Продукція > ONSEMI > MJE5731AG
MJE5731AG

MJE5731AG onsemi

mje5730-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.11 грн
50+55.23 грн
100+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE5731AG onsemi

Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJE5731AG за ціною від 30.65 грн до 137.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJE5731AG MJE5731AG onsemi MJE5730-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.76 грн
10+58.38 грн
100+38.85 грн
500+36.58 грн
1000+30.86 грн
5000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AG MJE5731AG ONSEMI mje5730-d.pdf Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.42 грн
13+62.44 грн
100+57.30 грн
500+51.71 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AG MJE5730-D.PDF
MJE5731AG
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+123.76 грн
10+58.38 грн
100+38.85 грн
500+36.58 грн
1000+30.86 грн
5000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AG mje5730-d.pdf
MJE5731AG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+137.42 грн
13+62.44 грн
100+57.30 грн
500+51.71 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.