.JPG "MJE803G")
MJE803G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE803G onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126, Power - Max: 40 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Supplier Device Package: TO-126, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN - Darlington, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MJE803G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE803G | onsemi |
Darlington Transistors 4A 80V Bipolar Power NPN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MJE803G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |