MJE2955TG ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 18.38 грн |
| 42+ | 17.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE2955TG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJE2955TG за ціною від 18.38 грн до 180.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE2955TG | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJE2955TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJE2955TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJE2955TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJE2955TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJE2955TG | ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB Mounting: THT Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 125W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 20...100 Kind of package: tube Case: TO220AB Frequency: 2MHz Collector current: 10A |
на замовлення 131 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJE2955TG | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
на замовлення 2827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJE2955TG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP |
на замовлення 911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
MJE2955TG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE2955TG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJE2955TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 765+ | 18.38 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 382+ | 36.87 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 282+ | 49.93 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 281+ | 50.15 грн |
| 500+ | 49.37 грн |
| 1000+ | 45.07 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 68.04 грн |
| 16+ | 49.93 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 125W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 20...100
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 2MHz
Collector current: 10A
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 125W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 20...100
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 2MHz
Collector current: 10A
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 97.56 грн |
| 10+ | 44.56 грн |
| 50+ | 36.57 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 180.89 грн |
| 50+ | 85.89 грн |
| 100+ | 77.29 грн |
| 500+ | 58.37 грн |
| 1000+ | 53.82 грн |
| 2000+ | 50.00 грн |
| MJE2955TG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJE2955TG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJE2955TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)