MJE2955TG ON Semiconductor
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 34.93 грн |
| 100+ | 33.04 грн |
| 500+ | 29.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE2955TG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJE2955TG за ціною від 28.40 грн до 123.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE2955TG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJE2955TG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJE2955TG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJE2955TG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJE2955TG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE2955TG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE2955TG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP |
на замовлення 3322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE2955TG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJE2955TG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
MJE2955TG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |