MJE3055TG ON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1450+ | 24.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE3055TG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJE3055TG за ціною від 21.11 грн до 61.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE3055TG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJE3055TG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJE3055TG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE3055TG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN |
на замовлення 17429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJE3055TG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE3055TG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
на замовлення 5901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE3055TG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJE3055TG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
MJE3055TG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |