Продукція > ONSEMI > MJE800G
MJE800G

MJE800G onsemi

mje700-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 12546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1175+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 1175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE800G onsemi

Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 40 W.

Інші пропозиції MJE800G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE800G On Semiconductor MJE70x%2C%20MJE80x.pdf NPN Darl. Uкэ=60V, Iк=4A, h21=100...750, 40Вт,TO-225AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE800G MJE800G onsemi mje700-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE800G MJE800G onsemi MJE700_D-2315886.pdf Darlington Transistors 4A 60V Bipolar Power NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE800G MJE70x%2C%20MJE80x.pdf
Виробник: On Semiconductor
NPN Darl. Uкэ=60V, Iк=4A, h21=100...750, 40Вт,TO-225AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE800G mje700-d.pdf
MJE800G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE800G MJE700_D-2315886.pdf
MJE800G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 4A 60V Bipolar Power NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.