MJE171G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 33+ | 24.13 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
33 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE171G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: -3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJE171G за ціною від 22.90 грн до 117.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE171G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE171G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE171G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE171G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE171G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE171G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE171G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP |
на замовлення 2316 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE171G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJE171G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 614+ | 24.13 грн |
| MJE171G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 33.27 грн |
| MJE171G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 434+ | 34.17 грн |
| 481+ | 30.82 грн |
| 544+ | 27.22 грн |
| 1000+ | 24.74 грн |
| MJE171G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 38.06 грн |
| 24+ | 34.17 грн |
| 100+ | 30.82 грн |
| 500+ | 26.25 грн |
| 1000+ | 22.90 грн |
| MJE171G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 38.59 грн |
| 1000+ | 37.04 грн |
| MJE171G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS PNP 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.47 грн |
| 10+ | 65.57 грн |
| 100+ | 43.54 грн |
| MJE171G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.11 грн |
| 10+ | 72.76 грн |
| 100+ | 41.98 грн |
| 500+ | 35.44 грн |
| 1000+ | 32.93 грн |
| 3000+ | 27.38 грн |
| 6000+ | 25.02 грн |
| MJE171G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: -3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: -3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)