MJE181G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 32.08 грн |
| 25+ | 30.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE181G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126, Power - Max: 1.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: TO-126, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MJE181G за ціною від 31.29 грн до 79.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE181G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
MJE181G | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
MJE181G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN |
на замовлення 1797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MJE181G | Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. |
| MJE181G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 33.40 грн |
| 1000+ | 31.29 грн |
| MJE181G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 79.77 грн |
| 10+ | 48.12 грн |
| 100+ | 31.64 грн |
| MJE181G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJE181G |
|
Виробник: Aptina Imaging
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)