на замовлення 3185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.32 грн |
| 10+ | 45.53 грн |
| 100+ | 30.95 грн |
| 500+ | 25.11 грн |
| 1000+ | 22.65 грн |
| 6000+ | 20.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE200G onsemi
Description: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJE200G за ціною від 18.96 грн до 58.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE200G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
.JPG "MJE200G") |
MJE200G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 15 W |
на замовлення 7356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJE200G | Виробник : ON |
08+ DIP-8 |
на замовлення 734 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
MJE200G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJE200G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |