G.pdf?ci_sign=ec51d9acb16e0900b78fd023a8b0deb230dbb55e Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 350V
Power dissipation: 50W
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.17 грн
5+102.61 грн
10+86.46 грн
18+63.65 грн
49+60.80 грн
100+58.90 грн
250+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034G MJE15034G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014594774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.80 грн
12+72.05 грн
100+64.12 грн
500+51.86 грн
1000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034G MJE15034G Виробник : onsemi mje15034-d.pdf Description: TRANS NPN 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.81 грн
50+69.37 грн
100+62.13 грн
500+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034G MJE15034G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+156.04 грн
90+137.15 грн
157+78.84 грн
200+63.27 грн
400+57.41 грн
800+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034G MJE15034G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15034G MJE15034G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.