MJE243G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 342+ | 41.39 грн |
| 373+ | 38.02 грн |
| 507+ | 27.94 грн |
| 1000+ | 24.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE243G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJE243G за ціною від 18.53 грн до 99.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJE243G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE243G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE243G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 12643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE243G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 15W Case: TO225 Current gain: 40...180 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 40MHz |
на замовлення 1068 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE243G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE243G | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJE243G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE243G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MJE243G | ON-Semiconductor |
NPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 860 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MJE243G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 43.07 грн |
| 1000+ | 37.05 грн |
| 2500+ | 35.04 грн |
| MJE243G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 284+ | 49.84 грн |
| 319+ | 44.41 грн |
| 500+ | 29.99 грн |
| 1000+ | 25.05 грн |
| MJE243G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 12643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 64.84 грн |
| 19+ | 41.39 грн |
| 100+ | 38.02 грн |
| 500+ | 26.94 грн |
| 1000+ | 22.52 грн |
| MJE243G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 66.07 грн |
| 11+ | 39.05 грн |
| 50+ | 30.84 грн |
| 100+ | 27.53 грн |
| 200+ | 25.21 грн |
| MJE243G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 76.91 грн |
| 17+ | 47.90 грн |
| 100+ | 33.67 грн |
| 500+ | 22.91 грн |
| 1000+ | 19.36 грн |
| 5000+ | 18.53 грн |
| MJE243G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS NPN 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.92 грн |
| 10+ | 50.07 грн |
| 100+ | 32.95 грн |
| 500+ | 24.03 грн |
| MJE243G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.38 грн |
| 10+ | 51.96 грн |
| 100+ | 29.83 грн |
| MJE243G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 99.17 грн |
| 16+ | 49.83 грн |
| 100+ | 44.41 грн |
| 500+ | 28.92 грн |
| 1000+ | 23.19 грн |






