
MJE3055TG ON Semiconductor
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
303+ | 40.42 грн |
500+ | 37.33 грн |
1000+ | 35.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE3055TG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJE3055TG за ціною від 20.96 грн до 102.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJE3055TG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJE3055TG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJE3055TG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJE3055TG | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJE3055TG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJE3055TG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
на замовлення 22584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MJE3055TG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
MJE3055TG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
MJE3055TG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
MJE3055TG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
MJE3055TG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Current gain: 20...100 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 2MHz |
товару немає в наявності |