Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE15035G
MJE15035G

MJE15035G ON Semiconductor

mje15034d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+53.79 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE15035G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJE15035G за ціною від 55.25 грн до 185.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJE15035G MJE15035G ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.79 грн
250+82.69 грн
500+78.52 грн
1000+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.02 грн
50+98.04 грн
100+85.38 грн
500+79.93 грн
1000+73.52 грн
2000+67.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+99.07 грн
145+98.10 грн
166+85.43 грн
500+79.97 грн
1000+73.56 грн
2000+67.47 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G ONSEMI MJE15035G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G onsemi mje15034-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.62 грн
50+88.04 грн
100+79.24 грн
500+59.90 грн
1000+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G onsemi mje15034-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 6925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G ONSEMI ONSM-S-A0014594774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G mje15034d.pdf
MJE15035G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
172+82.79 грн
250+82.69 грн
500+78.52 грн
1000+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G mje15034d.pdf
MJE15035G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+99.02 грн
50+98.04 грн
100+85.38 грн
500+79.93 грн
1000+73.52 грн
2000+67.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G mje15034d.pdf
MJE15035G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
144+99.07 грн
145+98.10 грн
166+85.43 грн
500+79.97 грн
1000+73.56 грн
2000+67.47 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G.pdf
MJE15035G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+130.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G mje15034-d.pdf
MJE15035G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.62 грн
50+88.04 грн
100+79.24 грн
500+59.90 грн
1000+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G mje15034-d.pdf
MJE15035G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 6925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G ONSM-S-A0014594774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE15035G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G mje15034d.pdf
MJE15035G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.