MJE5731AG ON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 190+ | 68.56 грн |
| 221+ | 59.03 грн |
| 250+ | 55.04 грн |
| 500+ | 51.63 грн |
| 1000+ | 39.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE5731AG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJE5731AG за ціною від 31.24 грн до 138.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE5731AG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE5731AG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 375V 1A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE5731AG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE5731AG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V |
на замовлення 4914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE5731AG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE5731AG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJE5731AG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJE5731AG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |