MJF31CG ON Semiconductor
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 67.96 грн |
| 100+ | 61.55 грн |
| 500+ | 50.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJF31CG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJF31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2 W, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJF31CG за ціною від 32.15 грн до 146.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJF31CG | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 30W NPN |
на замовлення 618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJF31CG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJF31CG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJF31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2 W, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJF31CG | Виробник : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MJF31CG |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MJF31CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MJF31CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| MJF31CG | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 30W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Current gain: 10...50 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
товару немає в наявності |