MJE200STU onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE200STU onsemi
Description: TRANS NPN 25V 5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 65MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 15 W.
Інші пропозиції MJE200STU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE200STU | ON Semiconductor / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 3723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJE200STU |
|
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJE200STU |
|
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)