MJE171G ON Semiconductor
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 31.23 грн |
20+ | 29.62 грн |
100+ | 25.17 грн |
500+ | 22.26 грн |
1000+ | 16.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE171G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: -3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJE171G за ціною від 18.62 грн до 59.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJE171G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJE171G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 3A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 4609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJE171G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJE171G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJE171G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MJE171G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MJE171G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |