MJF127G ON Semiconductor
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 99+ | 126.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJF127G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJF127G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 2 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-220, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 5A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJF127G за ціною від 34.52 грн до 159.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJF127G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Darlington PNP 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJF127G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V Supplier Device Package: TO-220FP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJF127G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 5A 100V Bipolar Power PNP |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJF127G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJF127G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 2 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 5A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJF127G | Виробник : ON SEMICONDUCTOR |
TRANS DARL PNP 5A 100V TO220FP (Fullpack) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MJF127G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = PNP; Uceo, В = 100; Ic = 5 А; hFE = 2000 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 10 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 20 мA, 5 А; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220FP |
на замовлення 45 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
MJF127G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
MJF127G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 30W; TO220FP Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 5A Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of transistor: Darlington Power dissipation: 30W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJF127G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 30W; TO220FP Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 5A Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of transistor: Darlington Power dissipation: 30W |
товару немає в наявності |