Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE15035G
MJE15035G

MJE15035G ON Semiconductor

mje15034d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE15035G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJE15035G за ціною від 39.38 грн до 200.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJE15035G MJE15035G ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G ONSEMI MJE15035G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Collector-emitter voltage: 350V
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.34 грн
10+63.88 грн
50+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G onsemi mje15034-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.19 грн
50+66.31 грн
100+59.41 грн
500+44.41 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G onsemi mje15034-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.08 грн
10+71.79 грн
100+55.51 грн
500+44.20 грн
800+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G ONSEMI ONSM-S-A0014594774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.82 грн
10+82.28 грн
100+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.76 грн
14+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G mje15034d.pdf
MJE15035G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
256+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G.pdf
MJE15035G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Collector-emitter voltage: 350V
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+130.34 грн
10+63.88 грн
50+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G mje15034-d.pdf
MJE15035G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+142.19 грн
50+66.31 грн
100+59.41 грн
500+44.41 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G mje15034-d.pdf
MJE15035G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+149.08 грн
10+71.79 грн
100+55.51 грн
500+44.20 грн
800+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G ONSM-S-A0014594774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE15035G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+167.82 грн
10+82.28 грн
100+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G mje15034d.pdf
MJE15035G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+200.76 грн
14+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G mje15034d.pdf
MJE15035G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.