MJPE45H11Z Nexperia USA Inc.


MJPE45H11.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MJPE45H11/SOT1289B/CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: CFP15B
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.65 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJPE45H11Z Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - MJPE45H11Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 2.25 W, CFP15B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 2.25W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CFP15B, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції MJPE45H11Z

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJPE45H11Z MJPE45H11Z NEXPERIA MJPE45H11.pdf Description: NEXPERIA - MJPE45H11Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 2.25 W, CFP15B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.25W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CFP15B
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJPE45H11Z MJPE45H11Z NEXPERIA MJPE45H11.pdf Description: NEXPERIA - MJPE45H11Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 2.25 W, CFP15B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJPE45H11Z MJPE45H11.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJPE45H11Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 2.25 W, CFP15B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.25W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CFP15B
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJPE45H11Z MJPE45H11.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJPE45H11Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 2.25 W, CFP15B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.