Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE350G
MJE350G

MJE350G ON Semiconductor

mje350-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.6 грн
Мінімальне замовлення: 18
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE350G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 20 W.

Інші пропозиції MJE350G за ціною від 11.12 грн до 48.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJE350G MJE350G Виробник : onsemi MJE350_D-2315746.pdf Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
на замовлення 25162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.36 грн
10+ 34.63 грн
100+ 23.52 грн
500+ 19.83 грн
1000+ 16.27 грн
3000+ 15.68 грн
27000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE350G MJE350G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0011482882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 20W
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+40.13 грн
22+ 34.66 грн
100+ 28.97 грн
500+ 20.25 грн
1000+ 16.91 грн
5000+ 15.14 грн
Мінімальне замовлення: 19
MJE350G MJE350G Виробник : ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+40.54 грн
16+ 38.53 грн
100+ 26.97 грн
500+ 21.69 грн
1000+ 15.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJE350G MJE350G Виробник : ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
281+41.55 грн
402+ 29.09 грн
500+ 24.26 грн
1000+ 17.96 грн
Мінімальне замовлення: 281
MJE350G MJE350G Виробник : onsemi mje350-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.46 грн
10+ 40.49 грн
100+ 28.04 грн
500+ 21.99 грн
1000+ 18.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE350G Виробник : JSMicro Semiconductor mje350-d.pdf Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJE350G Виробник : ON Semiconductor mje350-d.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+13.57 грн
50+ 12.67 грн
100+ 11.76 грн
Мінімальне замовлення: 46
MJE350G Виробник : ON-Semicoductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
MJE350G MJE350G
Код товару: 112488 		mje350-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJE350G MJE350G Виробник : ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
MJE350G MJE350G Виробник : ONSEMI MJE350G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MJE350G MJE350G Виробник : ONSEMI MJE350G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товар відсутній