Продукція > ONSEMI > MJE18006G
MJE18006G

MJE18006G onsemi

mje18006-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE18006G onsemi

Description: TRANS NPN 450V 6A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V, Frequency - Transition: 14MHz, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V, Power - Max: 100 W.

Інші пропозиції MJE18006G за ціною від 84.18 грн до 117.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE18006G MJE18006G Виробник : ON Semiconductor mje18006-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+117.31 грн
500+104.96 грн
1000+97.02 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006G MJE18006G Виробник : ON Semiconductor mje18006-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+117.31 грн
500+104.96 грн
1000+97.02 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006G MJE18006G Виробник : ON Semiconductor mje18006-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+117.31 грн
500+104.96 грн
1000+97.02 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014594750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE18006G - MJE18006G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+84.18 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006G mje18006-d.pdf
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006G MJE18006G Виробник : ON Semiconductor mje18006-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006G MJE18006G Виробник : onsemi mje18006-d.pdf Description: TRANS NPN 450V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18006G MJE18006G Виробник : onsemi MJE18006_D-2316059.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 450V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.