MJE3055TG

MJE3055TG ON Semiconductor


mje2955t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
303+40.42 грн
500+37.33 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 303
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE3055TG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJE3055TG за ціною від 20.96 грн до 102.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE3055TG MJE3055TG Виробник : ON Semiconductor mje2955t-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+46.20 грн
301+40.75 грн
302+40.51 грн
500+32.70 грн
1000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG Виробник : ON Semiconductor mje2955t-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG Виробник : ON Semiconductor mje2955t-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+49.50 грн
100+43.66 грн
250+43.40 грн
500+35.04 грн
1000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0011213330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.56 грн
100+41.23 грн
500+32.78 грн
1000+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG Виробник : onsemi MJE2955T_D-1811462.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.50 грн
10+51.20 грн
100+33.58 грн
500+27.84 грн
1000+26.34 грн
2900+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG Виробник : onsemi mje2955t-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 22584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.03 грн
50+46.08 грн
100+41.02 грн
500+30.14 грн
1000+27.45 грн
2000+25.18 грн
5000+22.36 грн
10000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG Виробник : ON Semiconductor mje2955t-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG Виробник : ON Semiconductor mje2955t-d.pdf
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG Виробник : ON Semiconductor mje2955t-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG Виробник : ON Semiconductor mje2955t-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG Виробник : ONSEMI mje2955t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.