Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJE5730G за ціною від 34.48 грн до 131.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJE5730G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE5730G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJE5730G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 1A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MJE5730G | Виробник : ON |
05+06+ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| MJE5730G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=1A, F=10MHz).... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |



