MJE253G

MJE253G ON Semiconductor


mje243-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE253G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJE253G за ціною від 18.6 грн до 106.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJE253G MJE253G Виробник : ON Semiconductor mje243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+25.02 грн
1000+ 18.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE253G MJE253G Виробник : ON Semiconductor mje243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+27.2 грн
1000+ 20.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE253G MJE253G Виробник : onsemi MJE243_D-2316040.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
на замовлення 16455 шт:
термін постачання 162-171 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.58 грн
10+ 40.56 грн
100+ 27.43 грн
500+ 22.78 грн
1000+ 18.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE253G MJE253G Виробник : ONSEMI MJE253G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 15...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+88.67 грн
12+ 31.14 грн
25+ 27.47 грн
34+ 23.73 грн
93+ 22.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE253G MJE253G Виробник : ONSEMI MJE253G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 15...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 472 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.41 грн
7+ 38.8 грн
25+ 32.96 грн
34+ 28.48 грн
93+ 26.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE253G MJE253G Виробник : ON Semiconductor mje243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
MJE253G MJE253G Виробник : ON Semiconductor mje243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
MJE253G MJE253G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товар відсутній
MJE253G MJE253G Виробник : onsemi mje243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній