Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE15035G
MJE15035G

MJE15035G ON Semiconductor

mje15034-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE15035G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJE15035G за ціною від 42.87 грн до 167.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+63.87 грн
100+60.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+70.16 грн
185+66.79 грн
250+63.39 грн
500+52.79 грн
800+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.30 грн
50+73.90 грн
100+67.84 грн
250+61.83 грн
500+53.37 грн
800+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+116.12 грн
250+104.51 грн
500+78.41 грн
1000+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D3C43AE9CE143&compId=MJE15035G.pdf?ci_sign=ec51d9acb16e0900b78fd023a8b0deb230dbb55e Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 350V
Power dissipation: 50W
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.01 грн
10+75.21 грн
17+56.21 грн
46+53.04 грн
250+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : onsemi mje15034-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.74 грн
50+71.79 грн
100+64.33 грн
500+48.08 грн
1000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : onsemi MJE15034_D-1811460.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.18 грн
10+78.14 грн
100+57.92 грн
500+46.51 грн
800+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D3C43AE9CE143&compId=MJE15035G.pdf?ci_sign=ec51d9acb16e0900b78fd023a8b0deb230dbb55e Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 350V
Power dissipation: 50W
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.61 грн
10+93.73 грн
17+67.45 грн
46+63.65 грн
250+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014594774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+167.97 грн
10+86.97 грн
100+72.73 грн
500+58.19 грн
1000+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.