Технічний опис MJE340-STU ONS/FAI
Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 20 W.
Інші пропозиції MJE340-STU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE340STU | onsemi |
 Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MJE340STU | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
MJE340STU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MJE340STU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MJE340STU |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MJE340STU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.