Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE200G
MJE200G

MJE200G ON Semiconductor

mje200-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+30.83 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE200G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJE200G за ціною від 21.36 грн до 101.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE200G MJE200G Виробник : onsemi mje200-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.64 грн
10+54.89 грн
100+36.25 грн
500+26.50 грн
1000+24.08 грн
2000+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200G MJE200G Виробник : onsemi MJE200-D.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.88 грн
10+59.99 грн
100+34.95 грн
500+27.10 грн
1000+22.57 грн
3000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200G MJE200G Виробник : ONSEMI ONSMS37833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.62 грн
13+65.21 грн
100+43.10 грн
500+31.45 грн
1000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200G Виробник : ON mje200-d.pdf 08+ DIP-8
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200G MJE200G Виробник : ON Semiconductor mje200-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE200G MJE200G Виробник : ON Semiconductor mje200cn-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.