MJE4343G ON Semiconductor


mje4343-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+270.44 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE4343G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 16A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A, Current - Collector Cutoff (Max): 750µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V, Frequency - Transition: 1MHz, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 125 W.

Інші пропозиції MJE4343G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJE4343G MJE4343G onsemi MJE4343_D-1811620.pdf Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE4343G MJE4343_D-1811620.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.