MJE18008G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 53.13 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
15 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE18008G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: -, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 13MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJE18008G за ціною від 63.16 грн до 264.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJE18008G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE18008G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE18008G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE18008G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE18008G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE18008G | onsemi |
Description: TRANS NPN 450V 8A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 125 W |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE18008G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN |
на замовлення 3201 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE18008G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: - SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 13MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MJE18008G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 147.76 грн |
| 100+ | 139.43 грн |
| 250+ | 135.98 грн |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 101+ | 147.97 грн |
| 107+ | 139.62 грн |
| 250+ | 136.18 грн |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 161.74 грн |
| 50+ | 122.05 грн |
| 100+ | 116.06 грн |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 92+ | 161.74 грн |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 72+ | 205.89 грн |
| 250+ | 192.07 грн |
| 500+ | 154.76 грн |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
Description: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 222.16 грн |
| 50+ | 106.72 грн |
| 100+ | 96.32 грн |
| 500+ | 73.28 грн |
| 1000+ | 67.78 грн |
| 2000+ | 63.16 грн |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 264.38 грн |
| 10+ | 169.66 грн |
| 100+ | 101.14 грн |
| 500+ | 85.17 грн |
| 800+ | 78.33 грн |
| 2400+ | 73.23 грн |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: -
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: -
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






