MJE271G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE271G onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V, Frequency - Transition: 6MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.5 W.
Інші пропозиції MJE271G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MJE271G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 7478 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJE271G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


