Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE5731AG
MJE5731AG

MJE5731AG ON Semiconductor

mje5730-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+74.18 грн
100+63.88 грн
250+59.55 грн
500+55.87 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE5731AG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJE5731AG за ціною від 42.76 грн до 150.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJE5731AG MJE5731AG ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.45 грн
221+64.11 грн
250+59.77 грн
500+56.07 грн
1000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AG MJE5731AG onsemi mje5730-d.pdf Description: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.22 грн
50+55.74 грн
100+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AG MJE5731AG ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.15 грн
161+87.98 грн
200+87.46 грн
400+80.27 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AG MJE5731AG ONSEMI mje5730-d.pdf Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AG MJE5731AG onsemi MJE5730-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AG mje5730-d.pdf
MJE5731AG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
190+74.45 грн
221+64.11 грн
250+59.77 грн
500+56.07 грн
1000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AG mje5730-d.pdf
MJE5731AG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.22 грн
50+55.74 грн
100+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AG mje5730-d.pdf
MJE5731AG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+150.15 грн
161+87.98 грн
200+87.46 грн
400+80.27 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AG mje5730-d.pdf
MJE5731AG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731AG MJE5730-D.PDF
MJE5731AG
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.