MJE15035G

MJE15035G ON Semiconductor


mje15034-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE15035G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJE15035G за ціною від 42.13 грн до 165.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+56.99 грн
100+53.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ONSEMI MJE15035G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.29 грн
10+88.44 грн
12+77.10 грн
32+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+105.54 грн
149+81.87 грн
168+72.81 грн
500+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+106.54 грн
250+96.63 грн
500+70.36 грн
1000+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ONSEMI MJE15035G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.22 грн
10+106.13 грн
12+92.52 грн
32+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+127.10 грн
10+97.61 грн
50+75.71 грн
100+64.93 грн
500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : onsemi mje15034-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.79 грн
50+68.54 грн
100+61.42 грн
500+45.90 грн
1000+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : onsemi MJE15034_D-1811460.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.47 грн
10+82.45 грн
100+60.01 грн
500+47.75 грн
800+45.57 грн
2400+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014594774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.25 грн
11+80.02 грн
100+69.85 грн
500+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15035G MJE15035G Виробник : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.