
MJE18004G ON Semiconductor
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 47.43 грн |
50+ | 44.95 грн |
100+ | 42.32 грн |
500+ | 38.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE18004G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 13MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJE18004G за ціною від 32.71 грн до 147.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJE18004G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE18004G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE18004G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 13MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE18004G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 75 W |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE18004G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
MJE18004G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJE18004G | Виробник : Aptina Imaging |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
MJE18004G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
MJE18004G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |