Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJF45H11G за ціною від 41.42 грн до 143.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJF45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MJF45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MJF45H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MJF45H11G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP Mounting: THT Collector current: 10A Power dissipation: 50W Current gain: 60 Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 40MHz Polarisation: bipolar Case: TO220FP Type of transistor: PNP Kind of package: tube |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MJF45H11G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MJF45H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP |
на замовлення 5289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MJF45H11G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJF45H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 215+ | 65.40 грн |
| MJF45H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 84.78 грн |
| 500+ | 69.26 грн |
| 700+ | 62.71 грн |
| MJF45H11G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 161+ | 87.30 грн |
| 250+ | 80.12 грн |
| MJF45H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 40MHz
Polarisation: bipolar
Case: TO220FP
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 40MHz
Polarisation: bipolar
Case: TO220FP
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 137.47 грн |
| 5+ | 102.12 грн |
| 10+ | 78.24 грн |
| MJF45H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.94 грн |
| 50+ | 67.18 грн |
| 100+ | 60.25 грн |
| 500+ | 45.10 грн |
| 1000+ | 41.42 грн |
| MJF45H11G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
на замовлення 5289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJF45H11G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







