
MJE181G ON Semiconductor
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 25.88 грн |
25+ | 24.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE181G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.5 W.
Інші пропозиції MJE181G за ціною від 19.13 грн до 89.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJE181G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJE181G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJE181G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MJE181G | Виробник : Aptina Imaging |
![]() |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
MJE181G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MJE181G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MJE181G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 12.5W; TO225 Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Current gain: 50...250 Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 50MHz Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MJE181G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 12.5W; TO225 Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Current gain: 50...250 Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 50MHz Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar |
товару немає в наявності |