MJE15035G ON Semiconductor
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 256+ | 50.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE15035G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJE15035G за ціною від 38.37 грн до 197.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE15035G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 4A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE15035G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 350V 4A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE15035G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP |
на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE15035G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |