Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE170G
MJE170G

MJE170G ON Semiconductor

mje171-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+36.86 грн
20+31.59 грн
100+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE170G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MJE170G за ціною від 19.14 грн до 91.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE170G MJE170G Виробник : onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 10573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.73 грн
10+49.36 грн
100+34.15 грн
500+25.60 грн
1000+23.48 грн
2000+21.69 грн
5000+19.40 грн
10000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G MJE170G Виробник : onsemi MJE171_D-2315848.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.94 грн
10+53.28 грн
100+32.75 грн
500+26.18 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G MJE170G Виробник : ONSEMI 1918737.pdf Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.42 грн
14+62.13 грн
100+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G MJE170G Виробник : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G Виробник : ON Semiconductor mje171-d.pdf
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G
Код товару: 161611
Додати до обраних Обраний товар

mje171-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G MJE170G Виробник : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G MJE170G Виробник : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G MJE170G Виробник : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.