MJE350G ON Semiconductor
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 37.35 грн |
| 1000+ | 34.04 грн |
| 2500+ | 32.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE350G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJE350G за ціною від 12.66 грн до 108.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE350G | Виробник : ONSEMI |
 Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 20W Case: TO225 Current gain: 30...240 Mounting: THT Kind of package: bulk |
на замовлення 699 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE350G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP |
на замовлення 10911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE350G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJE350G | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MJE350G | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MJE350G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA |
на замовлення 60 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
.JPG "MJE350G") |
MJE350G Код товару: 112488
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
|
|
MJE350G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
MJE350G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W |
товару немає в наявності |