Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE350G
MJE350G

MJE350G ON Semiconductor

mje350-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 13160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE350G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJE350G за ціною від 11.25 грн до 95.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE350G MJE350G Виробник : ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+35.11 грн
1000+33.49 грн
2500+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G Виробник : ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+39.81 грн
18+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D6244A5496143&compId=MJE350G.pdf?ci_sign=ceecdaf803505ecf20ef449e5ce0e923b91b36c9 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.44 грн
40+22.84 грн
109+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D6244A5496143&compId=MJE350G.pdf?ci_sign=ceecdaf803505ecf20ef449e5ce0e923b91b36c9 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.53 грн
40+28.46 грн
109+25.93 грн
5000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G Виробник : ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 15314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+60.09 грн
317+38.56 грн
320+38.18 грн
500+31.11 грн
1000+24.43 грн
3000+19.38 грн
6000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G Виробник : ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 15317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+73.72 грн
11+55.95 грн
100+35.91 грн
250+34.28 грн
500+26.82 грн
1000+21.84 грн
3000+18.05 грн
6000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0011482882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.47 грн
16+54.55 грн
100+38.79 грн
500+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G Виробник : onsemi MJE350_D-1811352.pdf Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
на замовлення 16398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.26 грн
10+60.41 грн
100+36.56 грн
250+36.49 грн
500+28.47 грн
1000+24.87 грн
3000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G Виробник : onsemi mje350-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 9151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.50 грн
10+57.78 грн
100+38.29 грн
500+28.06 грн
1000+25.52 грн
2000+23.39 грн
5000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G Виробник : ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G Виробник : JSMicro Semiconductor mje350-d.pdf Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G Виробник : ON-Semicoductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G Виробник : ON Semiconductor mje350-d.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G
Код товару: 112488
Додати до обраних Обраний товар

mje350-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.