Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJE180G

MJE180G

mje171-d.pdf
Код товару: 161612
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJE180G за ціною від 28.06 грн до 120.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJE180G MJE180G On Semiconductor mje171-d.pdf NPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) Транзистори
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
14+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G MJE180G ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+59.83 грн
500+55.26 грн
1000+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G MJE180G onsemi mje171-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
на замовлення 565 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+119.77 грн
10+73.90 грн
100+44.03 грн
500+37.19 грн
1000+30.11 грн
6000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G MJE180G onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.31 грн
10+73.37 грн
100+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G MJE180G ONSEMI mje171-d.pdf Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G mje171-d.pdf
MJE180G
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) Транзистори
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G mje171-d.pdf
MJE180G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
248+59.83 грн
500+55.26 грн
1000+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G mje171-d.pdf
MJE180G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
на замовлення 565 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.77 грн
10+73.90 грн
100+44.03 грн
500+37.19 грн
1000+30.11 грн
6000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G mje171-d.pdf
MJE180G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.31 грн
10+73.37 грн
100+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE180G mje171-d.pdf
MJE180G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.