MJE200G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 35.15 грн |
| 1000+ | 33.58 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE200G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJE200G за ціною від 21.33 грн до 87.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE200G | onsemi |
 Description: TRANS NPN 40V 5A TO-126Power - Max: 15 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 65MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 2516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJE200G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
MJE200G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE200G | ON |
08+ DIP-8 |
на замовлення 734 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJE200G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 5A TO-126
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 40V 5A TO-126
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
на замовлення 2516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.03 грн |
| 10+ | 53.10 грн |
| 100+ | 35.07 грн |
| 500+ | 25.64 грн |
| 1000+ | 23.30 грн |
| 2000+ | 21.33 грн |
| MJE200G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJE200G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)