MJE800 ON Semiconductor
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 60, Ic = 4, hFE = 750 @ 2 A, 3 V, Icutoff-max = 100, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 2 A, 40 mA, Р, Вт = 40 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 10.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE800 ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 60, Ic = 4, hFE = 750 @ 2 A, 3 V, Icutoff-max = 100, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 2 A, 40 mA, Р, Вт = 40 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим, кількість в упаковці: 500 шт.
.JPG "MJE800")
