MJF45H11G ON Semiconductor
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 900+ | 47.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJF45H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJF45H11G за ціною від 40.42 грн до 133.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJF45H11G | Виробник : ONSEMI |
 Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJF45H11G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP |
на замовлення 13212 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJF45H11G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJF45H11G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 228 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJF45H11G Код товару: 169243 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
MJF45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MJF45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
MJF45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
MJF45H11G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |