MJE15034G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 129+ | 110.15 грн |
| 250+ | 98.50 грн |
| 500+ | 77.54 грн |
| 1000+ | 65.36 грн |
| 2500+ | 58.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE15034G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJE15034G за ціною від 49.10 грн до 178.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJE15034G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 4A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz |
на замовлення 220 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE15034G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE15034G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN |
на замовлення 5724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE15034G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE15034G | onsemi |
Description: TRANS NPN 350V 4A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 3811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MJE15034G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 124.11 грн |
| 6+ | 81.25 грн |
| 10+ | 67.99 грн |
| 50+ | 50.58 грн |
| MJE15034G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 141.44 грн |
| 12+ | 72.16 грн |
| 100+ | 69.19 грн |
| 500+ | 63.35 грн |
| MJE15034G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
на замовлення 5724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 162.33 грн |
| 10+ | 85.55 грн |
| 100+ | 59.24 грн |
| MJE15034G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 87+ | 164.15 грн |
| 194+ | 72.95 грн |
| MJE15034G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.23 грн |
| 50+ | 84.37 грн |
| 100+ | 75.91 грн |
| 500+ | 57.33 грн |
| 1000+ | 52.86 грн |
| 2000+ | 49.10 грн |







