Продукція > ON > MJE170

MJE170 ON

mje171-d.pdf
Виробник: ON
09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE170 ON

Description: TRANS PNP 40V 3A TO126, Power - Max: 12.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: TO-126, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції MJE170

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJE170 On Semiconductor mje171-d.pdf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170 MJE170 onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A TO126
Power - Max: 12.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170 MJE170 onsemi MJE171-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170 mje171-d.pdf
Виробник: On Semiconductor
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170 mje171-d.pdf
MJE170
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A TO126
Power - Max: 12.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170 MJE171-D.PDF
MJE170
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.