Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJF44H11G за ціною від 50.23 грн до 191.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 16562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 16550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJF44H11G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Current gain: 60 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 50MHz |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJF44H11G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 3172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJF44H11G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN |
на замовлення 4372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJF44H11G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJF44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| MJF44H11G | Виробник : ON-Semiconductor |
NPN 10A 80V 2W MJF44H11G TMJF44h11g кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
MJF44H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |