MJPE32C-QZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MJPE32C-Q/SOT1289B/CFP15
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: CFP15B
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJPE32C-QZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - MJPE32C-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.2 W, CFP15B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung: 2.2W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CFP15B, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 105MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції MJPE32C-QZ за ціною від 9.63 грн до 44.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJPE32C-QZ | Nexperia USA Inc. |
Description: MJPE32C-Q/SOT1289B/CFP15Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 1.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Grade: Automotive Supplier Device Package: CFP15B Frequency - Transition: 105MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Operating Temperature: 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MJPE32C-QZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT MJPE32C-Q/SOT1289B/CFP15 |
на замовлення 5250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MJPE32C-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJPE32C-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.2 W, CFP15B, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 2.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: CFP15B Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MJPE32C-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJPE32C-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.2 W, CFP15B, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| MJPE32C-QZ |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MJPE32C-Q/SOT1289B/CFP15
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: CFP15B
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MJPE32C-Q/SOT1289B/CFP15
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: CFP15B
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.40 грн |
| 12+ | 26.34 грн |
| 100+ | 16.82 грн |
| 500+ | 11.92 грн |
| 1000+ | 10.68 грн |
| 2000+ | 9.63 грн |
| MJPE32C-QZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJPE32C-Q/SOT1289B/CFP15
Bipolar Transistors - BJT MJPE32C-Q/SOT1289B/CFP15
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJPE32C-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJPE32C-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.2 W, CFP15B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CFP15B
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: NEXPERIA - MJPE32C-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.2 W, CFP15B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CFP15B
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJPE32C-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJPE32C-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.2 W, CFP15B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - MJPE32C-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.2 W, CFP15B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




