MJE181G ON Semiconductor


mje171-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+33.30 грн
25+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 24 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE181G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.5 W.

Інші пропозиції MJE181G за ціною від 24.38 грн до 88.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJE181G MJE181G ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+34.67 грн
1000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G MJE181G onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.29 грн
10+52.57 грн
100+34.59 грн
500+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G MJE181G onsemi mje171-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+88.65 грн
10+55.03 грн
100+31.52 грн
500+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G Aptina Imaging mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G mje171-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+34.67 грн
1000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G mje171-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.29 грн
10+52.57 грн
100+34.59 грн
500+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G mje171-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.65 грн
10+55.03 грн
100+31.52 грн
500+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G mje171-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.