Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJF44H11G за ціною від 57.20 грн до 215.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJF44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 16562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJF44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 16550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJF44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJF44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJF44H11G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Current gain: 60 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 50MHz |
на замовлення 469 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJF44H11G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJF44H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN |
на замовлення 11871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MJF44H11G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJF44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJF44H11G | ON-Semiconductor |
NPN 10A 80V 2W MJF44H11G TMJF44h11gкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MJF44H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 110.57 грн |
| 100+ | 101.35 грн |
| 250+ | 96.75 грн |
| 500+ | 83.39 грн |
| 1000+ | 67.28 грн |
| 2600+ | 62.32 грн |
| MJF44H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 16550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 128+ | 110.57 грн |
| 139+ | 101.35 грн |
| 250+ | 96.75 грн |
| 500+ | 83.39 грн |
| 1000+ | 67.28 грн |
| 2600+ | 62.32 грн |
| MJF44H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 92+ | 153.60 грн |
| 149+ | 94.60 грн |
| MJF44H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 155.85 грн |
| 250+ | 144.89 грн |
| MJF44H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Current gain: 60
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Current gain: 60
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 164.97 грн |
| 10+ | 74.12 грн |
| MJF44H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 215.52 грн |
| 50+ | 103.65 грн |
| 100+ | 93.57 грн |
| 500+ | 71.24 грн |
| 1000+ | 65.91 грн |
| 2000+ | 61.43 грн |
| MJF44H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
на замовлення 11871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJF44H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJF44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - MJF44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







