
MJH11019G ON Semiconductor
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
150+ | 279.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJH11019G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJH11019G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 200 V, 150 W, 15 A, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 400hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-247, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 200V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 15A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJH11019G за ціною від 181.86 грн до 463.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJH11019G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 200V; 15A; 150W; TO247-3 Case: TO247-3 Frequency: 3MHz Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 15A Type of transistor: PNP Power dissipation: 150W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Kind of transistor: Darlington Mounting: THT |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJH11019G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 200V; 15A; 150W; TO247-3 Case: TO247-3 Frequency: 3MHz Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 15A Type of transistor: PNP Power dissipation: 150W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Kind of transistor: Darlington Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJH11019G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJH11019G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJH11019G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 400hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 200V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 15A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJH11019G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
MJH11019G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
MJH11019G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |