.JPG "MJE350G")
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJE350G за ціною від 12.67 грн до 110.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE350G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 9140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJE350G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 9155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJE350G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE350G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 20W Case: TO225 Current gain: 30...240 Mounting: THT Kind of package: bulk |
на замовлення 430 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE350G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 6526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE350G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP |
на замовлення 10849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE350G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJE350G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MJE350G | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MJE350G | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MJE350G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MJE350G | Виробник : On Semiconductor |
PNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20Вт, TO-225AA Pb Free Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |