MJE181G

MJE181G ON Semiconductor


mje171-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+25.88 грн
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE181G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.5 W.

Інші пропозиції MJE181G за ціною від 19.13 грн до 89.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE181G MJE181G Виробник : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+29.01 грн
1000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G MJE181G Виробник : onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.10 грн
10+51.90 грн
100+34.09 грн
500+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G MJE181G Виробник : onsemi MJE171_D-1811380.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.11 грн
10+57.82 грн
100+34.67 грн
500+25.49 грн
1000+21.12 грн
3000+20.05 грн
6000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G Виробник : Aptina Imaging mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G MJE181G Виробник : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G MJE181G Виробник : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G MJE181G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBCAD4FDD0532469&compId=MJE172G.PDF?ci_sign=3c6dadb8fcbe5fae378ccaa3a3322e208487e487 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 12.5W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 50...250
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 50MHz
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE181G MJE181G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBCAD4FDD0532469&compId=MJE172G.PDF?ci_sign=3c6dadb8fcbe5fae378ccaa3a3322e208487e487 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 12.5W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 50...250
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 50MHz
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.