Технічний опис MJE18008G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 13MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJE18008G за ціною від 61.59 грн до 216.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJE18008G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE18008G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE18008G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE18008G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE18008G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE18008G | onsemi |
Description: TRANS NPN 450V 8A TO-220Power - Max: 125 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 13MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE18008G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MJE18008G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 13MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MJE18008G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE18008G | ON-Semiconductor |
NPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 140.85 грн |
| 100+ | 132.91 грн |
| 250+ | 129.61 грн |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 101+ | 141.04 грн |
| 107+ | 133.09 грн |
| 250+ | 129.80 грн |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 154.17 грн |
| 50+ | 116.34 грн |
| 100+ | 110.63 грн |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 92+ | 154.17 грн |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 72+ | 196.25 грн |
| 250+ | 183.08 грн |
| 500+ | 147.52 грн |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 216.63 грн |
| 50+ | 104.06 грн |
| 100+ | 93.92 грн |
| 500+ | 71.46 грн |
| 1000+ | 66.10 грн |
| 2000+ | 61.59 грн |
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJE18008G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
кількість в упаковці: 10 шт
NPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 87.13 грн |






