MJF18004G ON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 73.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJF18004G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJF18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 280 mW, ISOWATT-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: ISOWATT-220, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 13MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJF18004G за ціною від 58.31 грн до 220.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJF18004G | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 5A 450V 35W NPN |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJF18004G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 35 W |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJF18004G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJF18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 280 mW, ISOWATT-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: ISOWATT-220 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 13MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJF18004G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 5A 35000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJF18004G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 5A 35000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
MJF18004G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |