Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE18008G
MJE18008G

MJE18008G ON Semiconductor

mje18008-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE18008G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 13MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJE18008G за ціною від 64.57 грн до 227.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE18008G MJE18008G Виробник : ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+121.36 грн
107+114.51 грн
250+111.68 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008G MJE18008G Виробник : ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+129.84 грн
100+122.52 грн
250+119.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008G MJE18008G Виробник : ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008G MJE18008G Виробник : ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+142.12 грн
50+107.25 грн
100+101.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008G MJE18008G Виробник : ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+168.86 грн
250+157.52 грн
500+126.93 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008G MJE18008G Виробник : onsemi MJE18008_D-1811558.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.82 грн
10+108.96 грн
100+81.86 грн
500+74.96 грн
800+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008G MJE18008G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013298799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+187.92 грн
10+177.71 грн
100+102.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008G MJE18008G Виробник : onsemi mje18008-d.pdf Description: TRANS NPN 450V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.12 грн
50+109.10 грн
100+98.47 грн
500+74.92 грн
1000+69.30 грн
2000+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008G MJE18008G Виробник : ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008G Виробник : ON-Semicoductor mje18008-d.pdf NPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008G MJE18008G Виробник : ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008G MJE18008G Виробник : ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE18008G MJE18008G Виробник : ON Semiconductor mje18008-d.pdf Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.