Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJE5851G

MJE5851G

mje5850-d.pdf
Код товару: 180290
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJE5851G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE5851G MJE5851G onsemi mje5850-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851G MJE5851G onsemi MJE5850_D-2315747.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851G mje5850-d.pdf
MJE5851G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5851G MJE5850_D-2315747.pdf
MJE5851G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.