Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE5731G
MJE5731G

MJE5731G ON Semiconductor

mje5730-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE5731G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJE5731G за ціною від 48.76 грн до 117.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJE5731G MJE5731G ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+52.82 грн
276+51.05 грн
500+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731G MJE5731G ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+59.49 грн
500+55.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731G MJE5731G ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+106.53 грн
168+83.63 грн
200+83.21 грн
400+75.11 грн
800+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731G MJE5731G onsemi mje5730-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731G MJE5731G ONSEMI ONSM-S-A0014421709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731G MJE5731G onsemi MJE5730-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731G MJE5731G ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731G mje5730-d.pdf
MJE5731G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
266+52.82 грн
276+51.05 грн
500+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731G mje5730-d.pdf
MJE5731G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+59.49 грн
500+55.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731G mje5730-d.pdf
MJE5731G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+106.53 грн
168+83.63 грн
200+83.21 грн
400+75.11 грн
800+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731G mje5730-d.pdf
MJE5731G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731G ONSM-S-A0014421709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE5731G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731G MJE5730-D.PDF
MJE5731G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5731G mje5730-d.pdf
MJE5731G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.