Продукція > ONSEMI > MJE5730G
MJE5730G

MJE5730G onsemi

MJE5730-D.PDF Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.87 грн
10+66.59 грн
100+54.28 грн
500+47.11 грн
1000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE5730G onsemi

Description: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJE5730G за ціною від 45.45 грн до 143.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE5730G MJE5730G Виробник : onsemi mje5730-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.19 грн
50+63.51 грн
100+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730G MJE5730G Виробник : ONSEMI 1916280.pdf Description: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.12 грн
13+68.51 грн
100+62.84 грн
500+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730G Виробник : ON mje5730-d.pdf 05+06+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730G
Код товару: 171586
Додати до обраних Обраний товар

mje5730-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730G MJE5730G Виробник : ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5730G Виробник : ONSEMI mje5730-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 1A; 40W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Collector current: 1A
Current gain: 30...150
Power dissipation: 40W
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 10MHz
Case: TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.