Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE3055TG
MJE3055TG

MJE3055TG ON Semiconductor

mje2955t-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
318+44.51 грн
500+40.87 грн
1000+40.31 грн
2500+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE3055TG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 75W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJE3055TG за ціною від 26.50 грн до 172.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+44.68 грн
100+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG ONSEMI mje2955t-d.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.80 грн
10+65.50 грн
50+44.46 грн
100+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG ONSEMI ONSM-S-A0011213330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.96 грн
18+48.27 грн
100+42.92 грн
500+31.38 грн
1000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.63 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG onsemi mje2955t-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
на замовлення 5663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.17 грн
10+61.52 грн
100+44.33 грн
500+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG onsemi mje2955t-d.pdf description Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 28130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.86 грн
50+81.91 грн
100+73.64 грн
500+55.49 грн
1000+51.11 грн
2000+47.43 грн
5000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG ON Semiconductor mje2955t-d.pdf description
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+44.68 грн
100+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+86.80 грн
10+65.50 грн
50+44.46 грн
100+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG description ONSM-S-A0011213330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE3055TG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+101.96 грн
18+48.27 грн
100+42.92 грн
500+31.38 грн
1000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
130+109.63 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
на замовлення 5663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.17 грн
10+61.52 грн
100+44.33 грн
500+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 28130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.86 грн
50+81.91 грн
100+73.64 грн
500+55.49 грн
1000+51.11 грн
2000+47.43 грн
5000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
MJE3055TG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TG description mje2955t-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.