MJE181G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 32.22 грн |
| 25+ | 30.35 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
24 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE181G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.5 W.
Інші пропозиції MJE181G за ціною від 22.43 грн до 77.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE181G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MJE181G | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MJE181G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN |
на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MJE181G | Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. |
| MJE181G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 33.55 грн |
| 1000+ | 31.43 грн |
| MJE181G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 77.56 грн |
| 10+ | 46.88 грн |
| 100+ | 30.79 грн |
| 500+ | 22.43 грн |
| MJE181G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJE181G |
|
Виробник: Aptina Imaging
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)