
MJE18008G ON Semiconductor
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 40.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE18008G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 13MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJE18008G за ціною від 62.52 грн до 228.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE18008G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 13MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE18008G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 125 W |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE18008G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 3654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
MJE18008G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJE18008G | Виробник : Aptina Imaging |
![]() |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |