на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 28.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE3055T ST
Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Можливі заміни MJE3055T ST
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJE3055T Код товару: 190953
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : JSMICRO |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-220AB fT: 2 MHz Uceo,V: 60 V Ucbo,V: 70 V Ic,A: 10 A h21: 100 Монтаж: THT |
у наявності: 90 шт
60 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції MJE3055T за ціною від 14.80 грн до 146.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJE3055T Код товару: 190953
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : JSMICRO |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-220AB fT: 2 MHz Uceo,V: 60 V Ucbo,V: 70 V Ic,A: 10 A h21: 100 Монтаж: THT |
у наявності: 90 шт
60 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
|
MJE3055T | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJE3055T | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJE3055T | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJE3055T | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 1974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJE3055T | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 70V Collector current: 10A Power dissipation: 90W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 2MHz |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJE3055T | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
на замовлення 6843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJE3055T | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch |
на замовлення 3667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJE3055T | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJE3055T | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJE3055T | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor NPN; 70; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
MJE3055T (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26410
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-220AB fT: 2 MHz Uceo,V: 60 V Ucbo,V: 70 V Ic,A: 10 А h21: 100 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
| MJE3055T | Виробник : STM |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
MJE3055T | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
товару немає в наявності |






