MJE170G ON Semiconductor
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 22.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE170G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJE170G за ціною від 19.37 грн до 107.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE170G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 6890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJE170G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJE170G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 3A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 10573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJE170G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP |
на замовлення 701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJE170G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MJE170G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
MJE170G Код товару: 161611
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
MJE170G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
MJE170G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| MJE170G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 12.5W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 3A Power dissipation: 12.5W Case: TO225 Current gain: 50...250 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz |
товару немає в наявності |