Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJE170G

MJE170G

mje171-d.pdf
Код товару: 161611
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJE170G за ціною від 18.49 грн до 86.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJE170G MJE170G ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G MJE170G ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
868+40.69 грн
1000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G MJE170G ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
868+40.69 грн
1000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G MJE170G onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A TO-126
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
на замовлення 9122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.03 грн
10+52.04 грн
100+34.36 грн
500+25.12 грн
1000+22.82 грн
2000+20.89 грн
5000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G MJE170G onsemi MJE171-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G MJE170G ONSEMI 1918737.pdf Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G ON Semiconductor mje171-d.pdf
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G mje171-d.pdf
MJE170G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G mje171-d.pdf
MJE170G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
868+40.69 грн
1000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G mje171-d.pdf
MJE170G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
868+40.69 грн
1000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G mje171-d.pdf
MJE170G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A TO-126
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
на замовлення 9122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.03 грн
10+52.04 грн
100+34.36 грн
500+25.12 грн
1000+22.82 грн
2000+20.89 грн
5000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G MJE171-D.PDF
MJE170G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G 1918737.pdf
MJE170G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE170G mje171-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.