Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJE180G за ціною від 47.69 грн до 117.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJE180G | On Semiconductor |
NPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) Транзистори |
на замовлення 3550 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||
|
MJE180G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
MJE180G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V |
на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
MJE180G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 12.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MJE180G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJE180G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) Транзистори
NPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) Транзистори
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.88 грн |
| MJE180G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 248+ | 57.03 грн |
| 500+ | 52.68 грн |
| 1000+ | 51.89 грн |
| MJE180G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.31 грн |
| 10+ | 71.54 грн |
| 100+ | 47.69 грн |
| MJE180G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






