 
MJE18002G onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 65841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 420+ | 50.40 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE18002G onsemi
Description: TRANS NPN 450V 2A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V, Frequency - Transition: 13MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V, Power - Max: 50 W. 
Інші пропозиції MJE18002G за ціною від 50.56 грн до 70.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MJE18002G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | MJE18002G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 805 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | MJE18002G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 42976 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
|   | MJE18002G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 19860 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
| MJE18002G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MJE18002G - MJE18002G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 65841 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||
|   | MJE18002G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | |||||||||||
|   | MJE18002G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 450V 2A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | |||||||||||
|   | MJE18002G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN | товару немає в наявності |