Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJE180G

MJE180G

mje171-d.pdf
Код товару: 161612
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJE180G за ціною від 33.45 грн до 120.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE180G MJE180G Виробник : On Semiconductor mje171-d.pdf NPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G MJE180G Виробник : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
248+56.39 грн
500+52.09 грн
1000+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G MJE180G Виробник : onsemi mje171-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.53 грн
10+65.74 грн
100+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G MJE180G Виробник : onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.35 грн
10+71.57 грн
100+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G MJE180G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+120.88 грн
15+55.82 грн
100+40.65 грн
500+36.99 грн
1000+33.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G MJE180G Виробник : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.