MJE253G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 52.95 грн |
| 1000+ | 44.07 грн |
| 2500+ | 38.88 грн |
| 5000+ | 33.94 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE253G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJE253G за ціною від 11.87 грн до 89.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE253G | ONSEMI |
 Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 15W Case: TO225 Current gain: 40...180 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 40MHz |
на замовлення 515 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJE253G | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 4638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJE253G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP |
на замовлення 7750 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJE253G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
MJE253G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE253G | CDIL |
PNP 4A 100V 15W TMJE253 TMJE253 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MJE253G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 75.54 грн |
| 10+ | 42.67 грн |
| 50+ | 37.14 грн |
| 100+ | 28.80 грн |
| 250+ | 26.41 грн |
| 500+ | 25.83 грн |
| MJE253G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS PNP 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 4638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.16 грн |
| 10+ | 52.66 грн |
| 100+ | 34.72 грн |
| 500+ | 25.31 грн |
| 1000+ | 22.97 грн |
| 2000+ | 21.01 грн |
| MJE253G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.59 грн |
| 10+ | 55.17 грн |
| 100+ | 31.67 грн |
| 500+ | 24.50 грн |
| MJE253G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJE253G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)