| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.31 грн |
| 20+ | 16.64 грн |
| 100+ | 12.51 грн |
| 200+ | 11.60 грн |
| 5000+ | 11.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJPE45H11-QZ Nexperia
Description: NEXPERIA - MJPE45H11-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 2.25 W, CFP15B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.25W, Bauform - Transistor: CFP15B, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJPE45H11-QZ за ціною від 18.80 грн до 82.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJPE45H11-QZ | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - MJPE45H11-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 2.25 W, CFP15B, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJPE45H11-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MJPE45H11-Q/SOT1289B/CFP15 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: CFP15B Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.65 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJPE45H11-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJPE45H11-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 2.25 W, CFP15B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.25W Bauform - Transistor: CFP15B Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJPE45H11-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MJPE45H11-Q/SOT1289B/CFP15 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: CFP15B Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.65 W Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |