MJE5851G

MJE5851G onsemi


MJE5850_D-2315747.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
на замовлення 1051 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+291.35 грн
10+ 258.08 грн
50+ 211.77 грн
100+ 183.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE5851G onsemi

Description: TRANS PNP 350V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 80 W.

Інші пропозиції MJE5851G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJE5851G
Код товару: 180290
mje5850-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJE5851G MJE5851G Виробник : ON Semiconductor mje5850-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE5851G MJE5851G Виробник : onsemi mje5850-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товар відсутній