MJE18004G ON Semiconductor
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 47.89 грн |
| 50+ | 45.39 грн |
| 100+ | 42.73 грн |
| 500+ | 38.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE18004G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 13MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJE18004G за ціною від 33.03 грн до 152.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE18004G | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MJE18004G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJE18004G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 13MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJE18004G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 75 W |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJE18004G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| MJE18004G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 5A 1000V 75W MJE18004G TMJE18004 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MJE18004G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
|
|
MJE18004G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
MJE18004G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |