Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJE350G за ціною від 12.96 грн до 94.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJE350G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 12027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE350G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 12045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE350G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE350G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 20W Case: TO225 Current gain: 30...240 Mounting: THT Kind of package: bulk |
на замовлення 833 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE350G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJE350G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP |
на замовлення 10048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MJE350G | ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шткількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MJE350G | JSMicro Semiconductor |
Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSMкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MJE350G | ON-Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONSкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MJE350G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 12027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 470+ | 30.18 грн |
| 475+ | 29.88 грн |
| 500+ | 29.59 грн |
| 1000+ | 28.45 грн |
| MJE350G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 30.37 грн |
| 26+ | 30.07 грн |
| 100+ | 29.77 грн |
| 500+ | 28.42 грн |
| 1000+ | 26.24 грн |
| MJE350G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 39.17 грн |
| 1000+ | 34.27 грн |
| 2500+ | 34.19 грн |
| MJE350G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 833 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 84.12 грн |
| 10+ | 50.61 грн |
| 20+ | 44.46 грн |
| 100+ | 33.57 грн |
| 200+ | 30.00 грн |
| 500+ | 27.92 грн |
| MJE350G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 91.82 грн |
| 15+ | 56.22 грн |
| 100+ | 40.19 грн |
| MJE350G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
на замовлення 10048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.23 грн |
| 10+ | 58.59 грн |
| 100+ | 33.76 грн |
| MJE350G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 12.96 грн |
| MJE350G |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 12.97 грн |
| MJE350G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
кількість в упаковці: 10 шт
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 27.37 грн |





