Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE253G
MJE253G

MJE253G ON Semiconductor

mje243-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE253G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJE253G за ціною від 17.27 грн до 90.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE253G MJE253G Виробник : ON Semiconductor mje243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+25.45 грн
1000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253G MJE253G Виробник : ON Semiconductor mje243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+27.56 грн
1000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253G MJE253G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D4DC6B5DBC143&compId=MJE253G.pdf?ci_sign=1e5839339a0c96363578a7e96740b7bcf7392b66 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: bulk
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.41 грн
11+37.65 грн
35+27.04 грн
95+25.55 грн
250+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253G MJE253G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D4DC6B5DBC143&compId=MJE253G.pdf?ci_sign=1e5839339a0c96363578a7e96740b7bcf7392b66 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.09 грн
10+46.92 грн
35+32.45 грн
95+30.66 грн
250+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253G MJE253G Виробник : onsemi mje243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 10100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.34 грн
10+52.74 грн
100+34.70 грн
500+25.31 грн
1000+22.97 грн
2000+21.00 грн
5000+18.56 грн
10000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253G MJE253G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.88 грн
18+47.91 грн
100+35.21 грн
500+24.52 грн
1000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253G MJE253G Виробник : onsemi MJE243_D-1811619.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
на замовлення 9447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.68 грн
10+53.89 грн
100+31.77 грн
500+22.94 грн
1000+20.60 грн
5000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253G MJE253G Виробник : ON Semiconductor mje243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253G MJE253G Виробник : ON Semiconductor mje243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.