Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJF45H11G
MJF45H11G

MJF45H11G ON Semiconductor

mjf44h11-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
215+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJF45H11G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJF45H11G за ціною від 42.88 грн до 189.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJF45H11G MJF45H11G Виробник : ON Semiconductor mjf44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+78.56 грн
250+72.09 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
MJF45H11G MJF45H11G Виробник : ON Semiconductor mjf44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+81.74 грн
500+66.78 грн
700+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJF45H11G MJF45H11G Виробник : ONSEMI MJF44H11G-DTE.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Kind of package: tube
Current gain: 60
Type of transistor: PNP
Case: TO220FP
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 50W
Frequency: 40MHz
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.64 грн
10+81.52 грн
50+79.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJF45H11G MJF45H11G Виробник : onsemi mjf44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.54 грн
50+75.40 грн
100+67.61 грн
500+50.61 грн
1000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJF45H11G MJF45H11G Виробник : ONSEMI MJF44H11G-DTE.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Kind of package: tube
Current gain: 60
Type of transistor: PNP
Case: TO220FP
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 50W
Frequency: 40MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.40 грн
3+137.87 грн
10+97.82 грн
50+94.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJF45H11G MJF45H11G Виробник : onsemi MJF44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
на замовлення 7456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.08 грн
10+83.75 грн
100+57.82 грн
500+51.11 грн
700+44.48 грн
2800+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJF45H11G MJF45H11G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.02 грн
12+79.19 грн
100+70.41 грн
500+56.73 грн
1000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJF45H11G
Код товару: 169243
Додати до обраних Обраний товар

mjf44h11-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJF45H11G MJF45H11G Виробник : ON Semiconductor mjf44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJF45H11G MJF45H11G Виробник : ON Semiconductor mjf44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.