Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE15035G
MJE15035G

MJE15035G ON Semiconductor

mje15034-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE15035G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJE15035G за ціною від 42.12 грн до 176.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+65.55 грн
100+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+72.00 грн
185+68.54 грн
250+65.06 грн
500+54.17 грн
800+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+77.28 грн
50+75.84 грн
100+69.63 грн
250+63.45 грн
500+54.78 грн
800+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+119.17 грн
250+107.25 грн
500+80.47 грн
1000+72.14 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ONSEMI MJE15035G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 350V
Power dissipation: 50W
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Type of transistor: PNP
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+124.52 грн
10+70.71 грн
50+57.40 грн
100+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ONSEMI MJE15035G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Mounting: THT
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 350V
Power dissipation: 50W
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.42 грн
10+88.11 грн
50+68.88 грн
100+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : onsemi mje15034-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.95 грн
50+74.10 грн
100+66.39 грн
500+49.63 грн
1000+45.55 грн
2000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : onsemi MJE15034-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.63 грн
10+75.40 грн
100+58.54 грн
500+49.27 грн
800+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014594774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+176.48 грн
10+91.38 грн
100+76.41 грн
500+61.14 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.