
MJE15035G ON Semiconductor
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 45.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE15035G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJE15035G за ціною від 42.13 грн до 165.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 4A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 4A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 181 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 3623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |