MJE170G ON Semiconductor
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 32.75 грн |
19+ | 31.1 грн |
100+ | 27.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE170G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MJE170G за ціною від 20.02 грн до 62.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJE170G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJE170G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJE170G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJE170G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 3A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJE170G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MJE170G Код товару: 161611 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
MJE170G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |