Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE180G
MJE180G

MJE180G ON Semiconductor

mje171-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
248+50.02 грн
500+46.20 грн
1000+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE180G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJE180G за ціною від 27.46 грн до 123.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE180G MJE180G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.66 грн
12+73.85 грн
100+55.17 грн
500+40.17 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G MJE180G Виробник : onsemi MJE171_D-1811380.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.26 грн
10+68.41 грн
100+45.74 грн
500+34.82 грн
1000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G MJE180G Виробник : onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.91 грн
10+75.57 грн
100+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G Виробник : On Semiconductor mje171-d.pdf NPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3)
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G
Код товару: 161612
Додати до обраних Обраний товар

mje171-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G MJE180G Виробник : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G MJE180G Виробник : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.