MJE2955TG ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 411+ | 35.66 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
411 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE2955TG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 75W, SVHC: Lead (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJE2955TG за ціною від 31.22 грн до 200.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE2955TG | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE2955TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE2955TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE2955TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE2955TG | ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 2MHz Current gain: 20...100 |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE2955TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE2955TG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP |
на замовлення 2909 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE2955TG | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE2955TG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 75W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJE2955TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 382+ | 38.44 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 55.27 грн |
| 18+ | 45.60 грн |
| 100+ | 41.21 грн |
| 500+ | 36.94 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 70.31 грн |
| 100+ | 54.42 грн |
| 500+ | 46.85 грн |
| 1000+ | 41.43 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 70.31 грн |
| 270+ | 54.42 грн |
| 500+ | 46.85 грн |
| 1000+ | 41.43 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Current gain: 20...100
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Current gain: 20...100
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 106.06 грн |
| 10+ | 68.77 грн |
| 24+ | 41.43 грн |
| 65+ | 39.22 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 137+ | 107.30 грн |
| 500+ | 96.96 грн |
| 1000+ | 96.16 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137.81 грн |
| 10+ | 81.85 грн |
| 100+ | 55.37 грн |
| 500+ | 51.24 грн |
| 2900+ | 46.80 грн |
| 5800+ | 34.46 грн |
| 10150+ | 31.22 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 200.76 грн |
| 50+ | 95.04 грн |
| 100+ | 85.54 грн |
| 500+ | 64.60 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)