MJF45H11G ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 215+ | 56.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJF45H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJF45H11G за ціною від 44.68 грн до 176.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJF45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJF45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJF45H11G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJF45H11G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJF45H11G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP |
на замовлення 8217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJF45H11G | Виробник : ONSEMI |
MJF45H11G PNP THT transistors |
на замовлення 203 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
MJF45H11G Код товару: 169243
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
MJF45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJF45H11G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |