Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJE182G
MJE182G

MJE182G

mje171-d.pdf
Код товару: 62118
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJE182G за ціною від 12.85 грн до 111.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJE182G MJE182G ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.69 грн
1000+33.31 грн
2500+33.02 грн
5000+31.10 грн
7500+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G MJE182G ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+70.63 грн
302+46.62 грн
500+36.09 грн
1000+32.60 грн
2000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G MJE182G ONSEMI MJE172G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.39 грн
10+44.97 грн
50+35.17 грн
100+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G MJE182G onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 5162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.90 грн
10+50.70 грн
100+33.39 грн
500+24.37 грн
1000+22.13 грн
2000+20.24 грн
5000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G MJE182G ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.36 грн
11+70.63 грн
100+46.62 грн
500+34.80 грн
1000+30.19 грн
2000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G MJE182G ONSEMI ONSM-S-A0013299475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G MJE182G onsemi mje171-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN
на замовлення 6580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G ON-Semiconductor mje171-d.pdf NPN 3A 80V 12.5W 50MHz MJE182 TO126 TMJE182
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G mje171-d.pdf
MJE182G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+36.69 грн
1000+33.31 грн
2500+33.02 грн
5000+31.10 грн
7500+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G mje171-d.pdf
MJE182G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
199+70.63 грн
302+46.62 грн
500+36.09 грн
1000+32.60 грн
2000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G MJE172G.PDF
MJE182G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 50...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.39 грн
10+44.97 грн
50+35.17 грн
100+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G mje171-d.pdf
MJE182G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 5162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.90 грн
10+50.70 грн
100+33.39 грн
500+24.37 грн
1000+22.13 грн
2000+20.24 грн
5000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G mje171-d.pdf
MJE182G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+111.36 грн
11+70.63 грн
100+46.62 грн
500+34.80 грн
1000+30.19 грн
2000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G ONSM-S-A0013299475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE182G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G mje171-d.pdf
MJE182G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN
на замовлення 6580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE182G mje171-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 3A 80V 12.5W 50MHz MJE182 TO126 TMJE182
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.