MJE3055TG ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 62.22 грн |
| 50+ | 61.60 грн |
| 100+ | 56.16 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE3055TG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 75W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJE3055TG за ціною від 32.20 грн до 181.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE3055TG | ONSEMI |
  Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 10A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 2MHz Current gain: 20...100 |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJE3055TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE3055TG | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
на замовлення 27817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE3055TG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN |
на замовлення 13747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
MJE3055TG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 75W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MJE3055TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MJE3055TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
MJE3055TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| MJE3055TG |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Current gain: 20...100
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Current gain: 20...100
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 91.22 грн |
| 10+ | 58.71 грн |
| 50+ | 37.99 грн |
| 100+ | 32.20 грн |
| MJE3055TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 137+ | 103.64 грн |
| 500+ | 69.40 грн |
| MJE3055TG |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 27817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 181.84 грн |
| 50+ | 85.76 грн |
| 100+ | 77.10 грн |
| 500+ | 58.10 грн |
| 1000+ | 53.52 грн |
| 2000+ | 49.67 грн |
| 5000+ | 44.75 грн |
| 10000+ | 43.80 грн |
| MJE3055TG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
на замовлення 13747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJE3055TG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJE3055TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJE3055TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJE3055TG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)