MJE5730G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 101.74 грн |
| 10+ | 78.79 грн |
| 100+ | 75.50 грн |
| 500+ | 66.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE5730G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MJE5730G за ціною від 34.60 грн до 111.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE5730G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 1A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 1426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJE5730G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP |
на замовлення 4868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MJE5730G | Виробник : ON |
05+06+ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
MJE5730G Код товару: 171586 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
MJE5730G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |