MJE253G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 28.97 грн |
| 1000+ | 26.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE253G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJE253G за ціною від 15.96 грн до 89.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE253G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJE253G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 17196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJE253G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP |
на замовлення 6819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJE253G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJE253G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
MJE253G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| MJE253G | Виробник : On Semiconductor |
PNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 40МГц, 15Вт, TO-225AA (комплемент. MJE243) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| MJE253G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 4 А, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт кількість в упаковці: 500 шт |
товару немає в наявності |