Технічний опис MJE802 MOT
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: SOT-32, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції MJE802
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJE802 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MJE802 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Supplier Device Package: SOT-32 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MJE802 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MJE802 | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |