MJE15035G ON Semiconductor
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 48.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE15035G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJE15035G за ціною від 40.94 грн до 171.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE15035G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 350V 4A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 3058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE15035G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP |
на замовлення 1836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE15035G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| MJE15035G | Виробник : ONSEMI |
MJE15035G PNP THT transistors |
на замовлення 269 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |