Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE350G
MJE350G

MJE350G ON Semiconductor

mje350-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+34.39 грн
1000+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE350G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJE350G за ціною від 12.71 грн до 110.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE350G MJE350G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0011482882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.57 грн
16+52.50 грн
100+37.96 грн
500+27.75 грн
1000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G Виробник : onsemi MJE350-D.pdf Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
на замовлення 12064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.42 грн
10+49.04 грн
100+31.08 грн
500+24.16 грн
1000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G Виробник : onsemi mje350-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 10346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.56 грн
10+54.60 грн
100+36.15 грн
500+26.49 грн
1000+24.10 грн
2000+22.08 грн
5000+19.58 грн
10000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G Виробник : JSMicro Semiconductor mje350-d.pdf Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G Виробник : ON-Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G Виробник : ONSEMI mje350-d.pdf MJE350G PNP THT transistors
на замовлення 282 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.38 грн
34+35.90 грн
91+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G Виробник : ON Semiconductor mje350-d.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G
Код товару: 112488
Додати до обраних Обраний товар

mje350-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G Виробник : ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.