MJE180G ON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 86.56 грн |
| 10+ | 62.26 грн |
| 100+ | 44.07 грн |
| 500+ | 33.50 грн |
| 1000+ | 25.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE180G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJE180G за ціною від 28.03 грн до 121.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE180G | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE180G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE180G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJE180G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MJE180G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MJE180G | Виробник : On Semiconductor |
NPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) |
на замовлення 3550 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
MJE180G Код товару: 161612
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
MJE180G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |