 
MJF44H11G ON Semiconductor
на замовлення 16550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 128+ | 97.41 грн | 
| 139+ | 89.29 грн | 
| 250+ | 85.24 грн | 
| 500+ | 73.47 грн | 
| 1000+ | 59.28 грн | 
| 2600+ | 54.91 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJF44H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJF44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023). 
Інші пропозиції MJF44H11G за ціною від 53.24 грн до 210.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 16562 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 408 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 250 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJF44H11G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Current gain: 60 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 50MHz | на замовлення 26 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJF44H11G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJF44H11G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Current gain: 60 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 26 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJF44H11G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN | на замовлення 6318 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | MJF44H11G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MJF44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| MJF44H11G | Виробник : ON-Semicoductor |  NPN 10A 80V 2W MJF44H11G TMJF44h11g кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 140 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
| MJF44H11G Код товару: 169245 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
|   | MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності |