MJE210G ON Semiconductor
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 33.97 грн |
| 19+ | 31.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE210G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJE210G за ціною від 19.54 грн до 63.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE210G | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP |
на замовлення 1442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
.JPG "MJE210G") |
MJE210G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 15 W |
на замовлення 4339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE210G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE210G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
MJE210G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
MJE210G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MJE210G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MJE210G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |