Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJE350G
MJE350G

MJE350G

mje350-d.pdf
Код товару: 112488
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJE350G за ціною від 12.96 грн до 129.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJE350G MJE350G ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+41.84 грн
354+41.41 грн
500+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+46.30 грн
1000+44.71 грн
2500+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G ONSEMI MJE350G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 30...240
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.29 грн
10+45.68 грн
20+40.50 грн
31+32.01 грн
84+30.31 грн
200+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G onsemi mje350-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 6186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.98 грн
10+61.05 грн
100+40.41 грн
500+29.62 грн
1000+26.94 грн
2000+24.69 грн
5000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G onsemi mje350-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
на замовлення 9152 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+108.84 грн
10+67.75 грн
100+39.05 грн
500+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.91 грн
19+42.06 грн
100+41.63 грн
500+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G ONSEMI ONSM-S-A0011482882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G ON Semiconductor MJE350.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
500+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G mje350-d.pdf
MJE350G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
351+41.84 грн
354+41.41 грн
500+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G mje350-d.pdf
MJE350G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+46.30 грн
1000+44.71 грн
2500+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350G.pdf
MJE350G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 30...240
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.29 грн
10+45.68 грн
20+40.50 грн
31+32.01 грн
84+30.31 грн
200+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G mje350-d.pdf
MJE350G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 6186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.98 грн
10+61.05 грн
100+40.41 грн
500+29.62 грн
1000+26.94 грн
2000+24.69 грн
5000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G mje350-d.pdf
MJE350G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
на замовлення 9152 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.84 грн
10+67.75 грн
100+39.05 грн
500+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G mje350-d.pdf
MJE350G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+129.91 грн
19+42.06 грн
100+41.63 грн
500+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G ONSM-S-A0011482882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE350G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE350G MJE350.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.