MJF31CG ON Semiconductor


mjf31c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+72.48 грн
100+65.64 грн
500+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 50 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJF31CG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJF31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2 W, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJF31CG за ціною від 35.79 грн до 138.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJF31CG MJF31CG onsemi mjf31c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
50+63.90 грн
100+57.11 грн
500+42.42 грн
1000+38.82 грн
2000+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJF31CG MJF31CG onsemi MJF31C-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 30W NPN
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJF31CG MJF31CG ONSEMI ONSM-S-A0013307612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJF31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2 W, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJF31CG Aptina Imaging mjf31c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.48 грн
216+65.64 грн
500+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJF31CG mjf31c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.74 грн
50+63.90 грн
100+57.11 грн
500+42.42 грн
1000+38.82 грн
2000+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJF31CG MJF31C-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 30W NPN
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJF31CG ONSM-S-A0013307612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJF31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2 W, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJF31CG mjf31c-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans GP BJT NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
196+72.48 грн
216+65.64 грн
500+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.